北京賽米萊德貿(mào)易有限公司主營：光刻膠
NR9-3000PY光刻膠

五、曝光

在這一步中，將使用特定波長的光對覆蓋襯底的光刻膠進行選擇性地照射。光刻膠中的感光劑會發(fā)生光化學反應，從而使正光刻膠被照射區(qū)域（感光區(qū)域）、負光刻膠未被照射的區(qū)域（非感光區(qū)）化學成分發(fā)生變化。這些化學成分發(fā)生變化的區(qū)域，在下一步的能夠溶解于特定的顯影液中。

在接受光照后，正性光刻膠中的感光劑DQ會發(fā)生光化學反應，變?yōu)橐蚁┩?，并進一步水解為茚并羧酸（Indene-Carboxylic-Acid, CA），羧酸在堿性溶劑中的溶解度比未感光部分的光刻膠高出約100倍，產(chǎn)生的羧酸同時還會促進酚醛樹脂的溶解。利用感光與未感光光刻膠對堿性溶劑的不同溶解度，就可以進行掩膜圖形的轉移。

曝光方法：

a、接觸式曝光（Contact Printing）掩膜板直接與光刻膠層接觸。

b、接近式曝光（Proximity Printing）掩膜板與光刻膠層的略微分開，大約為10～50μm。

c、投影式曝光（Projection Printing）。在掩膜板與光刻膠之間使用透鏡聚集光實現(xiàn)曝光。

d、步進式曝光(Stepper)

NR77-20000P光刻膠

6，堅膜

堅膜也叫后烘，是為了去除由于顯影液的浸泡引起膠膜軟化、溶脹現(xiàn)象，能使膠膜附著能力增強，康腐蝕能力提高。堅膜溫度通常情況高于前烘和曝光后烘烤的溫度 100-140度 10-30min,7，顯影檢驗,光刻膠鉆蝕、圖像尺寸變化、套刻對準不良、光刻膠膜損傷、線條是否齊、陡，針KONG、小島。

8刻蝕

就是將涂膠前所墊基的薄膜中沒有被光刻膠覆蓋和保護的那部分進行腐蝕掉，達到將光刻膠上的圖形轉移到下層材料的目的。濕法刻蝕，SIO2,AL, Poly-Si 等薄膜，干法腐蝕。

光刻是整個集成電路制造過程中耗時長、難度大的工藝，耗時占IC制造50%左右，成本約占IC生產(chǎn)成本的1/3。光刻膠是光刻過程重要的耗材，光刻膠的質量對光刻工藝有著重要影響。

光刻是將圖形由掩膜版上轉移到硅片上，為后續(xù)的刻蝕步驟作準備。在光刻過程中，需在硅片上涂一層光刻膠，經(jīng)紫外線曝光后，光刻膠的化學性質發(fā)生變化，在通過顯影后，被曝光的光刻膠將被去除，從而實現(xiàn)將電路圖形由掩膜版轉移到光刻膠上。再經(jīng)過刻蝕過程，實現(xiàn)電路圖形由光刻膠轉移到硅片上。在刻蝕過程中，光刻膠起防腐蝕的保護作用。

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