IRFB4410PBF 晶體管 - FET-MOSFET - 單個(gè) 原廠代理深圳貿(mào)澤現(xiàn)貨
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IRFB4410PBF-晶體管-FET-MOSFET

價(jià)格

訂貨量(PCS)

¥1.95

≥1

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發(fā)貨地 廣東省深圳市
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貿(mào)澤(深圳)實(shí)業(yè)有限公司

店齡5年 企業(yè)認(rèn)證

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所在地區(qū)

廣東省深圳市

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商品參數(shù)
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商品介紹
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聯(lián)系方式
型號(hào) IRFB4410PBF
品牌 Infineon
批號(hào) 20+
封裝 TO-220-3
數(shù)量 4500
商品介紹

一般信息

數(shù)據(jù)列表       IRF(B,S,SL)4410PbF;

標(biāo)準(zhǔn)包裝      50

包裝      管件 

零件狀態(tài)       有源

類別       分立半導(dǎo)體產(chǎn)品

產(chǎn)品族    晶體管 - FET,MOSFET - 單個(gè)

系列       HEXFET?

其它名稱       *IRFB4410PBF

SP001556060

 

規(guī)格

FET 類型       N 通道

技術(shù)       MOSFET(金屬氧化物)

漏源電壓(Vdss       100V

25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)    88ATc

驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On      10V

不同 IdVgs 時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值)      10 毫歐 @ 58A,10V

不同 Id 時(shí) Vgs(th)(最大值)  4V @ 150μA

不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)(最大值)    180nC @ 10V

Vgs(最大值)     ±20V

不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值)  5150pF @ 50V

FET 功能       -

功率耗散(最大值)    200WTc

工作溫度       -55°C ~ 175°CTJ

安裝類型       通孔

供應(yīng)商器件封裝    TO-220AB

封裝/外殼      TO-220-3







聯(lián)系方式
公司名稱 貿(mào)澤(深圳)實(shí)業(yè)有限公司
聯(lián)系賣家 柯小姐 (QQ:3042025163)
電話 䝑䝗䝏䝏-䝓䝐䝓䝑䝘䝘䝒䝖
手機(jī) 䝒䝕䝒䝓䝖䝘䝒䝖䝏䝕䝑
傳真 䝑䝗䝏䝏-䝓䝐䝓䝑䝓䝒䝐䝏
地址 廣東省深圳市