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驅(qū)動(dòng)電路時(shí)應(yīng)考慮哪些因素

近幾年來(lái)MOSFET和IGBT在變頻調(diào)速裝置、開(kāi)關(guān)電源、不間斷電源等各種、低損耗和低噪音的場(chǎng)合得到了廣泛的應(yīng)用。這些功率器件的運(yùn)行狀態(tài)直接決定了設(shè)備的優(yōu)劣，而性能良好的驅(qū)動(dòng)電路又是開(kāi)關(guān)器件安全可靠運(yùn)行的重要保障。在設(shè)計(jì)MOSFET和IGBT的驅(qū)動(dòng)電路時(shí)，應(yīng)考慮一下幾個(gè)因素：

（1）要有一定的驅(qū)動(dòng)功率。也就是說(shuō)，驅(qū)動(dòng)電路能提供足夠的電流，在所要求的開(kāi)通時(shí)間和關(guān)斷時(shí)間內(nèi)對(duì)MOSFET和IGBT的輸入電容Ciss充電和放電。輸入電容Ciss包括柵——源之間的電容CGS和柵——漏之間的電容CGD。 MOSFET和 IGBT的開(kāi)通和關(guān)斷實(shí)質(zhì)上是對(duì)其輸入電容的充放電過(guò)程e799bee5baa6e59b9ee7ad9431333337383832，柵極電壓VGS的上升時(shí)間tr和下降時(shí)間tf決定輸入回路的時(shí)間常數(shù)，即：tr（或tf）=2.2RCiss ，式中R是輸入回路電阻，其中包括驅(qū)動(dòng)電源的內(nèi)阻Ri。從上式中可以知道驅(qū)動(dòng)電源的內(nèi)阻越小，驅(qū)動(dòng)速度越快。

（2）驅(qū)動(dòng)電路延遲時(shí)間要小。開(kāi)關(guān)頻率越高，延遲時(shí)間要越小。

（3）大功率IGBT在關(guān)斷時(shí)，有時(shí)須加反向電壓，以防止受到干擾時(shí)誤開(kāi)通。

（4）驅(qū)動(dòng)信號(hào)有時(shí)要求電氣隔離。

以PWM DC-DC全橋變換器為例，其同一橋臂的兩只開(kāi)關(guān)管的驅(qū)動(dòng)信號(hào)S上和S下相差1800，是剛好相反的，即一只開(kāi)關(guān)管開(kāi)通，另一只開(kāi)關(guān)管要關(guān)斷，或者同時(shí)關(guān)斷。其中，兩只上臂的開(kāi)關(guān)管之間和下臂的開(kāi)關(guān)管必須隔離。對(duì)于中小功率的驅(qū)動(dòng)電路，用脈沖變壓器的方法實(shí)現(xiàn)隔離為簡(jiǎn)單，而在大功率的應(yīng)用場(chǎng)合，則要使用集成驅(qū)動(dòng)器驅(qū)動(dòng)。

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此外,在畫(huà)質(zhì)主要表現(xiàn)上,低更亮可靠性一直是修羅神欣賞間距與顯示信息實(shí)際效果的重要,單一色調(diào)均值恒流電源驅(qū)動(dòng)器至少能致15uA,灰度級(jí)數(shù)可做到16bit,使顯示信息界面的飽和度與勻稱性更為細(xì)致,另外也可以做到環(huán)保節(jié)能低能耗的實(shí)際效果。

工業(yè)范疇很大，尤其是隨著工業(yè)4.0概念的提出，不止是數(shù)據(jù)采集、大數(shù)據(jù)分析、企業(yè)上云，還需要將分析處理完的數(shù)據(jù)返回到現(xiàn)場(chǎng)，參與到具體的控制中，從而形成真正的閉環(huán)。而電機(jī)驅(qū)動(dòng)作為整個(gè)閉環(huán)中的執(zhí)行器環(huán)節(jié)，其性能好壞直接影響到整個(gè)閉環(huán)的性能。瑞泰威驅(qū)動(dòng)IC廠家，是國(guó)內(nèi)IC電子元器件的代理銷售企業(yè)，專業(yè)從事各類驅(qū)動(dòng)IC、存儲(chǔ)IC、傳感器IC、觸摸IC銷售，品類齊全，具備上百個(gè)型號(hào)。

因此，工業(yè)4.0對(duì)電機(jī)驅(qū)動(dòng)提出了更高的性能和功能要求，例如更快的響應(yīng)速度、更高的帶寬、更高的精度的位置和速度控制、以及更豐富的網(wǎng)絡(luò)互聯(lián)功能等。同時(shí)，還迫切要求電機(jī)尺寸越來(lái)越小、功率密度越大越好，就像當(dāng)前應(yīng)用于工業(yè)機(jī)器人領(lǐng)域的書(shū)本型伺服驅(qū)動(dòng)器，通常還沒(méi)有一本《新華字典》大。