DC-DC電源芯片供應(yīng) 專業(yè)電源管理芯片批發(fā)
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DC-DC電源芯片供應(yīng)-專業(yè)電源管理芯片批發(fā)

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型號(hào) 齊全
封裝 SOP
批號(hào) 20+
功率 正常功率
可售賣地 全國(guó)
產(chǎn)地 中國(guó)
發(fā)票 支持
規(guī)格型號(hào) 齊全
數(shù)量 9999
供貨類別 現(xiàn)貨
電源電源 正常標(biāo)準(zhǔn)
品牌 瑞泰威
供貨方式 加工、定制、銷售
報(bào)價(jià)方式 按實(shí)際訂單報(bào)價(jià)為準(zhǔn)
配送服務(wù) 同城可配送到場(chǎng),其他可快遞、物流、貨運(yùn)
倉(cāng)庫(kù)地址 深圳市南山區(qū)桃源街道峰景社區(qū)龍珠大道040號(hào)梅州大廈1511
產(chǎn)品編號(hào) 13483979
商品介紹
深圳市瑞泰威科技有限公司主營(yíng):各類驅(qū)動(dòng)IC,存儲(chǔ)IC,傳感器IC,觸摸IC銷售,




LED顯示屏常用的驅(qū)動(dòng)IC都有什么?

對(duì)LED大屏幕常用的IC都有哪些,下面對(duì)常見IC做個(gè)簡(jiǎn)單匯總,方便大家參考:

74HC245的作用:信號(hào)功率放大,雙向3態(tài)數(shù)據(jù)緩沖器(不帶鎖存),就是給低輸出能力的芯片提供高帶載能力;

74HC138的作用:八位二進(jìn)制譯十進(jìn)制譯碼器;

4953的作用:行驅(qū)動(dòng)管,功率管;

74HC595的作用:列驅(qū)動(dòng)管,LED驅(qū)動(dòng)芯片,8位移位鎖存器(主用室內(nèi)單元板);




臺(tái)灣聚積MBI5024, MBI5026, 日本東芝TB62726的作用:LED驅(qū)動(dòng)芯片,16位移位鎖存器(主要用于室外模組);其功能與74HC595相似,只是TB62726是16位移位鎖存器,并帶輸出電流調(diào)整功能,但在并行輸出口上不會(huì)出現(xiàn)高電平,只有高阻狀態(tài)和低電平狀態(tài)。74HC595并行輸出口有高電平和低電平輸出,TB62726與5026的引腳功能一樣,結(jié)構(gòu)相似。LED顯示屏(LED display)是一種平板顯示器,由一個(gè)個(gè)小的LED模塊面板組成,用來(lái)顯示文字、圖像、視頻、錄像信號(hào)等各種信息的設(shè)備。

LED ,發(fā)光二極管(light emitting diode縮寫)。它是一種通過控制半導(dǎo)體發(fā)光二極管的顯示方式,由(Ga)與(As)、磷(P)、氮(N)、銦(In)的化合物制成的二極管,當(dāng)電子與空穴復(fù)合時(shí)能輻射出可見光,因而可以用來(lái)制成發(fā)光二極管。在電路及儀器中作為指示燈,或者組成文字或數(shù)字顯示。磷二極管發(fā)紅光,磷化二極管發(fā)綠光,碳化硅二極管發(fā)黃光,銦氮二極管發(fā)藍(lán)光。



MOSFET為什么要驅(qū)動(dòng)電路

現(xiàn)在市面上實(shí)際應(yīng)用的多是平面工藝的MOSFET,在開關(guān)電源等領(lǐng)域應(yīng)用非常普遍,一般作為百開關(guān)管使用。實(shí)際的MOSFET有別于理想的MOSFET,柵極和源度極,源極和漏極都是存在電容的,要用合適的驅(qū)動(dòng)電路才能使MOS管工作在低導(dǎo)通損耗的開關(guān)狀態(tài)。比如600V的MOS管多用8-12V的柵極電壓驅(qū)動(dòng),并且要求一定的驅(qū)動(dòng)能力。



也可以內(nèi)用示波器看MOS管的波形,看是否工作在完全導(dǎo)通狀態(tài),上升和下降時(shí)間在輻射容滿足要求的情況下,盡量的陡峭。



IGBT的驅(qū)動(dòng)電路特點(diǎn)(一)

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。



輸出特性與轉(zhuǎn)移特性:

IGBT的伏安特性是指以柵極電壓VGE為參變量時(shí),集電極電流IC與集電極電壓VCE之間的關(guān)系曲線。IGBT的伏安特性與BJT的輸出特性相似,也可分為飽和區(qū)I、放大區(qū)II和擊穿區(qū)III三部分。IGBT作為開關(guān)器件穩(wěn)態(tài)時(shí)主要工作在飽和導(dǎo)通區(qū)。IGBT的轉(zhuǎn)移特性是指集電極輸出電流IC與柵極電壓之間的關(guān)系曲線。它與MOSFET的轉(zhuǎn)移特性相同,當(dāng)柵極電壓VGE小于開啟電壓VGE(th)時(shí),IGBT處于關(guān)斷狀態(tài)。在IGBT導(dǎo)通后的大部分集電極電流范圍內(nèi),IC與VGE呈線性關(guān)系。

IGBT與MOSFET的對(duì)比:

MOSFET全稱功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管。它的三個(gè)極分別是源極(S)、漏極(D)和柵極(G)。

主要優(yōu)點(diǎn):熱穩(wěn)定性好、安全工作區(qū)大。

缺點(diǎn):擊穿電壓低,工作電流小。



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