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MOSFET為什么要驅(qū)動電路

現(xiàn)在市面上實(shí)際應(yīng)用的多是平面工藝的MOSFET，在開關(guān)電源等領(lǐng)域應(yīng)用非常普遍，一般作為百開關(guān)管使用。實(shí)際的MOSFET有別于理想的MOSFET，柵極和源度極，源極和漏極都是存在電容的，要用合適的驅(qū)動電路才能使MOS管工作在低導(dǎo)通損耗的開關(guān)狀態(tài)。比如600V的MOS管多用8-12V的柵極電壓驅(qū)動，并且要求一定的驅(qū)動能力。

也可以內(nèi)用示波器看MOS管的波形，看是否工作在完全導(dǎo)通狀態(tài)，上升和下降時(shí)間在輻射容滿足要求的情況下，盡量的陡峭。

igbt驅(qū)動電路的簡介

IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域。

圖1所示為一個(gè)N 溝道增強(qiáng)型絕緣柵雙極晶體管結(jié)構(gòu)， N+ 區(qū)稱為源區(qū)，附于其上的電極稱為源極。N+ 區(qū)稱為漏區(qū)。器件的控制區(qū)為柵區(qū)，附于其上的電極稱為柵極。溝道在緊靠柵區(qū)邊界形成。在漏、源之間的P 型區(qū)（包括P+ 和P 一區(qū)）（溝道在該區(qū)域形成），稱為亞溝道區(qū)（ Subchannel region ）。而在漏區(qū)另一側(cè)的P+ 區(qū)稱為漏注入?yún)^(qū)（ Drain injector ），它是IGBT 特有的功能區(qū)，與漏區(qū)和亞溝道區(qū)一起形成PNP 雙極晶體管，起發(fā)射極的作用，向漏極注入空穴，進(jìn)行導(dǎo)電調(diào)制，以降低器件的通態(tài)電壓。附于漏注入?yún)^(qū)上的電極稱為漏極。

IGBT的開關(guān)作用是通過加正向柵極電壓形成溝道，給PNP 晶體管提供基極電流，使IGBT 導(dǎo)通。反之，加反向門極電壓消除溝道，切斷基極電流，使IGBT 關(guān)斷。IGBT 的驅(qū)動方法和MOSFET 基本相同，只需控制輸入極N一溝道MOSFET ，所以具有高輸入阻抗特性。當(dāng)MOSFET 的溝道形成后，從P+ 基極注入到N 一層的空穴（少子），對N 一層進(jìn)行電導(dǎo)調(diào)制，減小N 一層的電阻，使IGBT 在高電壓時(shí)，也具有低的通態(tài)電壓。

液晶顯示驅(qū)動之靜態(tài)驅(qū)動法介紹

靜態(tài)數(shù)據(jù)驅(qū)動器法是取得好顯示信息品質(zhì)的基礎(chǔ)的方式。它適用筆段型液晶顯示屏元器件的驅(qū)動器。表一示出該類液晶顯示屏元器件的電級構(gòu)造，當(dāng)多名數(shù)字組合時(shí)，諸位的背電級BP是聯(lián)接在一起的。

震蕩器的差分信號經(jīng)分音器后立即釋放在液晶顯示屏元器件的背電級BP上，而段電級的差分信號是由顯示信息挑選數(shù)據(jù)信號A與時(shí)序單脈沖根據(jù)邏輯性異或生成造成，當(dāng)一位顯示信息清晰度被顯示信息挑選時(shí)，A=1,該顯示信息清晰度上兩電級的單脈沖工作電壓位置相距180.,在顯示信息清晰度上造成2V的工作電壓脈沖序列，使該顯示信息清晰度展現(xiàn)顯示信息特點(diǎn)；當(dāng)一位顯示信息清晰度為非顯示信息挑選時(shí)，A=0,該顯示信息清晰度上兩電級的單脈沖工作電壓位置同樣，在顯示信息清晰度上生成工作電壓單脈沖為0V,進(jìn)而完成無法顯示的實(shí)際效果。這就是靜態(tài)數(shù)據(jù)驅(qū)動器法。以便提升顯示信息的飽和度，適度地調(diào)節(jié)單脈沖的工作電壓就可以。