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?ASEMI品牌D35SB100薄體整流橋

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ASEMI品牌D35SB100薄體整流橋35A1000V。適用于電源適配器，LED燈整流器，電風(fēng)扇，電視機(jī)，室內(nèi)空調(diào)機(jī)，家用小電器等相關(guān)電器產(chǎn)品。

ASEMI進(jìn)口整流橋 D35SB100采用大尺寸172MIL芯片，它的電性參數(shù)是：正向電流為35A，反向電壓為1000V，正向電壓為1.1V，芯片尺寸為172MIL，它的浪涌電流Ifsm為350A，漏電流為5uA、工作溫度在-55 ℃ ~ 150 ℃之間，恢復(fù)時(shí)間達(dá)到500ns。

ASEMI整流扁橋GBJ3510

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GBJ3510便是ASEMI整流扁橋中的薄整流橋。ASEMI GBJ3510具備4個(gè)長度均為17.5mm的等長高純度無氧銅引腳，大大增大了導(dǎo)電性能的同時(shí)，也具備抗壓能力；而160MIL的大芯片使其具備更大額定電流與電壓，可應(yīng)用于更為大功率的電源電器中，同時(shí)又具備較高的參數(shù)穩(wěn)定性，提高電源電器的安全保障性，為家居生活更是加多了一道保險(xiǎn)。

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SSR1013L控制邏輯

當(dāng)檢測到 A-K 正向壓降大于 V on_ak 時(shí)，控制功率 MOS 導(dǎo)通，導(dǎo)通時(shí)間 1us 。導(dǎo)通后 A-K之間壓差降低，當(dāng)檢測到 A-K 壓差達(dá)到 V off-ak 時(shí)，控制功率 MOSFET 關(guān)閉。

SSR1013L電壓采集電路

通過獨(dú)有的電壓采樣方式將 A-K 壓降無誤的采集到比較器的比較端，以供比較器產(chǎn)生準(zhǔn)確控制邏輯，以達(dá)到精準(zhǔn)控制功率 MOSFET 的目的。

SSR1013L開啟時(shí)間

當(dāng)檢測到功率 MOSFET 開通時(shí)，開通時(shí)間 1us ，以提高電路的抗干擾能力，保證MOSFET 不會出現(xiàn)誤關(guān)斷現(xiàn)象。