廠凈化除味臭氧發(fā)生器屠宰場(chǎng)臭氧發(fā)生器大型臭氧發(fā)生器魚類臭氧發(fā)生器
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品牌 大型臭氧發(fā)生器
加工定制
貨號(hào) 19932888939
規(guī)格 15930889370
殺菌率 99.99
滅藻率 99.99
電壓 220V
功率 1000W
商品介紹

臭氧發(fā)生器

        臭氧發(fā)生器是用于制取臭氧氣體(O3)的裝置。臭氧易于分解無法儲(chǔ)存,需現(xiàn)場(chǎng)制取現(xiàn)場(chǎng)使用(特殊的情況下可進(jìn)行短時(shí)間的儲(chǔ)存),所以凡是能用到臭氧的場(chǎng)所均需使用臭氧發(fā)生器。臭氧發(fā)生器在飲用水,污水,工業(yè)氧化,食品加工和保鮮,醫(yī)藥合成,空間滅菌等領(lǐng)域廣泛應(yīng)用。 臭氧發(fā)生器產(chǎn)生的臭氧氣體可以直接利用,也可以通過混合裝置和液體混合參與反應(yīng)。

原理

獲得方法
利用高壓電離(或化學(xué)、光化學(xué)反應(yīng)),使空氣中的部分氧氣分解聚合為臭氧,是氧的同素異形轉(zhuǎn)變過程;亦可利用電解水法獲得。臭氧的不穩(wěn)定性使其很難實(shí)現(xiàn)瓶裝貯存 ,一般只能利用臭氧發(fā)生器現(xiàn)場(chǎng)生產(chǎn),隨產(chǎn)隨用。 臭氧發(fā)生器的分類 按臭氧產(chǎn)生的方式劃分,臭氧發(fā)生器主要有三種:一是高壓放電式,二是紫外線照射式,三是電解式。

