IS62WV51216BLL-55TLI 供應ISSI原裝SRAM
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商品參數
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商品介紹
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聯(lián)系方式
型號 IS62WV51216BLL-55TLI
品牌 ISSI
封裝 TSOP44
容量 8Mb
包裝 托盤
存儲技術 SRAM - 異步
存儲格式 SRAM
存儲類型 易失
安裝類型 表面貼裝
數量 11250
商品介紹




IS62WV51216BLL-55TLI ISSI(芯成半導體) 原廠原裝 SRAM



生產商:ISSI(芯成半導體)

規(guī)格型號:IS62WV51216BLL-55TLI

英文名稱:SRAM

中文名稱:靜態(tài)隨機存儲器

存儲格式:SRAM

安裝類型:表面貼裝

封裝/外殼:TSOP-44

原廠包裝:托盤

零件狀態(tài):批量生產

產品用途:汽車電子,臺式電腦,服務器,游戲機,物聯(lián)網設備,便攜式電腦,智能電視,網絡通信,人工智能,虛擬現實,增強現實,移動通信,工業(yè)控制,儀器儀表,安防監(jiān)控,移動終端。我司供應的產品包含ISSI(芯成半導體)的DRAM,NAND,NOR閃存,嵌入式存儲eMMC,eMCP等全系列存儲產品。



SRAM


靜態(tài)隨機存取存儲器(Static Random-Access Memory,SRAM)是隨機存取存儲器的一種。所謂的“靜態(tài)”,是指這種存儲器只要保持通電,里面儲存的數據就可以恒常保持。相對之下,動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)里面所儲存的數據就需要周期性地更新。然而,當電力供應停止時,SRAM儲存的數據還是會消失(被稱為volatile memory),這與在斷電后還能儲存資料的ROM或閃存是不同的。SRAM不需要刷新電路即能保存它內部存儲的數據。而DRAM(Dynamic Random Access Memory)每隔一段時間,要刷新充電一次,否則內部的數據即會消失,因此SRAM具有較高的性能,但是SRAM也有它的缺點,即它的集成度較低,功耗較DRAM大,相同容量的DRAM內存可以設計為較小的體積,但是SRAM卻需要很大的體積。同樣面積的硅片可以做出更大容量的DRAM,因此SRAM顯得更貴。



價格說明

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公司名稱 深圳記憶半導體有限公司
聯(lián)系賣家 李小姐 (QQ:1040180147)
電話 쑡쑣쑠쑠-쑢쑝쑤쑤쑟쑤쑥쑠
手機 쑥쑠쑝쑤쑝쑣쑡쑠쑠쑥쑤
傳真 쑡쑣쑠쑠-쑢쑝쑤쑡쑡쑝쑟쑣
地址 廣東省深圳市