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用什么直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)芯片（三）

其中多路轉(zhuǎn)換器開關(guān)依次接入產(chǎn)生反電動(dòng)勢的繞組，比較中點(diǎn)模擬器與多路轉(zhuǎn)換器的輸出，可以得出兩路輸出波形相似，幅度不同，交叉點(diǎn)即反電動(dòng)勢過零點(diǎn)。這兩路輸出通過右邊的比較器輸出為轉(zhuǎn)子當(dāng)前的相位信號，決定換向頻率(VCO)的增減，換向頻率與采樣反電勢相位比較，落后的換向使誤差放大器向環(huán)路濾波器充電，從而增大VCO輸入。相反，提早換向?qū)?huì)引起環(huán)路濾波器上電容放電，使VCO輸入減少。利用此鎖相環(huán)(PLL)技術(shù)，獲得適當(dāng)?shù)膿Q向時(shí)刻。此外，從RCVCO腳取出的信號是代表電動(dòng)機(jī)速度的電壓信號，可用于閉環(huán)速度控制。速度的頻率信號可由監(jiān)視VCO的輸出來得到，它是鎖相環(huán)鎖定到電機(jī)準(zhǔn)確的換向頻率的信號。

2.2 起動(dòng)換向技術(shù)

換向是由反電勢信號采樣檢出經(jīng)鎖相環(huán)控制而完成的，在電機(jī)靜止及低速運(yùn)行時(shí)，其反電勢為零或極低，無法檢測，因此必須由其它方法“開環(huán)”起動(dòng)，到產(chǎn)生足夠大的反電勢方能進(jìn)入正常換向。

ML4428控制芯片提供了完滿的起動(dòng)換向技術(shù)：ML4428內(nèi)部有一個(gè)RUN比較器，RCVCO腳電壓信號代表了電動(dòng)機(jī)的速度信號，起動(dòng)時(shí)RCVCO腳電壓低于0.6V，RUN比較器輸出“開啟”起動(dòng)邏輯電路，“關(guān)閉”換向邏輯電路，ML4428將發(fā)出6個(gè)取樣來測定轉(zhuǎn)子位置，并驅(qū)動(dòng)相應(yīng)的線圈以產(chǎn)生所需轉(zhuǎn)動(dòng)，這將導(dǎo)致電機(jī)加速直到RCVCO腳電壓達(dá)到0.6V，速度足夠高產(chǎn)生被檢測的反電勢，此時(shí)RUN比較器輸出關(guān)閉起動(dòng)邏輯電路，允許鎖相環(huán)電路工作開始，進(jìn)入正常的換向邏輯工作狀態(tài)，經(jīng)檢測此時(shí)電機(jī)速度是電機(jī)轉(zhuǎn)速的8%。

DDR做為運(yùn)用普遍的動(dòng)態(tài)性隨機(jī)存儲(chǔ)器儲(chǔ)存器，被運(yùn)用于無線路由器、光纖貓等機(jī)器設(shè)備中，DDR容許在脈沖發(fā)生器的上升沿和降低沿讀出數(shù)據(jù)，因此其速率是規(guī)范SDRAM的二倍。

以瑞泰威發(fā)布的高質(zhì)量DDR為例子，容積為64Mb*16/128Mb*16/255Mb*16/512Mb*16等，

封裝規(guī)格BGA96Ball8*14mm/7.5*13.5毫米等，操作溫度0°C~85°C，工作標(biāo)準(zhǔn)電壓1.9V/1.35V，有著優(yōu)異的速率傳送數(shù)據(jù)，能夠 迅速、輕輕松松地解決很多工作中負(fù)荷，在更迅速與更節(jié)電的另外亦可以增強(qiáng)信號的一致性、改進(jìn)材料傳送及存儲(chǔ)的可信性。

?晶片購買價(jià)格

對芯片的采購，分為前期和后期兩個(gè)階段。

晶片采購前期，就是晶片的選擇，品牌的選擇，數(shù)量的確定，在項(xiàng)目電路方案評審之前，是工程師的主要工作內(nèi)容，工程師對項(xiàng)目的方案BOM表進(jìn)行審核，并以此初步估算項(xiàng)目的成本。

晚些時(shí)候，是芯片的批量采購，是根據(jù)工程師提供的BOM表，和芯片供應(yīng)商商談后的批量采購價(jià)格。

晶片的終批量采購價(jià)格，一般是在前期工程師晶片采購價(jià)格估算的基礎(chǔ)上，多次與廠商進(jìn)行降價(jià)的結(jié)果。它還可以解釋工程師們關(guān)注芯片采購的必要性。