電路

臭氧發(fā)生器電路由三極管VT1、VT2與電感線圈L1一13、脈沖變壓器T、限流電阻器R1、充電電容器C3,雙向觸發(fā)二極管叨5等組成推挽振蕩電路;濾波電感線圈L0,整流二極管VD1與濾波電容器C1、C2等組成半波整流濾波電路。 接通電源,交流220V電壓經(jīng)LO濾波,VD1整流后,在C1兩端產(chǎn)生十280V左右的電壓,供給推挽振蕩電路。 在開機(jī)瞬間,VT1導(dǎo)通。由于C3的充電作用,雙向觸發(fā)二極管VD5截止。當(dāng)C3兩端的充電電壓升至32V時(shí),VD5被觸發(fā)而導(dǎo)通,使VT2導(dǎo)通。在VT2導(dǎo)通期間,C3逐漸放電,又使VT2截止。VTl導(dǎo)通后,在脈沖變壓器T的作用下,L1、L2上產(chǎn)生正反饋電壓,此電壓分別加至VTl和VT2的基極,使VTl和VT2交替導(dǎo)通與截止(即VTl導(dǎo)通時(shí),VT2截止;VT2導(dǎo)通時(shí),VTl截止),推挽振蕩電路振蕩工作。 推挽振蕩電路工作后,在脈沖變壓器T的二次側(cè)繞組L6上產(chǎn)生脈沖高壓,使臭氧發(fā)生片VG工作,產(chǎn)生臭氧。
同時(shí),發(fā)光二極管VD7也點(diǎn)亮工作。 元器件選擇 VTl、VT2選用2SC2653或BU406型硅NPN高反壓三極管。要求電流放大系數(shù)β>100。 VDl一VD4、VD6選用1 N4007型整流二極管;VD5選用DB3型雙向觸發(fā)二極管。 R1一R6全部選用RJ一1/8W型金屬膜電阻器。 L0為5mH的磁心電感線圈,可用Φ0.25mm的漆包線在骨架上繞210匝;L1一璐用Φ0.2mm的單心塑銅線在同一磁環(huán)上繞制而成,其中L1、L2分別繞3匝,L3繞9匝。脈沖變壓器T可使用14in(英寸)黑白電視機(jī)行輸出變壓器改制,改制時(shí)用高壓包作為L(zhǎng)6,在低壓包骨架上用Φ0.45mm的漆包線繞168匝作為L(zhǎng)4,用Φ0.23mm的漆包線繞4匝作為L(zhǎng)5(在最外層繞制)。 臭氧發(fā)生片VG選用Z二10或Z一15、Z一20等型號(hào)。 制作與調(diào)試 除臭氧發(fā)生片VG外所有電子元器件安裝在一塊自制的印制電路板上,并將其裝人大小合適的塑料或木制盒內(nèi)。在盒面開孔固定發(fā)光二極管VD7,接上臭氧發(fā)生片VG,只要元器件良好、接線無誤,通電即能正常工作。
發(fā)生器與放電管
臭氧系統(tǒng)的核心技術(shù)和設(shè)備是發(fā)生器中的放電管,直接影響設(shè)備的運(yùn)行效率和可靠性。臭氧發(fā)生器采用微間隙介質(zhì)阻擋放電設(shè)計(jì),不僅大大提高了運(yùn)行的效率,而且增加了系統(tǒng)連續(xù)運(yùn)行的安全可靠性。設(shè)備的技術(shù)參數(shù)已經(jīng)達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水平。
由于采用微間隙放電技術(shù),使系統(tǒng)運(yùn)行電壓降低為6-8 kV,遠(yuǎn)低于玻璃管絕緣介質(zhì)的耐壓水平,有效地避免了介質(zhì)擊穿短路故障的發(fā)生,提高了運(yùn)行可靠性。
臭氧發(fā)生器放電單元所采用的模塊化設(shè)計(jì)方法,使設(shè)備的安裝,檢修和維護(hù)工作更加容易。在保證進(jìn)氣氣源質(zhì)量的條件下,臭氧發(fā)生器放電單元連續(xù)運(yùn)行的免維護(hù)時(shí)間可以長(zhǎng)達(dá)5年。
高頻高壓電源
與傳統(tǒng)的臭氧中頻 (<1kHz) 電源不同,高頻高壓臭氧系統(tǒng)采用3-6kHz的高頻電源技術(shù),結(jié)合微放電間隙設(shè)計(jì)可以有效提高臭氧生成的效率,減小發(fā)生器的體積和占地空間,從而減少土建設(shè)計(jì)及投資費(fèi)用。逆變電源系統(tǒng)采用成熟的高頻電源技術(shù),現(xiàn)場(chǎng)長(zhǎng)期運(yùn)行證明可以保證系統(tǒng)長(zhǎng)期運(yùn)行的穩(wěn)定性。高頻輸出經(jīng)升壓系統(tǒng)后產(chǎn)生正弦波高電壓,經(jīng)電纜與發(fā)生器相連,在高頻高壓的作用下,放電間隙產(chǎn)生冷態(tài)等離子體放電生成臭氧。

冷卻系統(tǒng)

雖然現(xiàn)代臭氧發(fā)生器的效率與傳統(tǒng)產(chǎn)品相比已經(jīng)明顯提高,但有90%左右的電能不是用來生成臭氧而是轉(zhuǎn)變成熱量,如果這部分熱量得不到有效的散失,臭氧發(fā)生器放電間隙的溫度會(huì)持續(xù)升高甚至超過設(shè)計(jì)的運(yùn)行溫度。高溫不利于臭氧的產(chǎn)生但利于臭氧的分解,導(dǎo)致臭氧產(chǎn)量和濃度下降。我們?cè)O(shè)計(jì)單循環(huán)冷卻水單元;當(dāng)冷卻水溫度超過系統(tǒng)設(shè)計(jì)溫度或水量不足時(shí),系統(tǒng)會(huì)自動(dòng)發(fā)出報(bào)警信號(hào)。

參數(shù)

