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?為什么需要MOSFET驅(qū)動(dòng)器？

要驅(qū)動(dòng)大容量MOSFET需要提供短時(shí)瞬間大電流，并在溝道開通后維持合適的柵源電壓(10～15V)，如果用普通控制芯片或單片機(jī)直接驅(qū)動(dòng)，輸出電流不夠，輸出電壓也沒有這么高，所以需要驅(qū)動(dòng)器抄。有些控制芯片如UCC28C43自身集成了驅(qū)動(dòng)器，可以直接驅(qū)動(dòng)小容量MOSFET。

MOSFET不需要電流zhidao，是因?yàn)闇系篱_通后，不需要像BJT那樣必須維持一個(gè)基極電流Ib，但在溝道從關(guān)閉到到開通前，必須用瞬態(tài)大電流給MOSFET柵極電容充電。

深圳市瑞泰威科技有限公司是國(guó)內(nèi)IC電子元器件的代理銷售企業(yè)，專業(yè)從事各類驅(qū)動(dòng)IC、存儲(chǔ)IC、傳感器IC、觸摸IC銷售，品類齊全，具備上百個(gè)型號(hào)。與國(guó)內(nèi)外的東芝、恩智浦、安森美、全宇昕、上海晶準(zhǔn)等均穩(wěn)定合作，保證產(chǎn)品的品質(zhì)和穩(wěn)定供貨。自公司成立以來(lái)，飛速發(fā)展，產(chǎn)品已涵蓋了工控類IC、光通信類IC、無(wú)線通信IC、消費(fèi)類IC等行業(yè)。

igbt驅(qū)動(dòng)電路的簡(jiǎn)介

IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。

圖1所示為一個(gè)N 溝道增強(qiáng)型絕緣柵雙極晶體管結(jié)構(gòu)， N+ 區(qū)稱為源區(qū)，附于其上的電極稱為源極。N+ 區(qū)稱為漏區(qū)。器件的控制區(qū)為柵區(qū)，附于其上的電極稱為柵極。溝道在緊靠柵區(qū)邊界形成。在漏、源之間的P 型區(qū)（包括P+ 和P 一區(qū)）（溝道在該區(qū)域形成），稱為亞溝道區(qū)（ Subchannel region ）。而在漏區(qū)另一側(cè)的P+ 區(qū)稱為漏注入?yún)^(qū)（ Drain injector ），它是IGBT 特有的功能區(qū)，與漏區(qū)和亞溝道區(qū)一起形成PNP 雙極晶體管，起發(fā)射極的作用，向漏極注入空穴，進(jìn)行導(dǎo)電調(diào)制，以降低器件的通態(tài)電壓。附于漏注入?yún)^(qū)上的電極稱為漏極。

IGBT的開關(guān)作用是通過(guò)加正向柵極電壓形成溝道，給PNP 晶體管提供基極電流，使IGBT 導(dǎo)通。反之，加反向門極電壓消除溝道，切斷基極電流，使IGBT 關(guān)斷。IGBT 的驅(qū)動(dòng)方法和MOSFET 基本相同，只需控制輸入極N一溝道MOSFET ，所以具有高輸入阻抗特性。當(dāng)MOSFET 的溝道形成后，從P+ 基極注入到N 一層的空穴（少子），對(duì)N 一層進(jìn)行電導(dǎo)調(diào)制，減小N 一層的電阻，使IGBT 在高電壓時(shí)，也具有低的通態(tài)電壓。

半橋全橋驅(qū)動(dòng)電路的作用是什么？

半橋全橋復(fù)的驅(qū)動(dòng)電路是使功率管產(chǎn)生交流制電的觸發(fā)信號(hào)，并不是將交流信號(hào)變直流信號(hào)。百即使單片度機(jī)可以輸出直流信號(hào)，但是它問(wèn)的驅(qū)動(dòng)能力也是有限的，所以單片機(jī)一般做驅(qū)動(dòng)答信號(hào)，驅(qū)動(dòng)大的功率管，來(lái)產(chǎn)生大電流從而才能驅(qū)動(dòng)電機(jī)。

瑞泰威主營(yíng)業(yè)務(wù)為:驅(qū)動(dòng)IC、存儲(chǔ)IC、觸摸IC等電子元器件產(chǎn)品，產(chǎn)品型號(hào)齊全，能夠滿足您不同性能需求的電子元器件產(chǎn)品。生產(chǎn)之后，經(jīng)過(guò)嚴(yán)密測(cè)試分析流程才出貨，保持和提高產(chǎn)品可靠性，月出貨量100萬(wàn)PCS。