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上海菲茲電子科技有限公司
主營產(chǎn)品: 可控硅,整流橋,IGBT,二極管,熔斷器,電熔
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整流橋整流橋費用-直銷全新
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聯(lián)系人 張嵐颯
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商品介紹
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批號 new
電壓 1600
封裝 標(biāo)準(zhǔn)封裝
應(yīng)用領(lǐng)域 電工電氣
材料 整流橋
應(yīng)用范圍 電源
整流元件 二極管(排)
是否跨境出口貨源 否
商品介紹
上海菲茲電子科技有限公司全新銷售功率半導(dǎo)體產(chǎn)品及配套器件,是功率半導(dǎo)體行業(yè)知名企業(yè)。公司憑借多年的從業(yè)經(jīng)驗、不懈的開拓精神及良好的商業(yè)信譽,在電力電子行業(yè)樹立了良好的企業(yè)品牌形象,同時菲茲與多家電力電子行業(yè)和上市公司長期保持著穩(wěn)定互信的合作關(guān)系,也是眾多知名電子廠商(三菱、英飛凌、西門康,艾塞斯,尼爾,ABB,西瑪,三社、宏微等)的優(yōu)良誠信分銷商。通過多年的實戰(zhàn)經(jīng)驗,菲茲人積累了堅實的功率半導(dǎo)體應(yīng)用知識,為電力拖動、風(fēng)力發(fā)電、電焊機、變頻器、高頻感應(yīng)加熱、逆變電源、電力機車等行業(yè)提供完善的解決方案,為客戶提供完整的技術(shù)支持!
整流橋具有體積小,使用方便等特點,在家用電器和工業(yè)電子電路中應(yīng)用 非常廣泛.常用的小功率整流橋有全橋和半橋之分.全橋是將四只硅整流二極管接成橋路的形式, 常見的型號有 QL52~QL61 系列,PM104M 和 BR300 系列等.半橋有三種結(jié)構(gòu):一種是將兩只二極 管順向串聯(lián),在結(jié)點處引出一電極(如 2CQ1 型),另一 種是將兩只二極管背靠背式反極性連接(稱共陰式,如 2CQ2 型);第三種是將兩只二極管頭碰頭式反極性連接(稱共陽式,如 2CQ3 型).
整流橋殼體正面表面的溫度分布。從上圖可以看出,整流橋殼體正面的溫度分布是極不均勻的,在熱源(二極管)的正上方其表面溫度達(dá)到109 ℃,然而在整流橋的中間位置,遠(yuǎn)離熱源處卻只有75 ℃,其表面的溫差可達(dá)到34℃左右。這主要是由于覆蓋在二極管表面的是導(dǎo)熱性能較差的FR4(其導(dǎo)熱系數(shù)小于3.0W/m.℃),因此它對整流橋殼體正表面上的溫度均勻化效果很差。同時,這也驗證了為什么我們在采用整流橋殼體正表面溫度作為計算的殼溫時,對測溫?zé)犭娕嘉恢玫姆胖貌煌?,得到的結(jié)果其離散性很差這一原因。圖8是整流橋內(nèi)部熱源中間截面的溫度分布。由該圖也可以進(jìn)一步說明,在整流橋內(nèi)部由于器封裝材料是導(dǎo)熱性能較差的FR4,所以其內(nèi)部的溫度分布極不均勻。我們以后在測量或分析整流橋或相關(guān)的其它功率元器件溫度分布時,應(yīng)著重注意該現(xiàn)象,力圖避免該影響對測量或測試結(jié)果產(chǎn)生的影響。
應(yīng)用整流橋到電路中,主要考慮它的工作電流和反向電壓。
針對整流橋不同冷卻方式的選擇和對其散熱過程的詳細(xì)分析,來闡述元器件廠家提供的元器件熱阻(Rja和Rjc)的具體含義,并在此基礎(chǔ)上提出一種在技術(shù)上可行、使用上操作性強的測量整流橋殼溫的方法,為電源產(chǎn)品合理應(yīng)用整流橋提供借鑒。
在整流橋的每個工作周期內(nèi),同一時間只有兩個二極管進(jìn)行工作,通過二極管的單向?qū)üδ?,把交流電轉(zhuǎn)換成單向的直流脈動電壓。對一般常用的小功率整流橋(如:RECTRON SEMICONDUCTOR的RS2501M)進(jìn)行解剖會發(fā)現(xiàn),其內(nèi)部的結(jié)構(gòu)如圖2所示,該全波整流橋采用塑料封裝結(jié)構(gòu)(大多數(shù)的小功率整流橋都是采用該封裝形式)。橋內(nèi)的四個主要發(fā)熱元器件——二極管被分成兩組分別放置在直流輸出的引腳銅板上。在直流輸出引腳銅板間有兩塊連接銅板,他們分別與輸入引腳(交流輸入導(dǎo)線)相連,形成我們在外觀上看見的有四個對外連接引腳的全波整流橋。由于該系列整流橋都是采用塑料封裝結(jié)構(gòu),在上述的二極管、引腳銅板、連接銅板以及連接導(dǎo)線的周圍充滿了作為絕緣、導(dǎo)熱的骨架填充物質(zhì)——環(huán)氧樹脂。然而,環(huán)氧樹脂的導(dǎo)熱系數(shù)是比較低的(一般為0.35℃W/m,為2.5℃W/m),因此整流橋的結(jié)--殼熱阻一般都比較大(通常為1.0~10℃/W)。通常情況下,在元器件的相關(guān)參數(shù)表里,生產(chǎn)廠家都會提供該器件在自然冷卻情況下的結(jié)—環(huán)境的熱阻(Rja)和當(dāng)元器件自帶一散熱器,通過散熱器進(jìn)行器件冷卻的結(jié)--殼熱阻(Rjc)。
我司主營產(chǎn)品如下:
1、富士、英飛凌、三菱、西門康全系列IGBT產(chǎn)品;
2、CDE、EACO、日立全系列電容產(chǎn)品;
3、富士、三菱、英飛凌、西門康、ABB、三社、IR、IXYS、可控硅、單管、整流橋產(chǎn)品;
4、建準(zhǔn)全系列風(fēng)機;
5、CONCEPT及驅(qū)動板;
6、富士通單片機及其它配套產(chǎn)品;
整流橋具有體積小,使用方便等特點,在家用電器和工業(yè)電子電路中應(yīng)用 非常廣泛.常用的小功率整流橋有全橋和半橋之分.全橋是將四只硅整流二極管接成橋路的形式, 常見的型號有 QL52~QL61 系列,PM104M 和 BR300 系列等.半橋有三種結(jié)構(gòu):一種是將兩只二極 管順向串聯(lián),在結(jié)點處引出一電極(如 2CQ1 型),另一 種是將兩只二極管背靠背式反極性連接(稱共陰式,如 2CQ2 型);第三種是將兩只二極管頭碰頭式反極性連接(稱共陽式,如 2CQ3 型).
