北京賽米萊德貿(mào)易有限公司主營(yíng)：光刻膠
NR9-1000py

問(wèn)題回饋：

1．我們是LED制造商，麻煩推薦幾款可以用于離子蝕刻和Lift-off工藝的光刻膠。

A 據(jù)我所知，F(xiàn)uturrex

有幾款膠很，NR7-1500P

NR7-3000P是專(zhuān)門(mén)為離子蝕刻

設(shè)計(jì)的，NR9-3000PY可以用于Lift-off上的應(yīng)用。

2．請(qǐng)問(wèn)有沒(méi)有可以替代goodpr1518，Micropure去膠液和goodpr顯影液的產(chǎn)品？

A 美國(guó)光刻膠，F(xiàn)uturrex

正膠PR1-2000A

, 去膠液RR4，和顯影液RD6可以解決以上問(wèn)題。

3．你們是否有可以替代Shipley

S1805的用于DVD的應(yīng)用產(chǎn)品？

A 我們建議使用Futurrex

PR1-500A , 它有幾個(gè)優(yōu)點(diǎn)：比較好的解析度，比較好的線寬控制，

反射比較少，不需要HMDS，RIE后去除容易等~

4． 求助，耐高溫的光阻是那一種？

A Futurrex, NR7 serious(負(fù)光阻)Orpr1 serious(正光阻)，再經(jīng)過(guò)HMCTS

silyiation process,可以達(dá)到耐高溫200度，PSPI透明polyimide,可耐高溫250度以上。

5．厚膜光阻在鍍金應(yīng)用上，用哪一種比較理想？

A Futurrex , NR4-8000P比干膜，和其他市面上的濕膜更加適合，和理想。

6．請(qǐng)教LIFT-OFF制程哪一種光阻適合？

A 可以考慮使用Futurrex

，正型光阻PR1，負(fù)型光阻用NR1&NR7,它們都可以耐高溫180度，完全可以取代一般制作PATTERN的光阻。

7．請(qǐng)問(wèn)，那位專(zhuān)家知道，RIE

Mask,用什么光阻比較好？

A 正型光阻用PR1系列，負(fù)型光阻使用NR5，兩種都可以耐高溫180度。

8．一般厚膜制程中，哪一種光阻適合？

A NR9-8000P有很高的深寬比（超過(guò)4：1），一般厚膜以及，MEMS產(chǎn)品的高需求。

9．在DEEP

RIE和MASK 可以使用NRP9-8000P嗎？

A 建議不使用，因?yàn)槭褂肗R5-8000更加理想和適合。

10．我們是OLED，我們有一種制程上需要一層SPACER，那種光阻適合？

A 有一種膠很適合，美國(guó)Futurrex

生產(chǎn)的NR1-3000PY

and和

NR1-6000PY,都適合在OLED制程中做spacers

光刻是整個(gè)集成電路制造過(guò)程中耗時(shí)長(zhǎng)、難度大的工藝，耗時(shí)占IC制造50%左右，成本約占IC生產(chǎn)成本的1/3。光刻膠是光刻過(guò)程重要的耗材，光刻膠的質(zhì)量對(duì)光刻工藝有著重要影響。

光刻是將圖形由掩膜版上轉(zhuǎn)移到硅片上，為后續(xù)的刻蝕步驟作準(zhǔn)備。在光刻過(guò)程中，需在硅片上涂一層光刻膠，經(jīng)紫外線曝光后，光刻膠的化學(xué)性質(zhì)發(fā)生變化，在通過(guò)顯影后，被曝光的光刻膠將被去除，從而實(shí)現(xiàn)將電路圖形由掩膜版轉(zhuǎn)移到光刻膠上。再經(jīng)過(guò)刻蝕過(guò)程，實(shí)現(xiàn)電路圖形由光刻膠轉(zhuǎn)移到硅片上。在刻蝕過(guò)程中，光刻膠起防腐蝕的保護(hù)作用。

以上就是為大家介紹的全部?jī)?nèi)容，希望對(duì)大家有所幫助。如果您想要了解更多光刻膠的知識(shí)，歡迎撥打圖片上的熱線聯(lián)系我們。

光刻膠市場(chǎng)情況  

目前全球光刻膠市場(chǎng)基本被日本和美國(guó)企業(yè)所壟斷。光刻膠屬于高技術(shù)壁壘材料，生產(chǎn)工藝復(fù)雜，純度要求高，需要長(zhǎng)期的技術(shù)積累。日本的JSR、東京應(yīng)化、信越化學(xué)及富士電子四家企業(yè)占據(jù)了全球70%以上的市場(chǎng)份額，處于市場(chǎng)壟斷地位。

光刻膠市場(chǎng)需求逐年增加，2018年全球半導(dǎo)體光刻膠銷(xiāo)售額12.97億美元。隨著下游應(yīng)用功率半導(dǎo)體、傳感器、存儲(chǔ)器等需求擴(kuò)大，未來(lái)光刻膠市場(chǎng)將持續(xù)擴(kuò)大。

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