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制備氮化硅陶瓷制品的工藝流程一般由原料處理、粉體合成、粉料處理、成形、生坯處理，燒結(jié)和陶瓷體處理等環(huán)節(jié)組成。

氮化硅陶瓷制備工藝的類型主要是按合成、成型和燒結(jié)的不同方法和次序區(qū)分的。

陶瓷常用的成型方法有干壓、流延以及注射，其中干壓成型是應(yīng)用廣泛的一種成型工藝，也是手機(jī)陶瓷背板主流的成型工藝之一，小米MIX系列的陶瓷后蓋都是干壓成型的。今天，我們來詳細(xì)了解一下陶瓷干壓成型工藝。

氮化硅結(jié)合碳化硅磚是指用SiC和Si為原料，經(jīng)氮化燒成的耐火制品。其特點(diǎn)是以Si3N4為結(jié)合劑。Si3N4以針狀或纖維狀結(jié)晶存在于SiC晶粒之間，是一種重要的新型耐火材料。一般含碳化硅70%～75%，氮化硅18%～25%。具有良好抗腐蝕能力，1400℃抗折強(qiáng)度達(dá)50～55MPa，顯氣孔率15%。熱膨脹系數(shù)(4.5～5.0)×10-2℃-1。采用高溫?zé)煞ㄖ苽?。主要用于高爐風(fēng)口、鋁電解槽內(nèi)襯等。

常壓燒結(jié)法（ PLS)

在提高燒結(jié)氮?dú)夥諌毫Ψ矫?，利用Si3N4 分解溫度升高（通常在N2 = 1atm氣壓下，從1800℃開始分解）的性質(zhì)，在1700———1800℃溫度范圍內(nèi)進(jìn)行常壓燒結(jié)后，再在1800———2000℃溫度范圍內(nèi)進(jìn)壓燒結(jié)。該法目的在于采用氣壓能促進(jìn)Si3N4 陶瓷組織致密化，從而提高陶瓷的強(qiáng)度.所得產(chǎn)品的性能比熱壓燒結(jié)略低。這種方法的缺點(diǎn)與熱壓燒結(jié)相似。