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igbt驅(qū)動(dòng)電路的簡(jiǎn)介

IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開(kāi)關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。

圖1所示為一個(gè)N 溝道增強(qiáng)型絕緣柵雙極晶體管結(jié)構(gòu)， N+ 區(qū)稱為源區(qū)，附于其上的電極稱為源極。N+ 區(qū)稱為漏區(qū)。器件的控制區(qū)為柵區(qū)，附于其上的電極稱為柵極。溝道在緊靠柵區(qū)邊界形成。在漏、源之間的P 型區(qū)（包括P+ 和P 一區(qū)）（溝道在該區(qū)域形成），稱為亞溝道區(qū)（ Subchannel region ）。而在漏區(qū)另一側(cè)的P+ 區(qū)稱為漏注入?yún)^(qū)（ Drain injector ），它是IGBT 特有的功能區(qū)，與漏區(qū)和亞溝道區(qū)一起形成PNP 雙極晶體管，起發(fā)射極的作用，向漏極注入空穴，進(jìn)行導(dǎo)電調(diào)制，以降低器件的通態(tài)電壓。附于漏注入?yún)^(qū)上的電極稱為漏極。

IGBT的開(kāi)關(guān)作用是通過(guò)加正向柵極電壓形成溝道，給PNP 晶體管提供基極電流，使IGBT 導(dǎo)通。反之，加反向門極電壓消除溝道，切斷基極電流，使IGBT 關(guān)斷。IGBT 的驅(qū)動(dòng)方法和MOSFET 基本相同，只需控制輸入極N一溝道MOSFET ，所以具有高輸入阻抗特性。當(dāng)MOSFET 的溝道形成后，從P+ 基極注入到N 一層的空穴（少子），對(duì)N 一層進(jìn)行電導(dǎo)調(diào)制，減小N 一層的電阻，使IGBT 在高電壓時(shí)，也具有低的通態(tài)電壓。

半橋全橋驅(qū)動(dòng)電路的作用是什么？

半橋全橋復(fù)的驅(qū)動(dòng)電路是使功率管產(chǎn)生交流制電的觸發(fā)信號(hào)，并不是將交流信號(hào)變直流信號(hào)。百即使單片度機(jī)可以輸出直流信號(hào)，但是它問(wèn)的驅(qū)動(dòng)能力也是有限的，所以單片機(jī)一般做驅(qū)動(dòng)答信號(hào)，驅(qū)動(dòng)大的功率管，來(lái)產(chǎn)生大電流從而才能驅(qū)動(dòng)電機(jī)。

瑞泰威主營(yíng)業(yè)務(wù)為:驅(qū)動(dòng)IC、存儲(chǔ)IC、觸摸IC等電子元器件產(chǎn)品，產(chǎn)品型號(hào)齊全，能夠滿足您不同性能需求的電子元器件產(chǎn)品。生產(chǎn)之后，經(jīng)過(guò)嚴(yán)密測(cè)試分析流程才出貨，保持和提高產(chǎn)品可靠性，月出貨量100萬(wàn)PCS。

由于LED產(chǎn)業(yè)形勢(shì)轉(zhuǎn)好，大陸芯片廠商加大了擴(kuò)產(chǎn)力度。就當(dāng)前LED廠商外延片擴(kuò)張計(jì)劃而言，海外廠商擴(kuò)張的動(dòng)力不足。在這些國(guó)家中，中國(guó)大陸廠商是擴(kuò)產(chǎn)的主力。在這種趨勢(shì)下，大陸企業(yè)正加速進(jìn)入LED外延片擴(kuò)產(chǎn)的新一輪浪潮，中國(guó)大陸也有望成為L(zhǎng)ED芯片“代工基地”。

而且，隨著大陸LED外延芯片的不斷擴(kuò)大，國(guó)產(chǎn)器件MOCVD也將迎來(lái)新一輪的增長(zhǎng)浪潮。根據(jù)調(diào)查機(jī)構(gòu)的數(shù)據(jù)，2016年全球新增136個(gè)MOCVD裝置，現(xiàn)在有3102個(gè)。此外，國(guó)產(chǎn)MOCVD的市場(chǎng)份額在2016年合計(jì)僅為11%，但在經(jīng)過(guò)2016年客戶端驗(yàn)證后，國(guó)產(chǎn)MOCVD將迎來(lái)新機(jī)，特別是大陸廠商的大力擴(kuò)張，必將有力的推動(dòng)國(guó)產(chǎn)MOCVD的發(fā)展。