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IGBT的驅(qū)動電路特點（一）

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動電流較大；MOSFET驅(qū)動功率很小，開關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點，驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域。

輸出特性與轉(zhuǎn)移特性：

IGBT的伏安特性是指以柵極電壓VGE為參變量時，集電極電流IC與集電極電壓VCE之間的關(guān)系曲線。IGBT的伏安特性與BJT的輸出特性相似，也可分為飽和區(qū)I、放大區(qū)II和擊穿區(qū)III三部分。IGBT作為開關(guān)器件穩(wěn)態(tài)時主要工作在飽和導(dǎo)通區(qū)。IGBT的轉(zhuǎn)移特性是指集電極輸出電流IC與柵極電壓之間的關(guān)系曲線。它與MOSFET的轉(zhuǎn)移特性相同，當柵極電壓VGE小于開啟電壓VGE(th)時，IGBT處于關(guān)斷狀態(tài)。在IGBT導(dǎo)通后的大部分集電極電流范圍內(nèi)，IC與VGE呈線性關(guān)系。

IGBT與MOSFET的對比：

MOSFET全稱功率場效應(yīng)晶體管。它的三個極分別是源極(S)、漏極(D)和柵極(G)。

主要優(yōu)點：熱穩(wěn)定性好、安全工作區(qū)大。

缺點：擊穿電壓低，工作電流小。

什么叫液晶顯示屏的電力學(xué)特點

電力學(xué)特點：液晶顯示屏分子結(jié)構(gòu)為長細桿狀構(gòu)造，增加軸方位有旋光性(Dipole)，也就是這個分子結(jié)構(gòu)的一端帶正電荷一端帶負電荷，因此大家對這一液晶顯示屏分子結(jié)構(gòu)加工作電壓能夠使它產(chǎn)生偏移。

如下圖試驗，2個平行面玻璃正中間添加液晶顯示屏，兩邊再加工作電壓，當【不用工作電壓】和【加工作電壓】時，液晶顯示屏分子結(jié)構(gòu)會各自【躺】在玻璃上或【站】在玻璃上。

電源是所有電子產(chǎn)品的能量來源，沒有電源，就沒有更好的用戶體驗。在芯片選擇階段，研發(fā)工程師必須正確估計整個產(chǎn)品的功率消耗，才能決定選擇哪種電源芯片。

在嵌入式領(lǐng)域，常用的電壓有DC12V、DC5V、DC3.3V，一個嵌入式控制板的總體功耗可能不會很大，電源芯片提供的電流在1A以內(nèi)。因此市場上大多數(shù)主流電源芯片的輸出電流都不會太大，比如經(jīng)典7805系列電源芯片在加入散熱片后輸出電流上限為1.5A,LM2596輸出上限電流為3A。至于更高一點的電流，在選擇時可能會有一點點困難。