北京賽米萊德貿(mào)易有限公司主營(yíng)：光刻膠

光刻膠市場(chǎng)

據(jù)統(tǒng)計(jì)資料顯示，2017年中國(guó)光刻膠行業(yè)產(chǎn)量達(dá)到7.56萬(wàn)噸，較2016年增加0.29萬(wàn)噸，其中，中國(guó)本土光刻膠產(chǎn)量為4.41萬(wàn)噸，與7.99萬(wàn)噸的需求量差異較大，說(shuō)明我國(guó)供給能力還需提升。

國(guó)內(nèi)企業(yè)的光刻膠產(chǎn)品目前還主要用于PCB領(lǐng)域，代表企業(yè)有晶瑞股份、科華微電子。

在半導(dǎo)體應(yīng)用領(lǐng)域，隨著汽車(chē)電子、物聯(lián)網(wǎng)等發(fā)展，會(huì)在一定程度上增加對(duì)G線、I線的需求，利好G線、I線等生產(chǎn)企業(yè)。預(yù)計(jì)G線正膠今后將占據(jù)50%以上市場(chǎng)份額，I線正膠將占據(jù)40%左右的市場(chǎng)份額，DUV等其他光刻膠約占10%市場(chǎng)份額，給予北京科華、蘇州瑞紅等國(guó)內(nèi)公司及美國(guó)futurrex的光刻膠較大市場(chǎng)機(jī)會(huì)。

光刻膠介紹

光刻膠自1959年被發(fā)明以來(lái)一直是半導(dǎo)體核心材料，隨后被改進(jìn)運(yùn)用到PCB板的制造，并于20世紀(jì)90年代運(yùn)用到平板顯示的加工制造。終應(yīng)用領(lǐng)域包括消費(fèi)電子、家用電器、汽車(chē)通訊等。

光刻工藝約占整個(gè)芯片制造成本的35%，耗時(shí)占整個(gè)芯片工藝的40%~60%，是半導(dǎo)體制造中核心的工藝。

以半導(dǎo)體光刻膠為例，在光刻工藝中，光刻膠被均勻涂布在襯底上，經(jīng)過(guò)曝光(改變光刻膠溶解度)、顯影(利用顯影液溶解改性后光刻膠的可溶部分)與刻蝕等工藝，將掩膜版上的圖形轉(zhuǎn)移到襯底上，形成與掩膜版完全對(duì)應(yīng)的幾何圖形。

光刻技術(shù)隨著IC集成度的提升而不斷發(fā)展。為了滿(mǎn)足集成電路對(duì)密度和集成度水平的更高要求，半導(dǎo)體用光刻膠通過(guò)不斷縮短曝光波長(zhǎng)以極限分辨率，世界芯片工藝水平目前已跨入微納米級(jí)別，光刻膠的波長(zhǎng)由紫外寬譜逐步至g線（436nm）、i線（365nm）、KrF（248nm）、 ArF（193nm）、F2（157nm），以及達(dá)到EUV(<13.5nm)線水平。

目前，半導(dǎo)體市場(chǎng)上主要使用的光刻膠包括 g 線、i 線、KrF、ArF四類(lèi)光刻膠，其中，g線和i線光刻膠是市場(chǎng)上使用量較大的。KrF和ArF光刻膠核心技術(shù)基本被日本和美國(guó)企業(yè)所壟斷。

NR77-20000P

正膠PR1-2000A1技術(shù)資料

正膠PR1-2000A1是為曝光波長(zhǎng)為365 或者436納米，可用于晶圓步進(jìn)器、掃描投影對(duì)準(zhǔn)器、近程打印機(jī)和接觸式打印機(jī)等工具。PR1-2000A1可以滿(mǎn)足對(duì)附著能力較高的要求，在使用PR1-2000A1時(shí)一般不需要增粘劑，如HMDS。

相對(duì)于其他的光刻膠，PR1-2000A1有如下的一些額外的優(yōu)勢(shì)：

PEB，不需要后烘的步驟；

較高的分別率；

快速顯影；

較強(qiáng)的線寬控制；

蝕刻后去膠效果好；

在室溫下有效期長(zhǎng)達(dá)2年。