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驅(qū)動電路時應(yīng)考慮哪些因素

近幾年來MOSFET和IGBT在變頻調(diào)速裝置、開關(guān)電源、不間斷電源等各種、低損耗和低噪音的場合得到了廣泛的應(yīng)用。這些功率器件的運行狀態(tài)直接決定了設(shè)備的優(yōu)劣，而性能良好的驅(qū)動電路又是開關(guān)器件安全可靠運行的重要保障。在設(shè)計MOSFET和IGBT的驅(qū)動電路時，應(yīng)考慮一下幾個因素：

（1）要有一定的驅(qū)動功率。也就是說，驅(qū)動電路能提供足夠的電流，在所要求的開通時間和關(guān)斷時間內(nèi)對MOSFET和IGBT的輸入電容Ciss充電和放電。輸入電容Ciss包括柵——源之間的電容CGS和柵——漏之間的電容CGD。 MOSFET和 IGBT的開通和關(guān)斷實質(zhì)上是對其輸入電容的充放電過程e799bee5baa6e59b9ee7ad9431333337383832，柵極電壓VGS的上升時間tr和下降時間tf決定輸入回路的時間常數(shù)，即：tr（或tf）=2.2RCiss ，式中R是輸入回路電阻，其中包括驅(qū)動電源的內(nèi)阻Ri。從上式中可以知道驅(qū)動電源的內(nèi)阻越小，驅(qū)動速度越快。

（2）驅(qū)動電路延遲時間要小。開關(guān)頻率越高，延遲時間要越小。

（3）大功率IGBT在關(guān)斷時，有時須加反向電壓，以防止受到干擾時誤開通。

（4）驅(qū)動信號有時要求電氣隔離。

以PWM DC-DC全橋變換器為例，其同一橋臂的兩只開關(guān)管的驅(qū)動信號S上和S下相差1800，是剛好相反的，即一只開關(guān)管開通，另一只開關(guān)管要關(guān)斷，或者同時關(guān)斷。其中，兩只上臂的開關(guān)管之間和下臂的開關(guān)管必須隔離。對于中小功率的驅(qū)動電路，用脈沖變壓器的方法實現(xiàn)隔離為簡單，而在大功率的應(yīng)用場合，則要使用集成驅(qū)動器驅(qū)動。

伴隨著技術(shù)的發(fā)展，燈具在市場上有了可觀的發(fā)展空間，綠色環(huán)保節(jié)能的燈具得到了廣大消費者的認(rèn)可，以其本身壽命長，節(jié)能等優(yōu)點被許多家庭所采用，無論什么類型的燈都是少不了驅(qū)動芯片的，選擇好的驅(qū)動芯片自然很重要，該怎么選，您認(rèn)為呢？

驅(qū)動芯片的額定輸入電壓范圍為：直流8~40V，以適應(yīng)廣泛應(yīng)用的需要。好的抗壓性是大于45V。在交流12V或24V電壓條件下，簡單橋式整流器的輸出電壓將隨電網(wǎng)電壓而波動，尤其是在電壓偏高時，直流輸出電壓也將偏高。若驅(qū)動IC沒有較寬的輸入電壓范圍，就容易在電網(wǎng)電壓升高時擊穿，導(dǎo)致LED光源燒毀。

1、驅(qū)動芯片的封裝應(yīng)該有利于驅(qū)動芯片管芯的快速散熱，例如直接將裸片固定在銅片上，并且有一針直接延伸到封裝外部，以便于直接在PCB板的銅箔上直接導(dǎo)熱。當(dāng)電流達到300~1,000mA時，類似于4X4mm的芯片一定會產(chǎn)生功率損耗和發(fā)熱，因此，芯片本身的物理散熱結(jié)構(gòu)也很重要。

2、驅(qū)動芯片抗EMI、噪音和高壓的性能也與整個LED燈具產(chǎn)品能否順利通過CE、UL等認(rèn)證有關(guān)，因此在驅(qū)動芯片設(shè)計中要選擇先進的拓樸結(jié)構(gòu)和高壓生產(chǎn)工藝。

3、驅(qū)動芯片本身的功耗要求小于0.5W，開關(guān)工作頻率要求大于120Hz，以免工頻干擾引起可見閃爍。

總之，無論是筒燈還是照明燈具都離不開驅(qū)動芯片。