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大尺寸LCD驅(qū)動(dòng)IC的特點(diǎn)

大尺寸LCD驅(qū)動(dòng)IC的特點(diǎn)

，高電7a6431333365643535壓工藝。模擬電路中電壓越高，驅(qū)動(dòng)能力越強(qiáng)，因此大尺寸LCD驅(qū)動(dòng)IC采用高電壓制造工藝，通常Source Driver IC為10~12V， Gate Driver IC更高，達(dá)40V。

第二，運(yùn)行頻率高。液晶顯示器的分辨率越來越高，這就意味著掃描列數(shù)的增加， Gate Driver IC必須不斷提高開關(guān)頻率， Source Driver IC必須不斷提高掃描頻率。

第三，封裝工藝特殊。LCD驅(qū)動(dòng)IC通常綁定在LCD面板上，因此厚度必須盡可能地薄，通常采用高成本的TCP封裝。還有特別追求薄的，采用COG封裝，再有就是目前正在興起的COF封裝。

第四，管腳數(shù)特別多。Gate Driver IC少256腳， Source Driver IC少384腳。

第五，單一型號(hào)出貨量特別大。驅(qū)動(dòng)IC 單月平均出貨量高達(dá)1.5億片，而其中平均每個(gè)型號(hào)的出貨量達(dá)差不多在300萬片左右。LCD 的構(gòu)造是在兩片平行的玻璃當(dāng)中放置液態(tài)的晶體，兩片玻璃中間有許多垂直和水平的細(xì)小電線，透過通電與否來控制桿狀水晶分子改變方向，將光線折射出來產(chǎn)生畫面。

MOSFET幾種典型驅(qū)動(dòng)電路（二）

模擬電路

有一段時(shí)間，MOSFET并非模擬電路設(shè)計(jì)工程師的，因?yàn)槟M電路設(shè)計(jì)重視的性能參數(shù)，如晶體管的轉(zhuǎn)導(dǎo)（transconductance）或是電流的驅(qū)動(dòng)力上，MOSFET不如BJT來得適合模擬電路的需求。但是隨著MOSFET技術(shù)的不斷演進(jìn)，今日的CMOS技術(shù)也已經(jīng)可以符合很多模擬電路的規(guī)格需求。再加上MOSFET因?yàn)榻Y(jié)構(gòu)的關(guān)系，沒有BJT的一些致命缺點(diǎn)，如熱破壞（thermal runaway）。另外，MOSFET在線性區(qū)的壓控電阻特性亦可在集成電路里用來取代。

隨著半導(dǎo)體制造技術(shù)的進(jìn)步，對(duì)于整合更多功能至單一芯片的需求也跟著大幅提升，此時(shí)用MOSFET設(shè)計(jì)模擬電路的另外一個(gè)優(yōu)點(diǎn)也隨之浮現(xiàn)。為了減少在印刷電路板（Printed Circuit Board,PCB）上使用的集成電路數(shù)量、減少封裝成本與縮小系統(tǒng)的體積，很多原本獨(dú)立的類比芯片與數(shù)位芯片被整合至同一個(gè)芯片內(nèi)。MOSFET原本在數(shù)位集成電路上就有很大的競(jìng)爭優(yōu)勢(shì)，在類比集成電路上也大量采用MOSFET之后，把這兩種不同功能的電路整合起來的困難度也顯著的下降。另外像是某些混合信號(hào)電路（Mixed-signal circuits），如類比/數(shù)位轉(zhuǎn)換器（Analog-to-Digital Converter,ADC），也得以利用MOSFET技術(shù)設(shè)計(jì)出效能更好的產(chǎn)品。

一些工程項(xiàng)目上的例如室外用1921，房間內(nèi)常用的1415等很有可能有時(shí)候會(huì)出現(xiàn)斷貨狀況，或是是交貨期較過去會(huì)增加。另外伴隨著金、銅等原輔材料的價(jià)格上漲，價(jià)錢工作壓力快速傳輸至封裝廠，再再加英國技術(shù)性封禁的工作壓力，極有可能逐步推進(jìn)在我國LED顯示芯片剛開始自主研發(fā)的新趨勢(shì)，以降低上下游商品供貨的多變性。

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