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igbt驅(qū)動電路的簡介

IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域。

圖1所示為一個N 溝道增強(qiáng)型絕緣柵雙極晶體管結(jié)構(gòu)， N+ 區(qū)稱為源區(qū)，附于其上的電極稱為源極。N+ 區(qū)稱為漏區(qū)。器件的控制區(qū)為柵區(qū)，附于其上的電極稱為柵極。溝道在緊靠柵區(qū)邊界形成。在漏、源之間的P 型區(qū)（包括P+ 和P 一區(qū)）（溝道在該區(qū)域形成），稱為亞溝道區(qū)（ Subchannel region ）。而在漏區(qū)另一側(cè)的P+ 區(qū)稱為漏注入?yún)^(qū)（ Drain injector ），它是IGBT 特有的功能區(qū)，與漏區(qū)和亞溝道區(qū)一起形成PNP 雙極晶體管，起發(fā)射極的作用，向漏極注入空穴，進(jìn)行導(dǎo)電調(diào)制，以降低器件的通態(tài)電壓。附于漏注入?yún)^(qū)上的電極稱為漏極。

IGBT的開關(guān)作用是通過加正向柵極電壓形成溝道，給PNP 晶體管提供基極電流，使IGBT 導(dǎo)通。反之，加反向門極電壓消除溝道，切斷基極電流，使IGBT 關(guān)斷。IGBT 的驅(qū)動方法和MOSFET 基本相同，只需控制輸入極N一溝道MOSFET ，所以具有高輸入阻抗特性。當(dāng)MOSFET 的溝道形成后，從P+ 基極注入到N 一層的空穴（少子），對N 一層進(jìn)行電導(dǎo)調(diào)制，減小N 一層的電阻，使IGBT 在高電壓時，也具有低的通態(tài)電壓。

MOS管驅(qū)動廠家——瑞泰威

簡要介紹了MOS管的驅(qū)動。

MOSFET由于具有較低的內(nèi)阻導(dǎo)通量和較高的開關(guān)速度而廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源。驅(qū)動MOSFET通常是根據(jù)電源IC和MOSFET參數(shù)選擇合適的電路。用MOSFET設(shè)計開關(guān)電源時，大多數(shù)人會考慮MOSFET的導(dǎo)通電阻，電壓，電流。

深圳市瑞泰威科技有限公司是國內(nèi)IC電子元器件的代理銷售企業(yè)，專業(yè)從事各類驅(qū)動IC、存儲IC、傳感器IC、觸摸IC銷售，品類齊全，具備上百個型號。

與國內(nèi)外的東芝、恩智浦、安森美、全宇昕、上海晶準(zhǔn)等均穩(wěn)定合作，保證產(chǎn)品的品質(zhì)和穩(wěn)定供貨。

伴隨著技術(shù)的發(fā)展，燈具在市場上有了可觀的發(fā)展空間，綠色環(huán)保節(jié)能的燈具得到了廣大消費(fèi)者的認(rèn)可，以其本身壽命長，節(jié)能等優(yōu)點(diǎn)被許多家庭所采用，無論什么類型的燈都是少不了驅(qū)動芯片的，選擇好的驅(qū)動芯片自然很重要，該怎么選，您認(rèn)為呢？

驅(qū)動芯片的額定輸入電壓范圍為：直流8~40V，以適應(yīng)廣泛應(yīng)用的需要。好的抗壓性是大于45V。在交流12V或24V電壓條件下，簡單橋式整流器的輸出電壓將隨電網(wǎng)電壓而波動，尤其是在電壓偏高時，直流輸出電壓也將偏高。若驅(qū)動IC沒有較寬的輸入電壓范圍，就容易在電網(wǎng)電壓升高時擊穿，導(dǎo)致LED光源燒毀。