進(jìn)口微差壓變送器、美國微差壓變送器

產(chǎn)品概述/Product Overview:

       壓差變送器美國texas進(jìn)口硅芯片，壓力傳感器技術(shù)與專利封裝工藝，精心研制出的一款國際*技術(shù)的超高性能壓力變送器，測量精度高達(dá)0.075級，特有的雙過載保護(hù)膜設(shè)計(jì)，單向過壓高達(dá)40MPa

       智能單晶硅壓力變送器采用美國texas*進(jìn)的單晶硅壓力傳感器技術(shù)與專利封裝工藝，精心研制出的一款國際*技術(shù)的超高性能壓力變送器。單晶硅壓力傳感器位于金屬本體最頂部，遠(yuǎn)離介質(zhì)接觸面，實(shí)現(xiàn)機(jī)械隔離和熱隔離；玻璃燒結(jié)一體的傳感器引線實(shí)現(xiàn)了與金屬基體的高強(qiáng)度電氣絕緣，提高了電子線路的靈活性能與耐瞬變電壓保護(hù)的能力。這些*的單晶硅壓力傳感器封裝技術(shù)確保了Focp(智能)單晶硅壓力變送器可從容應(yīng)對*的化學(xué)場合和機(jī)械負(fù)荷，同時(shí)具備極強(qiáng)的抗電磁干擾能力，足以應(yīng)對最為苛刻的工業(yè)環(huán)境應(yīng)用，是名副其實(shí)的隱形儀表。

1、性能測試標(biāo)準(zhǔn)及基準(zhǔn)條件測試標(biāo)準(zhǔn)：GB/T28474/IEC60770；基準(zhǔn)條件：從零點(diǎn)開始的量程；硅油充液，316L不銹鋼隔離膜片，4-20mA模擬輸出，端基微調(diào)至設(shè)定值

2、性能指標(biāo)總體性能包括并不限于【參考精度】、【環(huán)境溫度影響】、【靜壓影響 】、和其它影響的綜合誤差 典型精度：±0.075%量程上限 年穩(wěn)定性：±0.2%量程上限/5年

3、參考精度依據(jù)標(biāo)準(zhǔn)和測試基準(zhǔn)條件，包括線性（BFSL）、遲滯、重復(fù)性。校準(zhǔn)溫度：20℃±5℃