IS64WV51216EDBLL-10CTLA3 ISSI（芯成半導(dǎo)體） 原廠原裝 SRAM

生產(chǎn)商：ISSI（芯成半導(dǎo)體）

規(guī)格型號：IS64WV51216EDBLL-10CTLA3

英文名稱：SRAM

中文名稱：靜態(tài)隨機存儲器

存儲格式：SRAM

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TSOP-44

原廠包裝：托盤

零件狀態(tài)：批量生產(chǎn)

產(chǎn)品用途：汽車電子，臺式電腦，服務(wù)器，游戲機，物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備，便攜式電腦，智能電視，網(wǎng)絡(luò)通信，人工智能，虛擬現(xiàn)實，增強現(xiàn)實，移動通信，工業(yè)控制，儀器儀表，安防監(jiān)控，移動終端。我司供應(yīng)的產(chǎn)品包含ISSI（芯成半導(dǎo)體）的DRAM,NAND,NOR閃存,嵌入式存儲eMMC，eMCP等全系列存儲產(chǎn)品。

SRAM

靜態(tài)隨機存取存儲器（Static Random-Access Memory，SRAM）是隨機存取存儲器的一種。所謂的“靜態(tài)”，是指這種存儲器只要保持通電，里面儲存的數(shù)據(jù)就可以恒常保持。相對之下，動態(tài)隨機存取存儲器（DRAM）里面所儲存的數(shù)據(jù)就需要周期性地更新。然而，當(dāng)電力供應(yīng)停止時，SRAM儲存的數(shù)據(jù)還是會消失（被稱為volatile memory），這與在斷電后還能儲存資料的ROM或閃存是不同的。SRAM不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲的數(shù)據(jù)。而DRAM（Dynamic Random Access Memory)每隔一段時間，要刷新充電一次，否則內(nèi)部的數(shù)據(jù)即會消失，因此SRAM具有較高的性能，但是SRAM也有它的缺點，即它的集成度較低，功耗較DRAM大，相同容量的DRAM內(nèi)存可以設(shè)計為較小的體積，但是SRAM卻需要很大的體積。同樣面積的硅片可以做出更大容量的DRAM，因此SRAM顯得更貴。

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