瑞泰威 接口芯片芯片批發(fā)商 接口芯片芯片生產(chǎn)
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深圳市瑞泰威科技有限公司

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經(jīng)營(yíng)模式

經(jīng)銷(xiāo)批發(fā)

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廣東省深圳市

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商品參數(shù)
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商品介紹
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聯(lián)系方式
型號(hào) 齊全
封裝 SOP
批號(hào) 20+
功率 正常功率
可售賣(mài)地 全國(guó)
產(chǎn)地 中國(guó)
發(fā)票 支持
規(guī)格型號(hào) 齊全
數(shù)量 9999
供貨類(lèi)別 現(xiàn)貨
電源電源 正常標(biāo)準(zhǔn)
品牌 瑞泰威
供貨方式 加工、定制、銷(xiāo)售
報(bào)價(jià)方式 按實(shí)際訂單報(bào)價(jià)為準(zhǔn)
配送服務(wù) 同城可配送到場(chǎng),其他可快遞、物流、貨運(yùn)
倉(cāng)庫(kù)地址 深圳市南山區(qū)桃源街道峰景社區(qū)龍珠大道040號(hào)梅州大廈1511
產(chǎn)品編號(hào) 12999950
商品介紹
深圳市瑞泰威科技有限公司主營(yíng):各類(lèi)驅(qū)動(dòng)IC,存儲(chǔ)IC,傳感器IC,觸摸IC銷(xiāo)售,




驅(qū)動(dòng)ic的工作原理

驅(qū)動(dòng)IC:LED就是發(fā)光二極管,當(dāng)二極管的數(shù)量多或者管子比較耗電量大時(shí)就需要驅(qū)動(dòng)了,而且是幾級(jí)驅(qū)動(dòng),抄把這幾級(jí)驅(qū)動(dòng)做到一個(gè)集成的電子芯片里,這個(gè)芯片就叫驅(qū)動(dòng)IC,簡(jiǎn)單說(shuō)就是發(fā)揮給二極管提供補(bǔ)償電流的作用。

led驅(qū)動(dòng)ic的工作原理:

芯片內(nèi)含恒生電路,可透過(guò)電阻來(lái)設(shè)定輸出恒流值。透過(guò)芯片的使能端可百以控制輸出通道的開(kāi)關(guān)時(shí)間,切度換頻率達(dá)一兆赫(1MHz)。電流輸出反應(yīng)極快,支持高色階變化及高畫(huà)面刷新率的應(yīng)用。內(nèi)建開(kāi)路偵測(cè), 過(guò)熱斷電,及過(guò)電流保護(hù)功能,使應(yīng)用系統(tǒng)的可靠性大為提升。




驅(qū)動(dòng)方法:

· 利用知電流值的調(diào)節(jié)方法

· 利用脈沖幅變調(diào)技術(shù)的調(diào)節(jié)方法

電流值的調(diào)節(jié)方法主要是改變電流值調(diào)節(jié)的亮度,此處假設(shè) 時(shí)的光度為1倍,白光的光度與電流變化時(shí)的光度變成1.7倍,此時(shí)的光度變成3倍,雖然照度與電流值并不是比例關(guān)系,道不過(guò)紅光卻呈比例關(guān)系,主要原因是紅、綠、藍(lán)的晶片物性彼此相異所致。



igbt驅(qū)動(dòng)電路的簡(jiǎn)介

IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開(kāi)關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。

圖1所示為一個(gè)N 溝道增強(qiáng)型絕緣柵雙極晶體管結(jié)構(gòu), N+ 區(qū)稱(chēng)為源區(qū),附于其上的電極稱(chēng)為源極。N+ 區(qū)稱(chēng)為漏區(qū)。器件的控制區(qū)為柵區(qū),附于其上的電極稱(chēng)為柵極。溝道在緊靠柵區(qū)邊界形成。在漏、源之間的P 型區(qū)(包括P+ 和P 一區(qū))(溝道在該區(qū)域形成),稱(chēng)為亞溝道區(qū)( Subchannel region )。而在漏區(qū)另一側(cè)的P+ 區(qū)稱(chēng)為漏注入?yún)^(qū)( Drain injector ),它是IGBT 特有的功能區(qū),與漏區(qū)和亞溝道區(qū)一起形成PNP 雙極晶體管,起發(fā)射極的作用,向漏極注入空穴,進(jìn)行導(dǎo)電調(diào)制,以降低器件的通態(tài)電壓。附于漏注入?yún)^(qū)上的電極稱(chēng)為漏極。



IGBT的開(kāi)關(guān)作用是通過(guò)加正向柵極電壓形成溝道,給PNP 晶體管提供基極電流,使IGBT 導(dǎo)通。反之,加反向門(mén)極電壓消除溝道,切斷基極電流,使IGBT 關(guān)斷。IGBT 的驅(qū)動(dòng)方法和MOSFET 基本相同,只需控制輸入極N一溝道MOSFET ,所以具有高輸入阻抗特性。當(dāng)MOSFET 的溝道形成后,從P+ 基極注入到N 一層的空穴(少子),對(duì)N 一層進(jìn)行電導(dǎo)調(diào)制,減小N 一層的電阻,使IGBT 在高電壓時(shí),也具有低的通態(tài)電壓。





在我國(guó)LED顯示器封裝端又傳來(lái)某些型號(hào)規(guī)格LED燈珠較為急缺的傳言,以前受疫情危害壓抑感的一部分市場(chǎng)的需求忽然釋放出來(lái),封裝的生產(chǎn)能力加速會(huì)有一個(gè)時(shí)間,會(huì)出現(xiàn)短期內(nèi)性的不安。某封裝公司有關(guān)人員表露,因?yàn)閮r(jià)格增漲造成的成本費(fèi)工作壓力,經(jīng)銷(xiāo)商也在意見(jiàn)反饋運(yùn)營(yíng)工作壓力,這類(lèi)成本費(fèi)工作壓力有往下傳輸?shù)陌l(fā)展趨勢(shì),疫情緣故封裝廠的動(dòng)工不夠,這也造成 了一部分LED燈珠的供應(yīng)必須交貨期,而現(xiàn)階段銷(xiāo)售市場(chǎng)上租用屏用的LED燈珠庫(kù)存量狀況很有可能比較比較嚴(yán)重。


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