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MOSFET幾種典型驅(qū)動電路（一）

MOSFET數(shù)字電路

數(shù)字科技的進(jìn)步，如微處理器運(yùn)算效能不斷提升，帶給深入研發(fā)新一代MOSFET更多的動力，這也使得MOSFET本身的操作速度越來越快，幾乎成為各種半導(dǎo)體主動元件中快的一種。MOSFET在數(shù)字信號處理上的成功來自CMOS邏輯電路的發(fā)明，這種結(jié)構(gòu)好處是理論上不會有靜態(tài)的功率損耗，只有在邏輯門（logic gate）的切換動作時才有電流通過。CMOS邏輯門基本的成員是CMOS反相器（inverter），而所有CMOS邏輯門的基本操作都如同反相器一樣，在邏輯轉(zhuǎn)換的瞬間同一時間內(nèi)必定只有一種晶體管（NMOS或是PMOS）處在導(dǎo)通的狀態(tài)下，另一種必定是截止?fàn)顟B(tài)，這使得從電源端到接地端不會有直接導(dǎo)通的路徑，大量節(jié)省了電流或功率的消耗，也降低了集成電路的發(fā)熱量。

MOSFET在數(shù)字電路上應(yīng)用的另外一大優(yōu)勢是對直流（DC）信號而言，MOSFET的柵極端阻抗為無限大（等效于開路），也就是理論上不會有電流從MOSFET的柵極端流向電路里的接地點，而是完全由電壓控制柵極的形式。這讓MOSFET和他們的競爭對手BJT相較之下更為省電，而且也更易于驅(qū)動。在CMOS邏輯電路里，除了負(fù)責(zé)驅(qū)動芯片外負(fù)載（off-chip load）的驅(qū)動器（driver）外，每一級的邏輯門都只要面對同樣是MOSFET的柵極，如此一來較不需考慮邏輯門本身的驅(qū)動力。相較之下，BJT的邏輯電路（例如常見的TTL）就沒有這些優(yōu)勢。MOSFET的柵極輸入電阻無限大對于電路設(shè)計工程師而言亦有其他優(yōu)點，例如較不需考慮邏輯門輸出端的負(fù)載效應(yīng)（loading effect）。

運(yùn)行內(nèi)存有別于閃存芯片，盡管他們?nèi)荂PU解決所需數(shù)據(jù)信息的媒介，可是內(nèi)存的作用是出示了一個解決當(dāng)今所必須數(shù)據(jù)信息的室內(nèi)空間，它的室內(nèi)空間容積較閃存芯片小，但獲取數(shù)據(jù)的速率更快，如同VIP安全通道一樣，它為當(dāng)今需解決的數(shù)據(jù)信息出示了迅速的安全通道，促使CPU可以迅速獲得到這種數(shù)據(jù)信息并實行。

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pwm開關(guān)電源的工作原理

1、交流電源輸入經(jīng)整流濾波成直流;

2、通過高頻PWM(脈沖寬度調(diào)制)信號控制開關(guān)管將那個直流加到開關(guān)變壓器初級上;

3、開關(guān)變壓器次級感應(yīng)出高頻電壓,經(jīng)整流濾波供給負(fù)載;

4、輸出部分通過一定的電路反饋給控制電路,控制PwM占空比,以達(dá)到穩(wěn)定輸出的目的。

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