一般信息

數(shù)據(jù)列表       Si7898DP;

標準包裝      3,000

包裝      標準卷帶 

零件狀態(tài)       有源

類別       分立半導(dǎo)體產(chǎn)品

產(chǎn)品族    晶體管 - FET，MOSFET - 單個

系列       TrenchFET?

其它名稱       SI7898DP-T1-E3TR

SI7898DPT1E3

 

規(guī)格

FET 類型       N 通道

技術(shù)       MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）       150V

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)    3A（Ta）

驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）      6V，10V

不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值）      85 毫歐 @ 3.5A，10V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）  4V @ 250μA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）    21nC @ 10V

Vgs（最大值）     ±20V

FET 功能       -

功率耗散（最大值）    1.9W（Ta）

工作溫度       -55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型       表面貼裝型

供應(yīng)商器件封裝    PowerPAK? SO-8

封裝/外殼      PowerPAK? SO-8