深圳市騰華泰電子有限公司主營(yíng)：DK112，DK1203，DK124
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DK5V100R15SDK5V100R10ST1
















FlybackFlyback拓?fù)涞耐秸饕彩呛屯負(fù)浔旧淼目刂品绞较嚓P(guān)很大，主要分為CCM模式和DCM模式1.CCM模式下，空載和滿載的占空比變化不大，空載或者輕載下模塊會(huì)有負(fù)電流，但可以帶來(lái)較好的滿載效率，適合低壓的應(yīng)用，但FlybackCCM模式并不容易實(shí)現(xiàn)，需要對(duì)副邊同步整流管提前原邊開(kāi)通前關(guān)斷2.DCM模式需要對(duì)副邊電流過(guò)零點(diǎn)進(jìn)行采樣關(guān)斷副邊MOS，會(huì)帶來(lái)更好的輕載效率，工作模式更像“二極管”，在高壓輸入的電源中，QR模式非常適合做DCM的同步整流。
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同步整流的關(guān)斷損耗關(guān)于開(kāi)關(guān)損耗，值得指出的是很多同步整流開(kāi)通是零電壓開(kāi)通的，而關(guān)斷損耗占據(jù)了主導(dǎo)。下圖是關(guān)于關(guān)斷損耗的一個(gè)圖，分別包含了Qoss損耗（容性損耗），開(kāi)關(guān)損耗和反向恢復(fù)損耗。如何減少同步整流的反向恢復(fù)損耗反向恢復(fù)損耗，在高壓MOS上，占據(jù)非常大的比例，消除反向恢復(fù)損耗的常見(jiàn)方法如下:1）盡量減小死區(qū)時(shí)間，如下圖所示，二極管的反向時(shí)間決定了Qrr,減小體二極管工作的時(shí)間，這不光減小了反向恢復(fù)損耗，也同時(shí)減小了二極管的死區(qū)導(dǎo)通損耗2）采用內(nèi)部并聯(lián)肖特基二極管的MOS.同步整流的關(guān)機(jī)同步整流驅(qū)動(dòng)關(guān)機(jī)，經(jīng)常會(huì)遇到的問(wèn)題是關(guān)機(jī)波形不單調(diào)，有負(fù)電流折向原邊
DK5V45R15CDK5V100R10ST1

與導(dǎo)體和絕緣體相比，半導(dǎo)體材料的發(fā)現(xiàn)是晚的，直到20世紀(jì)30年代，當(dāng)材料的提純技術(shù)改進(jìn)以后，半導(dǎo)體的存在才真正被學(xué)術(shù)界認(rèn)可。本征半導(dǎo)體：不含雜質(zhì)且無(wú)晶格缺陷的半導(dǎo)體稱為本征半導(dǎo)體。在極低溫度下，半導(dǎo)體的價(jià)帶是滿帶（見(jiàn)能帶理論），受到熱激發(fā)后，價(jià)帶中的部分電子會(huì)越過(guò)禁帶進(jìn)入能量較高的空帶，空帶中存在電子后成為導(dǎo)帶，價(jià)帶中缺少一個(gè)電子后形成一個(gè)帶正電的空位，稱為空穴。