IRF7606TRPBF  MOSFET 介紹：

產(chǎn)品種類: MOSFET

安裝風(fēng)格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: Micro-8

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 150 C

高度: 1.11 mm  

長度: 3 mm  

晶體管類型: 1 P-Channel  

寬度: 3 mm  

商標: Infineon / IR  

產(chǎn)品類型: MOSFET  

上升時間: 20 ns  

工廠包裝數(shù)量: 4000  

單位重量: 25.540 mg

IRF7606TRPBF  MOSFET 新聞資料：

      Infineon率先采用HEXFET功率MOSFET技術(shù)，于1979年開發(fā)并推出首款六角形拓撲MOSFET。這些新開發(fā)的產(chǎn)品僅在四年后即取得了各種專利權(quán)，從那時起，大多數(shù)MOSFET制造商已經(jīng)準許各類設(shè)計和工藝進入該市場。IR產(chǎn)品具有市場上同類產(chǎn)品中最低的MOSFET導(dǎo)通電阻，讓功率轉(zhuǎn)換子系統(tǒng)設(shè)計實現(xiàn)了出色的效率。IR將先進的硅技術(shù)與創(chuàng)新封裝技術(shù)相結(jié)合。與采用相同占位的標準封裝相比，IR POWIRTAB™、Super-220™和Super-247™封裝可讓每個器件最多承載20A的電流，從而提高了功率密度。IR的FlipFET®封裝技術(shù)與標準的表面貼裝焊接技術(shù)兼容，提供100％的硅與占位比，其性能與外形是其3倍大的傳統(tǒng)封裝相同，因此非常適合用于便攜式電話或筆記本電腦等便攜式設(shè)備。

安富利（深圳）商貿(mào)有限公司介紹：

公司所銷售產(chǎn)品涉及世界各名廠IC,:INFINEON(英飛凌)，XILINX、LINEAR、ALTERA(阿特拉 )、ATMEL(特梅爾)、STC單片機、英特爾(Intel) 、德州儀器(TI)、飛利浦(Philip）、海力士(Hynix)、MITSUBISHI (三菱)、美國仿真器件(ADI)、國際整流器(IR)、臺灣硅成(ICSI)、三星(Samsung)、瑞薩(Renesas)、東芝(Toshiba)、意法(ST)、摩托羅拉(Motorola)、仙童(Fairchid)、美國美商半導(dǎo)體(AMD)、愛特梅爾(Atmel）、安捷倫;

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IRF7606TRPBF  MOSFET 產(chǎn)品圖片：