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LED電源驅(qū)動(dòng)IC燒掉是什么原因引起的

LED電源驅(qū)動(dòng)IC燒掉的原因有電器元件IC本身有問(wèn)題，也可能是電流電壓過(guò)高。

LED需要的電流和電壓的穩(wěn)定組件，在工作時(shí)，應(yīng)當(dāng)具有高的分壓電壓和低功耗的，否則，的LED會(huì)降低整個(gè)系統(tǒng)的效率，因?yàn)楣ぷ飨母撸艿脑瓌t，節(jié)能和。因此，主電流限制電路，應(yīng)使用的電路，如電容，電感或與電源開關(guān)電路，因?yàn)樗锌赡艽骐娮杌虼?lián)穩(wěn)壓電路的LED系統(tǒng)，以確保。系列恒功率輸出電路，可以在廣泛的電源LED的光輸出保持不變，但會(huì)失去一些正常的IC電路效率。通過(guò)與電源開關(guān)電路是能保證恒定的功率輸出下具有高的轉(zhuǎn)印效率的電源供應(yīng)器的戲劇性的電壓變化。

MOSFET幾種典型驅(qū)動(dòng)電路（二）

模擬電路

有一段時(shí)間，MOSFET并非模擬電路設(shè)計(jì)工程師的，因?yàn)槟M電路設(shè)計(jì)重視的性能參數(shù)，如晶體管的轉(zhuǎn)導(dǎo)（transconductance）或是電流的驅(qū)動(dòng)力上，MOSFET不如BJT來(lái)得適合模擬電路的需求。但是隨著MOSFET技術(shù)的不斷演進(jìn)，今日的CMOS技術(shù)也已經(jīng)可以符合很多模擬電路的規(guī)格需求。再加上MOSFET因?yàn)榻Y(jié)構(gòu)的關(guān)系，沒有BJT的一些致命缺點(diǎn)，如熱破壞（thermal runaway）。另外，MOSFET在線性區(qū)的壓控電阻特性亦可在集成電路里用來(lái)取代。

隨著半導(dǎo)體制造技術(shù)的進(jìn)步，對(duì)于整合更多功能至單一芯片的需求也跟著大幅提升，此時(shí)用MOSFET設(shè)計(jì)模擬電路的另外一個(gè)優(yōu)點(diǎn)也隨之浮現(xiàn)。為了減少在印刷電路板（Printed Circuit Board,PCB）上使用的集成電路數(shù)量、減少封裝成本與縮小系統(tǒng)的體積，很多原本獨(dú)立的類比芯片與數(shù)位芯片被整合至同一個(gè)芯片內(nèi)。MOSFET原本在數(shù)位集成電路上就有很大的競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)，在類比集成電路上也大量采用MOSFET之后，把這兩種不同功能的電路整合起來(lái)的困難度也顯著的下降。另外像是某些混合信號(hào)電路（Mixed-signal circuits），如類比/數(shù)位轉(zhuǎn)換器（Analog-to-Digital Converter,ADC），也得以利用MOSFET技術(shù)設(shè)計(jì)出效能更好的產(chǎn)品。

1、驅(qū)動(dòng)芯片的封裝應(yīng)該有利于驅(qū)動(dòng)芯片管芯的快速散熱，例如直接將裸片固定在銅片上，并且有一針直接延伸到封裝外部，以便于直接在PCB板的銅箔上直接導(dǎo)熱。當(dāng)電流達(dá)到300~1,000mA時(shí)，類似于4X4mm的芯片一定會(huì)產(chǎn)生功率損耗和發(fā)熱，因此，芯片本身的物理散熱結(jié)構(gòu)也很重要。

2、驅(qū)動(dòng)芯片抗EMI、噪音和高壓的性能也與整個(gè)LED燈具產(chǎn)品能否順利通過(guò)CE、UL等認(rèn)證有關(guān)，因此在驅(qū)動(dòng)芯片設(shè)計(jì)中要選擇先進(jìn)的拓樸結(jié)構(gòu)和高壓生產(chǎn)工藝。

3、驅(qū)動(dòng)芯片本身的功耗要求小于0.5W，開關(guān)工作頻率要求大于120Hz，以免工頻干擾引起可見閃爍。

總之，無(wú)論是筒燈還是照明燈具都離不開驅(qū)動(dòng)芯片。