無(wú)錫方格環(huán)保設(shè)備有限公司主營(yíng)：預(yù)制艙,預(yù)裝式變電站,集裝箱,環(huán)保設(shè)備,水處理設(shè)備,電力設(shè)備

目前隨著電力電子技術(shù)的發(fā)展，特別是IGBT器件的出現(xiàn)和控制技術(shù)的提高，另外一種有別于傳統(tǒng)的以電容器、電抗器為基礎(chǔ)元器件的無(wú)功補(bǔ)償設(shè)備應(yīng)運(yùn)而生，就是SVG (Static Var Generator) ，即靜止無(wú)功發(fā)生器，它通過(guò)PWM脈寬調(diào)制控制技術(shù)，使其發(fā)出無(wú)功功率，呈容性；或者吸收無(wú)功功率，呈感性。

SVG由于沒(méi)有大量使用電容器，而是采用橋式變流電路多電平技術(shù)或PWM技術(shù)來(lái)進(jìn)行處理，所以不需要使用時(shí)對(duì)系統(tǒng)中的阻抗進(jìn)行計(jì)算。同時(shí)，相較于SVC，SVG還有體積小、能更加快速的連續(xù)動(dòng)態(tài)平滑的調(diào)節(jié)無(wú)功功率的優(yōu)點(diǎn)，同時(shí)可容性雙向補(bǔ)償。

磁閥式可控電抗器的主鐵心分裂為兩半（即鐵心1和鐵心2），截面積為A,每一半鐵心截面積具有減小的一段，四個(gè)匝數(shù)為N/2的線圈分別對(duì)稱地繞在兩個(gè)半鐵心柱上（半鐵心柱上的線圈總匝數(shù)為N），每一半鐵心柱的上下兩繞組各有一抽頭比為δ= N2 / N 的抽頭，它們之間接有晶閘管KP1 ( KP2 ),不同鐵心上的上下兩個(gè)繞組交叉連接后，并聯(lián)至電網(wǎng)電源，續(xù)流二極管則橫跨在交叉端點(diǎn)上。在整個(gè)容量調(diào)節(jié)范圍內(nèi)，只有小面積段的磁路飽和，其余段均處于未飽和的線性狀態(tài)，通過(guò)改變小截面段磁路的飽和程度來(lái)改變電抗器的容量。

在電源的一個(gè)工頻周期內(nèi)，晶閘管KP1 、KP2 的輪流導(dǎo)通起了全波整流的作用，二極管起著續(xù)流作用。改變KP1 、KP2 的觸發(fā)角便可改變控制電流的大小，從而改變電抗器鐵心的飽和度，以平滑連續(xù)地調(diào)節(jié)電抗器的容量。

占地面積

由于MCR沒(méi)有像TCR一樣采用晶閘管閥組以及空心相控電抗器，而是采用晶閘管控制部分飽和式電抗器，因此，比TCR面積要小。

響應(yīng)速度

MCR型SVC的響應(yīng)速度一般在100 ~ 300ms之內(nèi)?？煽厥斤柡碗娍蛊麒F芯內(nèi)的磁通有慣性，從空載到額定的變化，一般在秒級(jí)以上。雖然現(xiàn)在也可采取一些措施提高M(jìn)CR型SVC的響應(yīng)速度，但一般也很難低于150ms。