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電光調(diào)制器

電光調(diào)制器是利用某些晶體材料在外加電場的作用下所產(chǎn)生的電光效應而制成的器件。常用的有兩種方式：一種是加在晶體上的電場方向與通光方向平行，稱縱向電光效應（也稱為縱向運用）；另一種是通光方向與所加電場方向相垂直，稱橫向電光效應（也稱為橫向運用）。

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電光調(diào)制器系列

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850nm電光強度調(diào)制器KG-AM系列850nm鈮酸鋰電光強度調(diào)制器采用先進的質(zhì)子交換工藝，具有低插入損耗、高調(diào)制帶寬、低半波電壓等特點，主要用于空間光通信系統(tǒng)、銫原子時間基準、脈沖發(fā)生器等領(lǐng)域。

1064nm雙M-Z串聯(lián)強度調(diào)制器     

LiNbO3強度調(diào)制器具有良好的電光效應，廣泛應用于高速光通信系統(tǒng)、激光傳感和ROF系統(tǒng)中?；贛Z推拉結(jié)構(gòu)和X切設計的KG-AM系列具有穩(wěn)定的理化性能，可應用于實驗室實驗和工業(yè)系統(tǒng)。

高消光比電光強度調(diào)制器

KG-AM-HER系列高消光比電光強度調(diào)制器基于M-Z推挽結(jié)構(gòu)，具有較低的半波電壓和穩(wěn)定的物理化學特性，采用特定工藝保證了器件具有高的DC消光比，且器件具有較高的響應速率，因而被廣泛的應用于光脈沖發(fā)生器、激光雷達、光纖傳感等領(lǐng)域。

電光調(diào)制器的應用

在電通信系統(tǒng)中,原始率數(shù)字信號電平的峰-峰值只有0.8V。因為數(shù)據(jù)率大于2.5Gb/s的鈮酸鋰調(diào)制器的半波電壓(Vp)較高，故都需要用驅(qū)動器來推動調(diào)制器。驅(qū)動器不僅要有很寬的工作頻帶，并且要能提供足夠大的微波輸出功率。例如：對于10Gb/s、Vp=5.5V的調(diào)制器，需要驅(qū)動器具有75KHz 到8GHz的工作頻帶及20dBm(100mW)的1dB輸出功率。制作率的驅(qū)動器是非常困難的，因此制作具有低Vp的調(diào)制器是很受歡迎的。

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