臭氧濃度
臭氧為混合氣體其濃度通常按質(zhì)量比和體積比來表示。質(zhì)量比是指單位體積內(nèi)混合氣體中含有多少質(zhì)量的臭氧,常用單位mg/L、mg/m3或g/m3等表示。體積比是指單位體積內(nèi)臭氧所占的體積含量或百分比含量,使用百分比表示如2%、5%、12%等。衛(wèi)生行業(yè)常用ppm表示臭氧濃度,即每立方臭氧混合氣體中臭氧占該體積的百萬(wàn)分之一為1ppm。臭氧濃度是衡量臭氧發(fā)生器技術(shù)含量和性能的重要指標(biāo)。同等的工況條件下臭氧輸出濃度越高其品質(zhì)度就越高。
影響臭氧濃度的主要因素有
1、臭氧發(fā)生器的結(jié)構(gòu)和加工精度;
2、冷卻方式和條件;
3、驅(qū)動(dòng)電壓和驅(qū)動(dòng)頻率;
4、介電體材料;
5、原料氣體中氧的含量及潔凈和干燥度。
6、發(fā)生器電源系統(tǒng)的效率(效率高,熱量轉(zhuǎn)化少。);
臭氧是一種氧化性極強(qiáng)的不穩(wěn)定氣體,臭氧輸出濃度受多種因素的影響,其中腔體溫度是極重要的因素之一;臭氧在30度左右時(shí)會(huì)在1分鐘內(nèi)衰減一半。在 40~50℃ 時(shí)衰減達(dá)到80%。超過60℃臭氧會(huì)馬上分解。
臭氧產(chǎn)量是指臭氧發(fā)生器單位時(shí)間內(nèi)臭氧的產(chǎn)出量;臭氧濃度數(shù)值與進(jìn)入臭氧發(fā)生器總氣量數(shù)值的乘積即為臭氧產(chǎn)量;通常使用mg/h,g/h,kg/h這些單位表示。臭氧發(fā)生器標(biāo)準(zhǔn)中規(guī)定臭氧發(fā)生器規(guī)格型號(hào)使用臭氧產(chǎn)量表示和區(qū)分。小型臭氧發(fā)生器使用g/h為單位,大型臭氧發(fā)生器使用kg/h為單位區(qū)分規(guī)格的大小。


