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無線傳感節(jié)點電源設計

隨著微型設備,如無線微型傳感器等體積的減小和功能的增多,其能源供應問題日顯突出,因而使得使用壽命縮短。提出了一種利用超低輸入電壓充電泵技術,與升壓型DC/DC變換器電路相結(jié)合,將太陽能電池、堿性電池等低壓電源應用于無線傳感器節(jié)點的供電的方法。重點討論了開關器件的驅(qū)動,升壓電路的啟動和大占空比升壓電路的原理,給出了一個超低電壓電源管理系統(tǒng)的設計方案,并給出了5 V/200 mA電源測試結(jié)果。

深圳瑞泰威科技有限公司是國內(nèi)IC電子元器件的代理銷售企業(yè)，專業(yè)從事各類驅(qū)動IC、存儲IC、傳感器IC、觸摸IC銷售，品類齊全，具備上百個型號。與國內(nèi)外的東芝、恩智浦、安森美、全宇昕、上海晶準等均穩(wěn)定合作，保證產(chǎn)品的品質(zhì)和穩(wěn)定供貨。自公司成立以來，飛速發(fā)展，產(chǎn)品已涵蓋了工控類IC、光通信類IC、無線通信IC、消費類IC等行業(yè)。

3GMR/超導復合式磁傳感器

磁電阻效應是對于一些磁性材料，當施加外磁場時，材料的電阻會發(fā)生變化的效應。這種磁電阻效應次由William Thomson 于1857 年在鐵樣品中發(fā)現(xiàn)。這一發(fā)現(xiàn)的材料磁阻變化率很小，只有1%，此效應即被稱為各向異性磁電阻(AMR)效應。

1988 年，Grunberg 和Baibich 等人通過分子束外延的方法制備了Fe/Cr 多層膜，并在其中發(fā)現(xiàn)了磁阻變化率達到50%以上。這種巨大的磁電阻變化效應被稱為巨磁電阻(GMR)效應。GMR效應來源于載流電子在不同的自旋狀態(tài)下與磁場的作用不同導致的電阻變化。GMR由鐵磁—非磁性金屬—鐵磁多層膜交疊組成。兩層鐵磁層的矯頑力不同。當鐵磁層的磁矩互相平行時，載流子與自旋有關的散射，材料具有的電阻。而當鐵磁層的磁矩為反平行時，載流子與自旋相關的散射強，材料的電阻。對于GMR效應可以由Mott 提出的雙電流模型解釋。在非磁性層中，不同自旋的電子能帶相同，但是在鐵磁金屬中，不同自旋的能帶發(fā)生劈裂，導致在費米能級處，自旋向上和向下的電子態(tài)密度不同。

在雙電流模型中，假設自旋向上和向下的電子沿層面流動對應兩個互相獨立的導電通道，其中自旋向上的電子，其平均自由程遠大于自旋向下的電子。在鐵磁層磁矩反平行排列下，自旋向上和自旋向下的電子散射概率相同；而在平行排列下，自旋向上的電子散射要遠小于自旋向下的電子，從而造成平行和反平行排列下電阻的差別。

CMOS圖像傳感器Ic介紹

CMOS圖像傳感器Ic又稱為互補金屬氧化物半導體圖像傳感器。是一種用傳統(tǒng)的半導體芯片工藝方法將光敏元件、放大器、ADC/存儲器、數(shù)字信號處理器和計算機接口電路集成在一塊硅片上的圖像傳感器。

瑞泰威驅(qū)動IC廠家，是國內(nèi)IC電子元器件的代理銷售企業(yè)，專業(yè)從事各類驅(qū)動IC、存儲IC、傳感器IC、觸摸IC銷售，品類齊全，具備上百個型號產(chǎn)品原裝zheng品。

CMOS圖像傳感器的特點：結(jié)果簡單、成品率高、價格低廉。應用也比較廣泛：如網(wǎng)絡攝像頭、超市、樓宇之間的監(jiān)控、手機照相、汽車倒車影像、安防。

CMOS圖像傳感器結(jié)構：像素矩陣、模擬信號處理單元、數(shù)字信號處理單元、內(nèi)嵌微控制器、寄存器控制接口、數(shù)據(jù)輸出端口、JPEG壓縮