寶雞博科高純鉿靶 鉿方靶 鉿圓靶  鉿板材規(guī)格可訂制加工

鉿靶供應

純度：Hf+Zr≥99.95%，Zr≤0.5% 

規(guī)格：方靶、圓靶，可根據(jù)客戶要求加工成各種尺寸。

鉿靶應用

主要應用于半導體,光學材料，電子、、液晶、光伏等鍍膜領(lǐng)域。

靶材的主要性能要求:

純度

純度是靶材的主要性能指標之一，因為靶材的純度對薄膜的性能影響很大。不過在實際應用中，對靶材的純度要求也不盡相同。例如，隨著微電子行業(yè)的迅速發(fā)展，硅片尺寸由6”, 8“發(fā)展到12”, 而布線寬度由0.5um減小到0.25um,0.18um甚至0.13um，以前99.995%的靶材純度可以滿足0.35umIC的工藝要求，而制備0.18um線條對靶材純度則要求99.999%甚至99.9999%。

雜質(zhì)含量

靶材固體中的雜質(zhì)和氣孔中的氧氣和水氣是沉積薄膜的主要污染源。不同用途的靶材對不同雜質(zhì)含量的要求也不同。例如，半導體工業(yè)用的純鋁及鋁合金靶材，對堿金屬含量和放射性元素含量都有特殊要求。

密度

為了減少靶材固體中的氣孔，提高濺射薄膜的性能，通常要求靶材具有較高的密度。靶材的密度不僅影響濺射速率，還影響著薄膜的電學和光學性能。靶材密度越高，薄膜的性能越好。此外，提高靶材的密度和強度使靶材能更好地承受濺射過程中的熱應力。密度也是靶材的關(guān)鍵性能指標之一。

晶粒尺寸及晶粒尺寸分布通常靶材為多晶結(jié)構(gòu)，晶粒大小可由微米到毫米量級。對于同一種靶材，晶粒細小的靶的濺射速率比晶粒粗大的靶的濺射速率快；而晶粒尺寸相差較小(分布均勻)的靶濺射沉積的薄膜的厚度分布更均勻。