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MOSFET為什么要驅(qū)動(dòng)電路

現(xiàn)在市面上實(shí)際應(yīng)用的多是平面工藝的MOSFET，在開關(guān)電源等領(lǐng)域應(yīng)用非常普遍，一般作為百開關(guān)管使用。實(shí)際的MOSFET有別于理想的MOSFET，柵極和源度極，源極和漏極都是存在電容的，要用合適的驅(qū)動(dòng)電路才能使MOS管工作在低導(dǎo)通損耗的開關(guān)狀態(tài)。比如600V的MOS管多用8-12V的柵極電壓驅(qū)動(dòng)，并且要求一定的驅(qū)動(dòng)能力。

也可以內(nèi)用示波器看MOS管的波形，看是否工作在完全導(dǎo)通狀態(tài)，上升和下降時(shí)間在輻射容滿足要求的情況下，盡量的陡峭。

為什么在led驅(qū)動(dòng)電源中要盡量使用mosfet器件

LED驅(qū)動(dòng)電源是否一定要用(mosfet器件)MOS管應(yīng)從產(chǎn)品性價(jià)比、系統(tǒng)來散熱（包括電源本身和燈具）幾方面考慮，并不一定要求LED電源要用MOS管：

1、從散源熱角度考慮：LED驅(qū)動(dòng)電源和LED燈珠既是熱源體又是受熱體，根據(jù)多年設(shè)計(jì)經(jīng)驗(yàn)，我們賽明源電源在設(shè)計(jì)30W以上電源時(shí)全部使用MOS管與控制IC分離方案。因?yàn)榘?，就現(xiàn)有技術(shù)（截止2015年）內(nèi)置MOS管方案超過30W以上電源散熱就是問題，系統(tǒng)很難保證其穩(wěn)定性；

2、從度性價(jià)比上考慮：在設(shè)計(jì)30W以下LED電源時(shí)，賽明知源電源有些采用內(nèi)置MOS管方案道，因?yàn)檫@種方案已經(jīng)成熟，散熱不是問題，系統(tǒng)穩(wěn)定性較高。小功率LED電源可以不用考慮使用MOS，再說內(nèi)置MOS方案EMC指標(biāo)很容易通過。

由于LED產(chǎn)業(yè)形勢(shì)轉(zhuǎn)好，大陸芯片廠商加大了擴(kuò)產(chǎn)力度。就當(dāng)前LED廠商外延片擴(kuò)張計(jì)劃而言，海外廠商擴(kuò)張的動(dòng)力不足。在這些國家中，中國大陸廠商是擴(kuò)產(chǎn)的主力。在這種趨勢(shì)下，大陸企業(yè)正加速進(jìn)入LED外延片擴(kuò)產(chǎn)的新一輪浪潮，中國大陸也有望成為LED芯片“代工基地”。

而且，隨著大陸LED外延芯片的不斷擴(kuò)大，國產(chǎn)器件MOCVD也將迎來新一輪的增長浪潮。根據(jù)調(diào)查機(jī)構(gòu)的數(shù)據(jù)，2016年全球新增136個(gè)MOCVD裝置，現(xiàn)在有3102個(gè)。此外，國產(chǎn)MOCVD的市場份額在2016年合計(jì)僅為11%，但在經(jīng)過2016年客戶端驗(yàn)證后，國產(chǎn)MOCVD將迎來新機(jī)，特別是大陸廠商的大力擴(kuò)張，必將有力的推動(dòng)國產(chǎn)MOCVD的發(fā)展。