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驅動芯片是干什么的

驅動芯片一般起驅動作用，恩，就是把輸入的弱百電信號放大成足夠強，度適合于外部設備的強電信號。需要安培級的驅動電流一般是驅動電知機或者電力電子設備等等，根據(jù)具體用途才可以選擇具體的芯片，有耐壓，穩(wěn)態(tài)/暫態(tài)性能等等道要求。

深圳市瑞泰威科技有限公司是國內(nèi)IC電子元器件的代理銷售企業(yè)，專業(yè)從事各類驅動IC、存儲IC、傳感器IC、觸摸IC銷售，品類齊全，具備上百個型號。與國內(nèi)外的東芝、恩智浦、安森美、全宇昕、上海晶準等均穩(wěn)定合作，保證產(chǎn)品的品質和穩(wěn)定供貨。自公司成立以來，飛速發(fā)展，產(chǎn)品已涵蓋了工控類IC、光通信類IC、無線通信IC、消費類IC等行業(yè)。

igbt驅動電路的簡介

IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點，驅動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。

圖1所示為一個N 溝道增強型絕緣柵雙極晶體管結構， N+ 區(qū)稱為源區(qū)，附于其上的電極稱為源極。N+ 區(qū)稱為漏區(qū)。器件的控制區(qū)為柵區(qū)，附于其上的電極稱為柵極。溝道在緊靠柵區(qū)邊界形成。在漏、源之間的P 型區(qū)（包括P+ 和P 一區(qū)）（溝道在該區(qū)域形成），稱為亞溝道區(qū)（ Subchannel region ）。而在漏區(qū)另一側的P+ 區(qū)稱為漏注入?yún)^(qū)（ Drain injector ），它是IGBT 特有的功能區(qū)，與漏區(qū)和亞溝道區(qū)一起形成PNP 雙極晶體管，起發(fā)射極的作用，向漏極注入空穴，進行導電調(diào)制，以降低器件的通態(tài)電壓。附于漏注入?yún)^(qū)上的電極稱為漏極。

IGBT的開關作用是通過加正向柵極電壓形成溝道，給PNP 晶體管提供基極電流，使IGBT 導通。反之，加反向門極電壓消除溝道，切斷基極電流，使IGBT 關斷。IGBT 的驅動方法和MOSFET 基本相同，只需控制輸入極N一溝道MOSFET ，所以具有高輸入阻抗特性。當MOSFET 的溝道形成后，從P+ 基極注入到N 一層的空穴（少子），對N 一層進行電導調(diào)制，減小N 一層的電阻，使IGBT 在高電壓時，也具有低的通態(tài)電壓。

用什么直流電機驅動芯片（三）

其中多路轉換器開關依次接入產(chǎn)生反電動勢的繞組，比較中點模擬器與多路轉換器的輸出，可以得出兩路輸出波形相似，幅度不同，交叉點即反電動勢過零點。這兩路輸出通過右邊的比較器輸出為轉子當前的相位信號，決定換向頻率(VCO)的增減，換向頻率與采樣反電勢相位比較，落后的換向使誤差放大器向環(huán)路濾波器充電，從而增大VCO輸入。相反，提早換向將會引起環(huán)路濾波器上電容放電，使VCO輸入減少。利用此鎖相環(huán)(PLL)技術，獲得適當?shù)膿Q向時刻。此外，從RCVCO腳取出的信號是代表電動機速度的電壓信號，可用于閉環(huán)速度控制。速度的頻率信號可由監(jiān)視VCO的輸出來得到，它是鎖相環(huán)鎖定到電機準確的換向頻率的信號。

2.2 起動換向技術

換向是由反電勢信號采樣檢出經(jīng)鎖相環(huán)控制而完成的，在電機靜止及低速運行時，其反電勢為零或極低，無法檢測，因此必須由其它方法“開環(huán)”起動，到產(chǎn)生足夠大的反電勢方能進入正常換向。

ML4428控制芯片提供了完滿的起動換向技術：ML4428內(nèi)部有一個RUN比較器，RCVCO腳電壓信號代表了電動機的速度信號，起動時RCVCO腳電壓低于0.6V，RUN比較器輸出“開啟”起動邏輯電路，“關閉”換向邏輯電路，ML4428將發(fā)出6個取樣來測定轉子位置，并驅動相應的線圈以產(chǎn)生所需轉動，這將導致電機加速直到RCVCO腳電壓達到0.6V，速度足夠高產(chǎn)生被檢測的反電勢，此時RUN比較器輸出關閉起動邏輯電路，允許鎖相環(huán)電路工作開始，進入正常的換向邏輯工作狀態(tài)，經(jīng)檢測此時電機速度是電機轉速的8%。