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igbt驅(qū)動(dòng)電路的簡(jiǎn)介

IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。

圖1所示為一個(gè)N 溝道增強(qiáng)型絕緣柵雙極晶體管結(jié)構(gòu)， N+ 區(qū)稱為源區(qū)，附于其上的電極稱為源極。N+ 區(qū)稱為漏區(qū)。器件的控制區(qū)為柵區(qū)，附于其上的電極稱為柵極。溝道在緊靠柵區(qū)邊界形成。在漏、源之間的P 型區(qū)（包括P+ 和P 一區(qū)）（溝道在該區(qū)域形成），稱為亞溝道區(qū)（ Subchannel region ）。而在漏區(qū)另一側(cè)的P+ 區(qū)稱為漏注入?yún)^(qū)（ Drain injector ），它是IGBT 特有的功能區(qū)，與漏區(qū)和亞溝道區(qū)一起形成PNP 雙極晶體管，起發(fā)射極的作用，向漏極注入空穴，進(jìn)行導(dǎo)電調(diào)制，以降低器件的通態(tài)電壓。附于漏注入?yún)^(qū)上的電極稱為漏極。

IGBT的開關(guān)作用是通過加正向柵極電壓形成溝道，給PNP 晶體管提供基極電流，使IGBT 導(dǎo)通。反之，加反向門極電壓消除溝道，切斷基極電流，使IGBT 關(guān)斷。IGBT 的驅(qū)動(dòng)方法和MOSFET 基本相同，只需控制輸入極N一溝道MOSFET ，所以具有高輸入阻抗特性。當(dāng)MOSFET 的溝道形成后，從P+ 基極注入到N 一層的空穴（少子），對(duì)N 一層進(jìn)行電導(dǎo)調(diào)制，減小N 一層的電阻，使IGBT 在高電壓時(shí)，也具有低的通態(tài)電壓。

MOS管驅(qū)動(dòng)廠家——瑞泰威

簡(jiǎn)要介紹了MOS管的驅(qū)動(dòng)。

MOSFET由于具有較低的內(nèi)阻導(dǎo)通量和較高的開關(guān)速度而廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源。驅(qū)動(dòng)MOSFET通常是根據(jù)電源IC和MOSFET參數(shù)選擇合適的電路。用MOSFET設(shè)計(jì)開關(guān)電源時(shí)，大多數(shù)人會(huì)考慮MOSFET的導(dǎo)通電阻，電壓，電流。

深圳市瑞泰威科技有限公司是國(guó)內(nèi)IC電子元器件的代理銷售企業(yè)，專業(yè)從事各類驅(qū)動(dòng)IC、存儲(chǔ)IC、傳感器IC、觸摸IC銷售，品類齊全，具備上百個(gè)型號(hào)。

與國(guó)內(nèi)外的東芝、恩智浦、安森美、全宇昕、上海晶準(zhǔn)等均穩(wěn)定合作，保證產(chǎn)品的品質(zhì)和穩(wěn)定供貨。

東芝——?TB9058FNG芯片

該新IC通過外部LIN總線接收電機(jī)轉(zhuǎn)動(dòng)目標(biāo)的位置數(shù)據(jù)，然后驅(qū)動(dòng)電機(jī)至目標(biāo)位置。

因?yàn)檫@款I(lǐng)C具有H橋電機(jī)驅(qū)動(dòng)器的硬件邏輯和帶增強(qiáng)校驗(yàn)和[1]的LIN通信功能，所以無(wú)需軟件開發(fā)。它能夠檢測(cè)過壓、過流和過溫，防止異常工作狀況。

該新IC的工作溫度范圍是-40到125℃，符合汽車應(yīng)用要求并將通過AEC-Q100認(rèn)證。

主要特性

? 全硬件邏輯，簡(jiǎn)化控制；

-無(wú)需軟件開發(fā)。LIN通信控制電機(jī)。

?為車載空調(diào)風(fēng)門控制驅(qū)動(dòng)器提供行業(yè)下限水平[2]導(dǎo)通電阻與功耗；

-導(dǎo)通電阻（高+低）：2.2Ω（典型值）

-功耗：低于10μA（休眠模式）

?一條總線頂多可連接16個(gè)從節(jié)點(diǎn)；

-用開關(guān)引腳可設(shè)置16個(gè)節(jié)點(diǎn)ID。

?帶有標(biāo)志輸出的多項(xiàng)異常檢測(cè)功能。

-檢測(cè)過壓、過流和過溫。

主要應(yīng)用

車載空調(diào)風(fēng)門控制驅(qū)動(dòng)器。