整流橋殼體正面表面的溫度分布。從上圖可以看出,整流橋殼體正面的溫度分布是極不均勻的,在熱源(二極管)的正上方其表面溫度達(dá)到109 ℃,然而在整流橋的中間位置,遠(yuǎn)離熱源處卻只有75 ℃,其表面的溫差可達(dá)到34℃左右。這主要是由于覆蓋在二極管表面的是導(dǎo)熱性能較差的FR4(其導(dǎo)熱系數(shù)小于3.0W/m.℃),因此它對整流橋殼體正表面上的溫度均勻化效果很差。同時,這也驗證了為什么我們在采用整流橋殼體正表面溫度作為計算的殼溫時,對測溫?zé)犭娕嘉恢玫姆胖貌煌?,得到的結(jié)果其離散性很差這一原因。圖8是整流橋內(nèi)部熱源中間截面的溫度分布。由該圖也可以進(jìn)一步說明,在整流橋內(nèi)部由于器封裝材料是導(dǎo)熱性能較差的FR4,所以其內(nèi)部的溫度分布極不均勻。我們以后在測量或分析整流橋或相關(guān)的其它功率元器件溫度分布時,應(yīng)著重注意該現(xiàn)象,力圖避免該影響對測量或測試結(jié)果產(chǎn)生的影響。
應(yīng)用整流橋到電路中,主要考慮它的工作電流和反向電壓。
針對整流橋不同冷卻方式的選擇和對其散熱過程的詳細(xì)分析,來闡述元器件廠家提供的元器件熱阻(Rja和Rjc)的具體含義,并在此基礎(chǔ)上提出一種在技術(shù)上可行、使用上操作性強的測量整流橋殼溫的方法,為電源產(chǎn)品合理應(yīng)用整流橋提供借鑒。
在整流橋的每個工作周期內(nèi),同一時間只有兩個二極管進(jìn)行工作,通過二極管的單向?qū)üδ?,把交流電轉(zhuǎn)換成單向的直流脈動電壓。對一般常用的小功率整流橋(如:RECTRON SEMICONDUCTOR的RS2501M)進(jìn)行解剖會發(fā)現(xiàn),其內(nèi)部的結(jié)構(gòu)如圖2所示,該全波整流橋采用塑料封裝結(jié)構(gòu)(大多數(shù)的小功率整流橋都是采用該封裝形式)。橋內(nèi)的四個主要發(fā)熱元器件——二極管被分成兩組分別放置在直流輸出的引腳銅板上。在直流輸出引腳銅板間有兩塊連接銅板,他們分別與輸入引腳(交流輸入導(dǎo)線)相連,形成我們在外觀上看見的有四個對外連接引腳的全波整流橋。由于該系列整流橋都是采用塑料封裝結(jié)構(gòu),在上述的二極管、引腳銅板、連接銅板以及連接導(dǎo)線的周圍充滿了作為絕緣、導(dǎo)熱的骨架填充物質(zhì)——環(huán)氧樹脂。然而,環(huán)氧樹脂的導(dǎo)熱系數(shù)是比較低的(一般為0.35℃W/m,為2.5℃W/m),因此整流橋的結(jié)--殼熱阻一般都比較大(通常為1.0~10℃/W)。通常情況下,在元器件的相關(guān)參數(shù)表里,生產(chǎn)廠家都會提供該器件在自然冷卻情況下的結(jié)—環(huán)境的熱阻(Rja)和當(dāng)元器件自帶一散熱器,通過散熱器進(jìn)行器件冷卻的結(jié)--殼熱阻(Rjc)。
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1、富士、英飛凌、三菱、西門康全系列IGBT產(chǎn)品;
2、CDE、EACO、日立全系列電容產(chǎn)品;
3、富士、三菱、英飛凌、西門康、ABB、三社、IR、IXYS、可控硅、單管、整流橋產(chǎn)品;
4、建準(zhǔn)全系列風(fēng)機;
5、CONCEPT及驅(qū)動板;
6、富士通單片機及其它配套產(chǎn)品;
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