研究進(jìn)展

1放電式臭氧發(fā)生器
為了改善放電狀況、提高放電效率,人們研究了如線狀、刷狀、螺線狀、網(wǎng)狀、水不同形式的電極。且放電形式局限于無聲、脈沖流注、電暈、沿面、無聲-沿面混合及輝光放電等形式。
無聲放電(即介質(zhì)阻擋放電)的電介質(zhì)是無聲放電臭氧發(fā)生器的重要組成,其作用為強(qiáng)化氣隙的電場(chǎng)強(qiáng)度以利于產(chǎn)生放電;防止氣隙擊穿,同時(shí)減小功率消耗;使氣隙的電場(chǎng)均勻,擴(kuò)大放電區(qū)域,利于臭氧的產(chǎn)生。一般而言,電介質(zhì)的介電系數(shù)越高,導(dǎo)熱性能越好越利于產(chǎn)生臭氧。臭氧發(fā)生器所用的電介質(zhì)主要有石英玻璃、陶瓷、搪瓷、有機(jī)材料等多種類型。
1)陶瓷、搪瓷a)高純度的氧化鋁陶瓷熔點(diǎn)高、機(jī)械強(qiáng)度大、擊穿電壓高、耐化學(xué)腐蝕能力強(qiáng)、熱導(dǎo)率較高。近年來,電介質(zhì)層材料及加工工藝成為介質(zhì)阻擋強(qiáng)電離放電的關(guān)鍵技術(shù),用等離子體噴涂或貼冶方法,在400~1600cm2的放電極和接地極表面上形成密實(shí)的α型Al2O3材料的極薄的電介質(zhì)層,具有高強(qiáng)度、高密度、高絕緣度、高介電常數(shù)、高均勻度、低矯曲度和低損耗等特點(diǎn)。采用該技術(shù)可達(dá)到的相關(guān)參數(shù)為:臨界擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度E≥400kV/cm;相對(duì)介電常數(shù)ε≥10;體積電阻率ρ≥1015Ψcm;介電損耗tanδ<3.9×10-4;體積密度n≥3.8g/cm3;導(dǎo)熱率λ≥21W/(Km);熱膨脹系數(shù)(6.5~7.5)×10-6mm/°C;表面粗糙度0.25~0.5μm;吸水率趨于0;介質(zhì)厚度0.1mm;電介質(zhì)最大面積<1600cm2。
劉維良等人為提高陶瓷基板材料的ε,降低材料的tanδ和使材料有較高的熱導(dǎo)率研究了不同摻雜方法[7],制備的樣品參數(shù)為密度n=3.97g/cm3,ε=12.98,tanδ=2.00×10-4,λ=23.0W/mk。岳朝松等人為試驗(yàn)不同的電介質(zhì)對(duì)臭氧產(chǎn)生的影響,分別選取石英玻璃(ε=4.2)、鎂橄欖石(ε=9)、α-Al2O3(ε=8.3)、ZrO2瓷(ε=12.0)、SiC瓷(ε=40.1)5種材料作為電介質(zhì),電介質(zhì)厚度0.3mm,電源頻率10kHz,電壓峰值9.4kV,分別測(cè)量臭氧發(fā)生器出口處臭氧的濃度,最終選擇0.25~0.4mm的α-Al2O3為電介質(zhì),單電極產(chǎn)生臭氧的質(zhì)量濃度達(dá)12~13g/m3。  鮑慈光等研究的(Sr,Ca)TiO3陶瓷材料和Sr-TiO3基摻雜陶瓷材料基料為67%的SrTiO3和29%的CaTiO3,摻雜料為BaTiO3、CaSiTiO3、TiO2、ZnO、Bi2O3,所得樣品性能較理想,其ε=88,U=10kV,tanδ=75.1×10-4,ρ=0.84GΨm。
b)搪瓷制造工藝簡(jiǎn)單、電氣強(qiáng)度高、介電常數(shù)較大、耐腐蝕能力較強(qiáng)。清華大學(xué)采用搪瓷材料作為介電體,制作了不同尺寸的單管搪瓷介電體臭氧發(fā)生器,同玻璃介電體的臭氧發(fā)生器對(duì)比試驗(yàn)。結(jié)果顯示,搪瓷材料的ε比玻璃高近1倍,用于臭氧發(fā)生器中將有較高的臭氧產(chǎn)量。SeminMA用硅酸鹽電絕緣搪瓷為介電體。
2)雙介質(zhì)組合材料(云母)
趙純等人采用一種使用鐵電球/云母片雙介質(zhì)的間隙結(jié)構(gòu),有一對(duì)平板電極和一個(gè)雙介質(zhì)層構(gòu)成。0.1mm厚的云母片放在下側(cè)電極上,中部留有直徑10mm圓洞1mm厚聚四氟乙烯絕緣板放在云母片上,直徑1.0~3.0mm的鐵電球FEB放置在板中央的圓洞中,εr=660的鐵電球和電源頻率f≥4kHz是產(chǎn)生臭氧的最優(yōu)條件。
Uchida,Takeji等也發(fā)明專利用多于兩層壓成薄片的云母片覆蓋在放電電極上作為接觸表面,可延長(zhǎng)臭氧發(fā)生器在高度潮濕條件下的壽命。3)有機(jī)高分子材料王飛等人用有機(jī)高分子材料作為介電體,介電管內(nèi)徑69mm,壁厚1.2mm,該材料為性能優(yōu)良的工程塑料,能在145°C下連續(xù)使用,具有優(yōu)異的電絕緣、延伸、尺寸穩(wěn)定、耐化學(xué)腐蝕、自熄、阻燃、自重輕、易增強(qiáng)、無毒、衛(wèi)生、能著色等特性。
3)有機(jī)高分子材料
王飛等人用有機(jī)高分子材料作為介電體,介電管內(nèi)徑69mm,壁厚1.2mm,該材料為性能優(yōu)良的工程塑料,能在145°C下連續(xù)使用,具有優(yōu)異的電絕緣、延伸、尺寸穩(wěn)定、耐化學(xué)腐蝕、自熄、阻燃、自重輕、易增強(qiáng)、無毒、衛(wèi)生、能著色等特性。
4)玻璃
近年來隨玻璃材料和燒結(jié)技術(shù)不斷進(jìn)步,國(guó)外很多臭氧發(fā)生器采用玻璃作為電介質(zhì)。
Takeichi,Hirotoshi等的專利所用的電介質(zhì)是蘇打玻璃,其Bi、Zn、Pb氧化物的質(zhì)量分?jǐn)?shù)分別為(10~90)%、(10~90)%、(0~40)%。還有線性膨脹系數(shù)與之相當(dāng)?shù)牧硪徊牧?其Bi、Zn、B、Si氧化物的質(zhì)量分?jǐn)?shù)分別為(20~30)%、(30~40)%、(15~25)%、(0~10)%。Murata,Takaty等又把這一薄層電介質(zhì)用樹脂浸透處理效果也較好。
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公司名稱 河北中鏈企通信息技術(shù)有限公司
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