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LED驅(qū)動(dòng)電源，帶ic和不帶ic的區(qū)別！

兩者在原理上沒啥太大的區(qū)別，只不過(guò)LED驅(qū)動(dòng)IC為了迎合LED照明的特點(diǎn)，集成了更多的功能，就算用普通的電源驅(qū)動(dòng)IC一樣可以實(shí)來(lái)現(xiàn)那些功能，只不過(guò)電路更復(fù)雜一些。

LED的驅(qū)動(dòng)IC是電路設(shè)計(jì)方案關(guān)系是不大的，它只跟需要驅(qū)動(dòng)LED的總功率有關(guān)自系，就是這個(gè)IC有一個(gè)驅(qū)動(dòng)功率，超過(guò)這個(gè)功率就要換別的IC了。這個(gè)功率范圍內(nèi)都是可以的zd，但電源電路的設(shè)計(jì)就與LED電路設(shè)計(jì)方案有關(guān)系了，必須有針對(duì)性的設(shè)計(jì)驅(qū)動(dòng)電源。

MOSFET幾種典型驅(qū)動(dòng)電路（二）

模擬電路

有一段時(shí)間，MOSFET并非模擬電路設(shè)計(jì)工程師的，因?yàn)槟M電路設(shè)計(jì)重視的性能參數(shù)，如晶體管的轉(zhuǎn)導(dǎo)（transconductance）或是電流的驅(qū)動(dòng)力上，MOSFET不如BJT來(lái)得適合模擬電路的需求。但是隨著MOSFET技術(shù)的不斷演進(jìn)，今日的CMOS技術(shù)也已經(jīng)可以符合很多模擬電路的規(guī)格需求。再加上MOSFET因?yàn)榻Y(jié)構(gòu)的關(guān)系，沒有BJT的一些致命缺點(diǎn)，如熱破壞（thermal runaway）。另外，MOSFET在線性區(qū)的壓控電阻特性亦可在集成電路里用來(lái)取代。

隨著半導(dǎo)體制造技術(shù)的進(jìn)步，對(duì)于整合更多功能至單一芯片的需求也跟著大幅提升，此時(shí)用MOSFET設(shè)計(jì)模擬電路的另外一個(gè)優(yōu)點(diǎn)也隨之浮現(xiàn)。為了減少在印刷電路板（Printed Circuit Board,PCB）上使用的集成電路數(shù)量、減少封裝成本與縮小系統(tǒng)的體積，很多原本獨(dú)立的類比芯片與數(shù)位芯片被整合至同一個(gè)芯片內(nèi)。MOSFET原本在數(shù)位集成電路上就有很大的競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)，在類比集成電路上也大量采用MOSFET之后，把這兩種不同功能的電路整合起來(lái)的困難度也顯著的下降。另外像是某些混合信號(hào)電路（Mixed-signal circuits），如類比/數(shù)位轉(zhuǎn)換器（Analog-to-Digital Converter,ADC），也得以利用MOSFET技術(shù)設(shè)計(jì)出效能更好的產(chǎn)品。

存儲(chǔ)芯片內(nèi)地發(fā)展的影響

價(jià)錢：減價(jià)或成大勢(shì)所趨

獲益于中下游智能機(jī)、AI、大數(shù)據(jù)中心、轎車、物聯(lián)網(wǎng)技術(shù)等多極運(yùn)用的驅(qū)動(dòng)器，存儲(chǔ)芯片銷售市場(chǎng)有希望持續(xù)保持高提高。美光預(yù)估17年至二零二一年，DRAM要求復(fù)合型增長(zhǎng)率將達(dá)20%，NAND位要求復(fù)合型增長(zhǎng)率將達(dá)40-45%。

存儲(chǔ)芯片的價(jià)格上漲由需求量很高剛開始，是不是不斷還得看供求。要求是遲緩提高，而提供會(huì)忽然提升，伴隨著國(guó)際性大型廠生產(chǎn)能力釋放出來(lái)及其內(nèi)地儲(chǔ)存新項(xiàng)目有序推進(jìn)，存儲(chǔ)芯片價(jià)格波動(dòng)或成大勢(shì)所趨。