超硬磨料磨具以其優(yōu)異的磨削性能獲得機械加工領域普遍認可,但制約其進一步拓展應用的主要原因之一是超硬砂輪修整極其困難。面對此難題,作者梳理目前超硬砂輪在工程應用中的主要修整方法,分析其工作原理、技術演變、主要特點、應用狀況,對先進修整技術進行闡述,后總結并展望三大結合劑超硬砂輪實用修整技術及發(fā)展趨勢。金屬結合劑超硬砂余量去除基本鎖定為電火花放電修整,小余量修整主要以普通磨具磨削法修整為主,細粒度超硬砂輪采用在線電解修整優(yōu)勢明顯;陶瓷結合劑超硬砂輪簡單直線修整逐漸被點輪修整取代,高陡度成型砂輪修整仍是金剛石滾輪;樹脂結合劑超硬砂輪多以磨削法修整為主,但科學實用修整技術仍需進一步研發(fā)。激光修整具有非接觸、高效、便利、易控、超長壽命等優(yōu)點,具有更加廣闊的發(fā)展前景;集機、電、聲、熱、化等多種方法于一體的復合修整也是超硬砂輪技術人員一直關注和研發(fā)的重點。

應用空間圓弧和空間樣條曲線兩種規(guī)則曲線的插補算法,對多自由度磨料水射流噴嘴在笛卡爾坐標系中拋光異型陶瓷零件進行路徑規(guī)劃。通過建立理想狀態(tài)下的微細磨料水射流射流束拋光數(shù)學模型,采用矢量法對復雜的運動軌跡利用圓弧和樣條曲線來逼近,在MATLAB軟件環(huán)境下建立了磨料水射流復雜曲面的拋光運動數(shù)學模型,并對其進行數(shù)值模擬。模擬結果表明,運動數(shù)學模型所得到的運動軌跡符合射流束拋光要求,從而證明了該模型的有效性和先進性,為深入研究微細磨料水射流拋光軌跡優(yōu)化提供了重要的理論基礎。 基于溶膠-凝膠法所制備而成的生物高分子柔性拋光膜在晶圓拋光加工過程中具有高精度、低損傷等優(yōu)點。但由于金剛石是由共價鍵結合而成的晶體,它與生物高分子材料結合較差,導致在加工過程中會出現(xiàn)磨料脫落等問題,因此如何提高磨料與基體的界面結合以及如何測量磨料與基體的界面結合強度成為目前所需要解決的關鍵問題。本文采用了兩種界面結合強度的測量表征方法,并基于兩種測量方式評價了不同的表面處理方式對于界面結合強度的影響,考慮了添加偶聯(lián)劑、鍍覆金屬鈦、鍍覆金屬鈦后表面氧化、涂覆羥基氧化鐵等表面處理方式的影響,同時研究了磨料粒度對界面結合強度的影響。種方法是直接拉拔法,通過粘結劑將金剛石磨料直接從生物高分子基體中拉拔出,測定拉拔時所需要的拉拔力,并測定磨料與基體的接觸面積,從而計算得到磨料與基體的界面結合強度。第二種方法是基于拋光膜的拉伸強度來表征磨料與基體的界面結合強度,通過分析可以知道,磨料與基體的界面結合強度變化會直接導致生物高分子基體材料的拉伸強度發(fā)生變化,因此本論文嘗試使用拋光膜的拉伸強度來直接表征磨料與基體的界面結合強度。通過直接拉拔法對磨料與基體的界面結合強度進行測量,發(fā)現(xiàn)隨著磨料粒度的增大...

采用霧化施液化學機械拋光（CMP）的方法,以材料去除速率和表面粗糙度為評價指標,選取適合硒化鋅拋光的磨料,通過單因素實驗對比CeO2、SiO2和Al2O3三種磨料的拋光效果。結果顯示:采用Al2O3拋光液可以獲得的材料去除率,為615.19nm/min,而CeO2和SiO2磨料的材料去除率分別只有184.92和78.56nm/min。進一步分析磨料粒徑對實驗結果的影響規(guī)律,表明100nm Al2O3拋光后的表面質(zhì)量,粗糙度Ra僅為2.51nm,300nm Al2O3的去除速率,達到1 256.5nm/min,但表面存在嚴重缺陷,出現(xiàn)明顯劃痕和蝕坑。在相同工況條件下,與傳統(tǒng)化學機械拋光相比,精細霧化拋光的去除速率和表面粗糙度與傳統(tǒng)拋光相近,但所用拋光液量約為傳統(tǒng)拋光的1/8,大大提高了拋光液的利用率。

產(chǎn)品用途分析：珍珠巖磨料主要用于電視機玻殼、電腦顯示屏、光學玻璃儀器及玻璃工藝飾品的拋光。在某些計算機顯示屏生產(chǎn)中，為了降低顯示屏表面的反光度，保護操作人員的視力，需要對顯示屏玻殼表面進行打磨。電腦顯示屏玻殼的摩氏硬度一般在6.8一7.0之間，珍珠巖的摩氏硬度為5一6，硬度中等，非常適于玻殼的研磨。將珍珠巖磨料加到玻屏表面在打磨機上施加一定的壓力，與砂紙一起對玻屏表面進行機械打磨，使玻殼表面的光澤度達到適當?shù)某潭??！局行艗伖饽チ稀酷愪X石榴石(YAG)是一種應用廣泛的硬脆難加工材料,其拋光過程工藝復雜、效率低。固結磨料拋光技術具有平坦化能力優(yōu)、對工件形貌選擇性高、磨料利用率高等優(yōu)點。試驗采用固結磨料拋光YAG晶體,研究固結磨料墊的基體硬度和金剛石磨粒尺寸對YAG晶體的材料去除率和表面質(zhì)量的影響。結果表明:當基體硬度適中為Ⅱ、金剛石磨粒尺寸3～5μm時,固結磨料拋光YAG晶體效果優(yōu),其材料去除率為255 nm/min,表面粗糙度S_a值為1.79 nm。