對(duì)InP晶片進(jìn)行了集群磁流變拋光實(shí)驗(yàn),研究了拋光過(guò)程中磨料參數(shù)（類(lèi)型、質(zhì)量分?jǐn)?shù)和粒徑）對(duì)InP材料去除速率和表面粗糙度的影響。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明,InP晶片的去除速率隨磨料硬度的增加而變大,表面粗糙度受磨料硬度和密度的綜合影響;在選取的金剛石、SiC、Al2O3和SiO2等4種磨料中,使用金剛石磨料的InP去除速率,使用SiC磨料的InP拋光后的表面質(zhì)量。隨著SiC質(zhì)量分?jǐn)?shù)的增加,InP去除速率逐漸增加,但表面粗糙度先減小后增大。當(dāng)使用質(zhì)量分?jǐn)?shù)4%、粒徑3μm的SiC磨料對(duì)InP晶片進(jìn)行拋光時(shí),InP去除速率達(dá)到2.38μm/h,表面粗糙度從原始的33 nm降低到0.84 nm。

聚焦超聲換能器的使用特點(diǎn),提出了一種新型磨料流拋光加工方法,即采用凹球殼聚焦超聲振動(dòng)的方式在拋光液中產(chǎn)生聚焦磨料流拋光光學(xué)材料。先對(duì)聚焦超聲振動(dòng)換能器的聲壓場(chǎng)進(jìn)行了測(cè)量,證明了聲壓場(chǎng)具有顯著的聚焦特性,其中聲壓的值出現(xiàn)在焦距90 mm處;然后設(shè)計(jì)實(shí)驗(yàn),利用該裝備對(duì)碳化硅試件進(jìn)行了拋光。結(jié)果表明:這一方法可以對(duì)光學(xué)材料進(jìn)行拋光處理,不僅可以降低表面粗糙度和提高表面質(zhì)量,而且系統(tǒng)結(jié)構(gòu)比傳統(tǒng)的磨料水射流拋光系統(tǒng)更加簡(jiǎn)單,沒(méi)有管路、噴嘴損耗等。

應(yīng)用空間圓弧和空間樣條曲線兩種規(guī)則曲線的插補(bǔ)算法,對(duì)多自由度磨料水射流噴嘴在笛卡爾坐標(biāo)系中拋光異型陶瓷零件進(jìn)行路徑規(guī)劃。通過(guò)建立理想狀態(tài)下的微細(xì)磨料水射流射流束拋光數(shù)學(xué)模型,采用矢量法對(duì)復(fù)雜的運(yùn)動(dòng)軌跡利用圓弧和樣條曲線來(lái)逼近,在MATLAB軟件環(huán)境下建立了磨料水射流復(fù)雜曲面的拋光運(yùn)動(dòng)數(shù)學(xué)模型,并對(duì)其進(jìn)行數(shù)值模擬。模擬結(jié)果表明,運(yùn)動(dòng)數(shù)學(xué)模型所得到的運(yùn)動(dòng)軌跡符合射流束拋光要求,從而證明了該模型的有效性和先進(jìn)性,為深入研究微細(xì)磨料水射流拋光軌跡優(yōu)化提供了重要的理論基礎(chǔ)。 基于溶膠-凝膠法所制備而成的生物高分子柔性拋光膜在晶圓拋光加工過(guò)程中具有高精度、低損傷等優(yōu)點(diǎn)。但由于金剛石是由共價(jià)鍵結(jié)合而成的晶體,它與生物高分子材料結(jié)合較差,導(dǎo)致在加工過(guò)程中會(huì)出現(xiàn)磨料脫落等問(wèn)題,因此如何提高磨料與基體的界面結(jié)合以及如何測(cè)量磨料與基體的界面結(jié)合強(qiáng)度成為目前所需要解決的關(guān)鍵問(wèn)題。本文采用了兩種界面結(jié)合強(qiáng)度的測(cè)量表征方法,并基于兩種測(cè)量方式評(píng)價(jià)了不同的表面處理方式對(duì)于界面結(jié)合強(qiáng)度的影響,考慮了添加偶聯(lián)劑、鍍覆金屬鈦、鍍覆金屬鈦后表面氧化、涂覆羥基氧化鐵等表面處理方式的影響,同時(shí)研究了磨料粒度對(duì)界面結(jié)合強(qiáng)度的影響。種方法是直接拉拔法,通過(guò)粘結(jié)劑將金剛石磨料直接從生物高分子基體中拉拔出,測(cè)定拉拔時(shí)所需要的拉拔力,并測(cè)定磨料與基體的接觸面積,從而計(jì)算得到磨料與基體的界面結(jié)合強(qiáng)度。第二種方法是基于拋光膜的拉伸強(qiáng)度來(lái)表征磨料與基體的界面結(jié)合強(qiáng)度,通過(guò)分析可以知道,磨料與基體的界面結(jié)合強(qiáng)度變化會(huì)直接導(dǎo)致生物高分子基體材料的拉伸強(qiáng)度發(fā)生變化,因此本論文嘗試使用拋光膜的拉伸強(qiáng)度來(lái)直接表征磨料與基體的界面結(jié)合強(qiáng)度。通過(guò)直接拉拔法對(duì)磨料與基體的界面結(jié)合強(qiáng)度進(jìn)行測(cè)量,發(fā)現(xiàn)隨著磨料粒度的增大...

為了提高微晶玻璃化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)的材料去除速率(MRR),降低其表面粗糙度,利用自制的拋光液對(duì)微晶玻璃進(jìn)行化學(xué)機(jī)械拋光,研究了4種含不同磨料(Si O2、Al2O3、Fe2O3、Ce O2)的拋光液對(duì)微晶玻璃化學(xué)機(jī)械拋光MRR和表面粗糙度的影響.利用納米粒度儀檢測(cè)拋光液中磨料的粒徑分布和Zeta電位,利用原子力顯微鏡觀察微晶玻璃拋光前后的表面形貌.實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明,在相同條件下,采用Ce O2作為磨料進(jìn)行化學(xué)機(jī)械拋光時(shí)可以獲得的表面質(zhì)量,拋光后材料的表面粗糙度Ra=0.4 nm,MRR=100.4 nm/min.進(jìn)一步研究了拋光液中不同質(zhì)量分?jǐn)?shù)的Ce O2磨料對(duì)微晶玻璃化學(xué)機(jī)械拋光的影響,結(jié)果表明,當(dāng)拋光液中Ce O2質(zhì)量分?jǐn)?shù)為7%時(shí),MRR達(dá)到185 nm/min,表面粗糙度Ra=1.9 nm;而當(dāng)拋光液中Ce O2質(zhì)量分?jǐn)?shù)為5%時(shí),MRR=100.4 nm/min,表面粗糙度Ra=0.4 nm.Ce O2磨料拋光后的微晶玻璃能獲得較低表面粗糙度和較高M(jìn)RR.