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低溫光刻膠品牌-Futurrex-半導(dǎo)體光刻膠-光刻膠品牌
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光刻膠按用途分類
光刻膠經(jīng)過幾十年不斷的發(fā)展和進(jìn)步,應(yīng)用領(lǐng)域不斷擴(kuò)大,衍生出非常多的種類,按照應(yīng)用領(lǐng)域,光刻膠可以劃分為印刷電路板(PCB)用光刻膠、液晶顯示(LCD)用光刻膠、半導(dǎo)體用光刻膠和其他用途光刻膠。其中,PCB 光刻膠技術(shù)壁壘相對其他兩類較低,而半導(dǎo)體光刻膠代表著光刻膠技術(shù)水平。
(1)半導(dǎo)體用光刻膠
在半導(dǎo)體用光刻膠領(lǐng)域,光刻技術(shù)經(jīng)歷了紫外全譜(300~450nm)、G 線(436nm)、I 線 (365nm)、深紫外(DUV,包括 248nm 和 193nm)和極紫外(EUV)六個階段。相對應(yīng)于各曝光波長的光刻膠也應(yīng)運(yùn)而生,光刻膠中的關(guān)鍵配方成份,如成膜樹脂、光引發(fā)劑、添加劑也隨之發(fā)生變化,使光刻膠的綜合性能更好地滿足工藝要求。
(2)LCD光刻膠
在LCD 面板制造領(lǐng)域,光刻膠也是極其關(guān)鍵的材料。根據(jù)使用對象的不同,可分為 RGB 膠(彩色膠)、BM膠(黑色膠)、OC 膠、PS 膠、TFT 膠等。
光刻工藝包含表面準(zhǔn)備、涂覆光刻膠、前烘、對準(zhǔn)曝光、顯影、堅膜、顯影檢查、刻蝕、剝離、終檢查等步驟,以實(shí)現(xiàn)圖形的轉(zhuǎn)移,制造特定的微結(jié)構(gòu)。
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光刻膠的相關(guān)內(nèi)容
光刻膠必須滿足幾個硬性指標(biāo)要求:高靈敏度,高對比度,好的蝕刻阻抗性,高分辨力,易于處理,高純度,長壽命周期,低溶解度,低成本和比較高的玻璃化轉(zhuǎn)換溫度(Tg)。主要的兩個性能是靈敏度和分辨力。
感光膠的主要成分是樹脂或基體材料、感光化合物以及可控制光刻膠機(jī)械性能并使其保持液體狀態(tài)的溶劑。樹脂在曝光過程中改變分子結(jié)構(gòu)。感光化合物控制樹脂定相的化學(xué)反應(yīng)速度。溶劑使得膠能在圓片上旋轉(zhuǎn)擦敷并形成薄瞙。沒有感光化合物的光刻膠稱為單成分膠或單成分系統(tǒng),有一種感光劑的情形下,稱為二成分系統(tǒng)。因為溶劑和其他添加物不與膠的感光反應(yīng)發(fā)生直接關(guān)系,它們不計入膠的成分。
在曝光過程中,正性膠通過感光化學(xué)反應(yīng),切斷樹脂聚合體主鏈和從鏈之間的聯(lián)系,達(dá)到削弱聚合體的目的,所以曝光后的光刻膠在隨后顯影處理中溶解度升高。曝光后的光刻膠溶解速度幾乎是未曝光的光刻膠溶解速度的10倍。而負(fù)性膠,在感光反應(yīng)過程中主鏈的隨機(jī)十字鏈接更為緊密,并且從鏈下墜物增長,所以聚合體的溶解度降低。見正性膠在曝光區(qū)間顯影,負(fù)性膠則相反。負(fù)性膠由于曝光區(qū)間得到保留,漫射形成的輪廓使顯影后的圖像為上寬下窄的圖像,而正性膠相反,為下寬上窄的圖像。
光刻膠分類
根據(jù)化學(xué)反應(yīng)機(jī)理和顯影原理的不同,光刻膠可以分為負(fù)性膠和正性膠。對某些溶劑可溶,但經(jīng)曝光后形成不可溶物質(zhì)的是負(fù)性膠;反之,對某些溶劑不可溶,經(jīng)曝光后變成可溶的為正性膠。
從需求端來看,光刻膠可分為半導(dǎo)體光刻膠、面板光刻膠和PCB光刻膠。其中,半導(dǎo)體光刻膠的技術(shù)壁壘較高。
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