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驅(qū)動(dòng)電路時(shí)應(yīng)考慮哪些因素

近幾年來(lái)MOSFET和IGBT在變頻調(diào)速裝置、開(kāi)關(guān)電源、不間斷電源等各種、低損耗和低噪音的場(chǎng)合得到了廣泛的應(yīng)用。這些功率器件的運(yùn)行狀態(tài)直接決定了設(shè)備的優(yōu)劣，而性能良好的驅(qū)動(dòng)電路又是開(kāi)關(guān)器件安全可靠運(yùn)行的重要保障。在設(shè)計(jì)MOSFET和IGBT的驅(qū)動(dòng)電路時(shí)，應(yīng)考慮一下幾個(gè)因素：

（1）要有一定的驅(qū)動(dòng)功率。也就是說(shuō)，驅(qū)動(dòng)電路能提供足夠的電流，在所要求的開(kāi)通時(shí)間和關(guān)斷時(shí)間內(nèi)對(duì)MOSFET和IGBT的輸入電容Ciss充電和放電。輸入電容Ciss包括柵——源之間的電容CGS和柵——漏之間的電容CGD。 MOSFET和 IGBT的開(kāi)通和關(guān)斷實(shí)質(zhì)上是對(duì)其輸入電容的充放電過(guò)程e799bee5baa6e59b9ee7ad9431333337383832，柵極電壓VGS的上升時(shí)間tr和下降時(shí)間tf決定輸入回路的時(shí)間常數(shù)，即：tr（或tf）=2.2RCiss ，式中R是輸入回路電阻，其中包括驅(qū)動(dòng)電源的內(nèi)阻Ri。從上式中可以知道驅(qū)動(dòng)電源的內(nèi)阻越小，驅(qū)動(dòng)速度越快。

（2）驅(qū)動(dòng)電路延遲時(shí)間要小。開(kāi)關(guān)頻率越高，延遲時(shí)間要越小。

（3）大功率IGBT在關(guān)斷時(shí)，有時(shí)須加反向電壓，以防止受到干擾時(shí)誤開(kāi)通。

（4）驅(qū)動(dòng)信號(hào)有時(shí)要求電氣隔離。

以PWM DC-DC全橋變換器為例，其同一橋臂的兩只開(kāi)關(guān)管的驅(qū)動(dòng)信號(hào)S上和S下相差1800，是剛好相反的，即一只開(kāi)關(guān)管開(kāi)通，另一只開(kāi)關(guān)管要關(guān)斷，或者同時(shí)關(guān)斷。其中，兩只上臂的開(kāi)關(guān)管之間和下臂的開(kāi)關(guān)管必須隔離。對(duì)于中小功率的驅(qū)動(dòng)電路，用脈沖變壓器的方法實(shí)現(xiàn)隔離為簡(jiǎn)單，而在大功率的應(yīng)用場(chǎng)合，則要使用集成驅(qū)動(dòng)器驅(qū)動(dòng)。

12v直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路芯片選型

L9110 是為控制和驅(qū)動(dòng)電機(jī)設(shè)計(jì)的兩通道推挽來(lái)式功率放大專用集成電路器件，將自分立電路集成在單片IC 之中，使外圍器件成本降低，整機(jī)可靠性提高。該芯片有兩個(gè)TTL/CMOS兼容電平的輸入，可直接與單片機(jī)百接口，具有良好的抗干擾性；兩個(gè)輸出端能直接驅(qū)動(dòng)電機(jī)的正反向運(yùn)動(dòng)，它具有較大的電流驅(qū)動(dòng)能力，每通道能通過(guò)750~800mA 的持續(xù)電流，峰值電流能力可達(dá)1.5~2.0A;同時(shí)它具有較低的輸出飽和壓降；內(nèi)度置的鉗位二極管能釋放感性負(fù)載的反向沖擊電流，使它在問(wèn)驅(qū)動(dòng)繼電器、直流電機(jī)、步進(jìn)電機(jī)或開(kāi)關(guān)答功率管的使用上安全可靠。L9110 被廣泛應(yīng)用于玩具汽車(chē)電機(jī)驅(qū)動(dòng)、步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動(dòng)和開(kāi)關(guān)功率管等電路上。

LED驅(qū)動(dòng)器是指驅(qū)動(dòng)LED驅(qū)動(dòng)器或LED驅(qū)動(dòng)器組件正常工作的電子器件。因?yàn)長(zhǎng)EDPN結(jié)的導(dǎo)通特性決定了其適合的電源電壓和電流變化范圍很小，稍有偏差就可能不能點(diǎn)亮LED，發(fā)光效率嚴(yán)重下降，或縮短使用壽命甚至燒毀芯片。目前工頻電源和普通電池電源都不適合直接向LED供電，LED驅(qū)動(dòng)器就是這種電子元件，可使驅(qū)動(dòng)LED在良好的電壓或電流狀態(tài)下工作。

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