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IGBT的驅(qū)動電路特點（一）

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動電流較大；MOSFET驅(qū)動功率很小，開關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點，驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域。

輸出特性與轉(zhuǎn)移特性：

IGBT的伏安特性是指以柵極電壓VGE為參變量時，集電極電流IC與集電極電壓VCE之間的關(guān)系曲線。IGBT的伏安特性與BJT的輸出特性相似，也可分為飽和區(qū)I、放大區(qū)II和擊穿區(qū)III三部分。IGBT作為開關(guān)器件穩(wěn)態(tài)時主要工作在飽和導(dǎo)通區(qū)。IGBT的轉(zhuǎn)移特性是指集電極輸出電流IC與柵極電壓之間的關(guān)系曲線。它與MOSFET的轉(zhuǎn)移特性相同，當(dāng)柵極電壓VGE小于開啟電壓VGE(th)時，IGBT處于關(guān)斷狀態(tài)。在IGBT導(dǎo)通后的大部分集電極電流范圍內(nèi)，IC與VGE呈線性關(guān)系。

IGBT與MOSFET的對比：

MOSFET全稱功率場效應(yīng)晶體管。它的三個極分別是源極(S)、漏極(D)和柵極(G)。

主要優(yōu)點：熱穩(wěn)定性好、安全工作區(qū)大。

缺點：擊穿電壓低，工作電流小。

由于LED產(chǎn)業(yè)形勢轉(zhuǎn)好，大陸芯片廠商加大了擴(kuò)產(chǎn)力度。就當(dāng)前LED廠商外延片擴(kuò)張計劃而言，海外廠商擴(kuò)張的動力不足。在這些國家中，中國大陸廠商是擴(kuò)產(chǎn)的主力。在這種趨勢下，大陸企業(yè)正加速進(jìn)入LED外延片擴(kuò)產(chǎn)的新一輪浪潮，中國大陸也有望成為LED芯片“代工基地”。

而且，隨著大陸LED外延芯片的不斷擴(kuò)大，國產(chǎn)器件MOCVD也將迎來新一輪的增長浪潮。根據(jù)調(diào)查機(jī)構(gòu)的數(shù)據(jù)，2016年全球新增136個MOCVD裝置，現(xiàn)在有3102個。此外，國產(chǎn)MOCVD的市場份額在2016年合計僅為11%，但在經(jīng)過2016年客戶端驗證后，國產(chǎn)MOCVD將迎來新機(jī)，特別是大陸廠商的大力擴(kuò)張，必將有力的推動國產(chǎn)MOCVD的發(fā)展。

驅(qū)動芯片的輸出電流必須保持恒定，以便LED能夠穩(wěn)定地發(fā)光且不閃爍。同一批次的驅(qū)動芯片在相同的條件下使用，其輸出電流的大小應(yīng)盡可能一致，即分散度盡可能小，以便在大規(guī)模自動化生產(chǎn)線上生產(chǎn)時能保證高x效、有序。如果驅(qū)動芯片的輸出電流具有一定的離散性，則必須進(jìn)行分檔選擇，在出廠或投入生產(chǎn)線之前，調(diào)整PCB板電流設(shè)定電阻的阻值大小，使所生產(chǎn)的LED燈具恒流驅(qū)動板對同類LED光源發(fā)光亮度一致，以保證產(chǎn)品的一致性。