深圳市瑞泰威科技有限公司主營(yíng)：各類驅(qū)動(dòng)IC,存儲(chǔ)IC,傳感器IC,觸摸IC銷售,
MOSFET幾種典型驅(qū)動(dòng)電路（一）

MOSFET數(shù)字電路

數(shù)字科技的進(jìn)步，如微處理器運(yùn)算效能不斷提升，帶給深入研發(fā)新一代MOSFET更多的動(dòng)力，這也使得MOSFET本身的操作速度越來(lái)越快，幾乎成為各種半導(dǎo)體主動(dòng)元件中快的一種。MOSFET在數(shù)字信號(hào)處理上的成功來(lái)自CMOS邏輯電路的發(fā)明，這種結(jié)構(gòu)好處是理論上不會(huì)有靜態(tài)的功率損耗，只有在邏輯門(mén)（logic gate）的切換動(dòng)作時(shí)才有電流通過(guò)。CMOS邏輯門(mén)基本的成員是CMOS反相器（inverter），而所有CMOS邏輯門(mén)的基本操作都如同反相器一樣，在邏輯轉(zhuǎn)換的瞬間同一時(shí)間內(nèi)必定只有一種晶體管（NMOS或是PMOS）處在導(dǎo)通的狀態(tài)下，另一種必定是截止?fàn)顟B(tài)，這使得從電源端到接地端不會(huì)有直接導(dǎo)通的路徑，大量節(jié)省了電流或功率的消耗，也降低了集成電路的發(fā)熱量。

MOSFET在數(shù)字電路上應(yīng)用的另外一大優(yōu)勢(shì)是對(duì)直流（DC）信號(hào)而言，MOSFET的柵極端阻抗為無(wú)限大（等效于開(kāi)路），也就是理論上不會(huì)有電流從MOSFET的柵極端流向電路里的接地點(diǎn)，而是完全由電壓控制柵極的形式。這讓MOSFET和他們的競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手BJT相較之下更為省電，而且也更易于驅(qū)動(dòng)。在CMOS邏輯電路里，除了負(fù)責(zé)驅(qū)動(dòng)芯片外負(fù)載（off-chip load）的驅(qū)動(dòng)器（driver）外，每一級(jí)的邏輯門(mén)都只要面對(duì)同樣是MOSFET的柵極，如此一來(lái)較不需考慮邏輯門(mén)本身的驅(qū)動(dòng)力。相較之下，BJT的邏輯電路（例如常見(jiàn)的TTL）就沒(méi)有這些優(yōu)勢(shì)。MOSFET的柵極輸入電阻無(wú)限大對(duì)于電路設(shè)計(jì)工程師而言亦有其他優(yōu)點(diǎn)，例如較不需考慮邏輯門(mén)輸出端的負(fù)載效應(yīng)（loading effect）。

用什么直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)芯片（二）

2 ML4428原理圖及功能實(shí)現(xiàn)

ML4428電機(jī)控制器不用霍爾傳感器就可為Y形無(wú)刷直流電機(jī)(BLDC)提供起動(dòng)和調(diào)速所需的各種功能。它采用28腳雙列表面SOIC封裝，它的內(nèi)部框圖如圖1所示〔1〕，ML4428使用鎖相環(huán)技術(shù)，從電機(jī)線圈檢測(cè)反電勢(shì)，確定換向次序；采用專門(mén)的反電勢(shì)檢測(cè)技術(shù)，可實(shí)現(xiàn)三相無(wú)刷直流換向且不受PWM噪聲及電機(jī)緩沖電路的影響；采用了檢查轉(zhuǎn)子位置并準(zhǔn)確對(duì)電機(jī)加速的起動(dòng)技術(shù)，確保起動(dòng)時(shí)電機(jī)不會(huì)反轉(zhuǎn)并可縮短起動(dòng)時(shí)間。

2.1 反電勢(shì)檢測(cè)信號(hào)的獲得

無(wú)位置傳感器無(wú)刷直流電動(dòng)機(jī)的控制與有位置傳感器無(wú)刷直流電機(jī)控制的根本區(qū)別就是利用反電勢(shì)的波形尋找換向點(diǎn)。當(dāng)永磁無(wú)刷直流電動(dòng)機(jī)運(yùn)轉(zhuǎn)時(shí)，各相繞組的反電動(dòng)勢(shì)(EMF)與轉(zhuǎn)子位置密切相關(guān)。由于各相繞組是交替導(dǎo)通工作的，在某相不導(dǎo)通的時(shí)刻，其反電動(dòng)勢(shì)波形的某些特殊點(diǎn)，可代替轉(zhuǎn)子位置傳感器的功能，得到所需要的信息。

由于對(duì)于單相反電動(dòng)勢(shì)波形圖，反電動(dòng)勢(shì)過(guò)零點(diǎn)30°處對(duì)應(yīng)繞組的換向信號(hào)，找出反電動(dòng)勢(shì)過(guò)零點(diǎn)，即反電動(dòng)勢(shì)檢測(cè)的任務(wù)〔2〕?；谶@一原理，在該芯片內(nèi)設(shè)計(jì)了一個(gè)獨(dú)特的反電勢(shì)檢測(cè)電路(見(jiàn)圖2)，由于有了中點(diǎn)模擬電路，不需從電機(jī)三相繞組中引出中線

?存儲(chǔ)芯片特色化水平低

存儲(chǔ)芯片商品有別于絕大多數(shù)的消費(fèi)性商品，只是具備典型性的大宗商品現(xiàn)貨特性，差異化營(yíng)銷較小，不一樣公司生產(chǎn)制造的商品性能指標(biāo)基本一致，規(guī)范化程度高，因而特色化水平較差，客戶忠誠(chéng)度低。

大家以智能機(jī)為例子，客戶在購(gòu)買智能機(jī)時(shí)基礎(chǔ)都是考慮到CPU的品牌和型號(hào)規(guī)格是高通芯片的還是聯(lián)發(fā)科的，但非常少有些人會(huì)考慮到顯示屏是LG的還是BOE的，而僅僅會(huì)考慮到顯示屏的尺寸和屏幕分辨率等主要參數(shù)。

這一點(diǎn)存儲(chǔ)芯片和控制面板是相近的，客戶一般總是考慮到存儲(chǔ)芯片的容積，是64G還是128G，而非常少會(huì)有些人考慮到存儲(chǔ)芯片是海力士產(chǎn)的還是飛利浦產(chǎn)的。因而，針對(duì)存儲(chǔ)芯片領(lǐng)域，要是性能參數(shù)上做到規(guī)定，不一樣品牌的商品可替代率很高，這也為后入式者出示了彎道超越的很有可能?？刂泼姘孱I(lǐng)域中BOE的取得成功也證實(shí)了這一點(diǎn)。