IS43LD32160A-25BLI ISSI 芯成半導(dǎo)體LPDDR 原裝現(xiàn)貨

生產(chǎn)商：ISSI 芯成半導(dǎo)體
規(guī)格型號(hào)：IS43LD32160A-25BLI
中文名稱：低功耗雙倍數(shù)據(jù)率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器
英文名稱：LPDDR SDRAM

LPDDR2 SDRAM 產(chǎn)品概述

LPDDR2計(jì)劃用于智能手機(jī)、手機(jī)、PDA、GPS單元以及便攜式游戲機(jī)等移動(dòng)產(chǎn)品。JEDEC稱其特征主要有三點(diǎn)。即（1）與此前標(biāo)準(zhǔn)（LPDDR）相比，加大了節(jié)能技術(shù)的支持；（2）非易失性內(nèi)存（閃存）和易失性內(nèi)存（SDRAM）可共用接口；（3）擴(kuò)大了支持的內(nèi)存容量和特性范圍。

美國(guó)JEDEC固態(tài)技術(shù)協(xié)會(huì)（JEDEC Solid State Technology Association）宣布，面向低功耗內(nèi)存的新標(biāo)準(zhǔn)——“JESD209-2 Low Power Double Data Rate 2（以下簡(jiǎn)稱LPDDR2)”已經(jīng)公開(kāi)。與此前的JEDEC標(biāo)準(zhǔn)一樣，可通過(guò)JEDEC的主頁(yè)免費(fèi)查詢。

LPDDR2計(jì)劃用于智能手機(jī)、手機(jī)、PDA、GPS單元以及便攜式游戲機(jī)等移動(dòng)產(chǎn)品。JEDEC稱其特征主要有三點(diǎn)。即（1）與此前標(biāo)準(zhǔn)（LPDDR）相比，加大了節(jié)能技術(shù)的支持；（2）非易失性內(nèi)存（閃存）和易失性內(nèi)存（SDRAM）可共用接口；（3）擴(kuò)大了支持的內(nèi)存容量和特性范圍。

其主要內(nèi)容分別如下。首先關(guān)于（1）的節(jié)能技術(shù)，在接口（I/O）與內(nèi)部的電壓和內(nèi)部電壓兩方面，原來(lái)的LPDDR為+1.8V，而此次的LPDDR2還支持+1.2V。并且，還支持更新部分內(nèi)存陣列的“Partial Array Self Refresh”和“Per-Bank Refresh”。

（2）中的閃存和SDRAM可共用接口此次還是首次。這樣可降低控制器的引腳數(shù)，提高內(nèi)存子系統(tǒng)周圍的安裝密度。

（3）的內(nèi)存特性和容量方面，支持的工作頻率為100MHz～533MHz。數(shù)據(jù)位寬為×8、×16和×32。有2bit和4bit兩種。閃存容量為64Mbit～32Gbit，DRAM為64Mbit～8Gbit。

價(jià)格說(shuō)明

我司在愛(ài)采購(gòu)商鋪展示的價(jià)格為指導(dǎo)價(jià)格或該商品曾經(jīng)展示的銷售價(jià)格，非原價(jià)，僅供參考。具體售價(jià)以公司銷售代表確認(rèn)的價(jià)格為準(zhǔn)。

購(gòu)買說(shuō)明

客戶訂購(gòu)產(chǎn)品之前請(qǐng)聯(lián)系我司銷售代表確認(rèn)產(chǎn)品的庫(kù)存數(shù)量，庫(kù)存位置，訂貨周期等相關(guān)信息。確認(rèn)信息之后由我司銷售代表通過(guò)公司系統(tǒng)生成訂單，交由客戶最后確認(rèn)簽字后生成正式訂單。