![](/resources/assets/images/mobile.png)
![深圳市瑞泰威科技有限公司](http://img3.dns4.cn/pic/310911/p5/20200426100241_4603_zs.jpg)
深圳市瑞泰威科技有限公司
主營產(chǎn)品: 磁簧開關(guān)
瑞泰威驅(qū)動IC-數(shù)碼驅(qū)動芯片材質(zhì)-觸摸屏驅(qū)動芯片材質(zhì)
價格
訂貨量(件)
¥0.70
≥100
店鋪主推品 熱銷潛力款
䝒䝕䝑䝑䝓䝏䝑䝒䝒䝕䝗
![](/resources/assets/images/product_detail/free_bg.png)
深圳市瑞泰威科技有限公司
店齡5年
企業(yè)認證
聯(lián)系人
范清月
聯(lián)系電話
䝒䝕䝑䝑䝓䝏䝑䝒䝒䝕䝗
經(jīng)營模式
經(jīng)銷批發(fā)
所在地區(qū)
廣東省深圳市
主營產(chǎn)品
![](https://img.zhaosw.com/upload/images/467/623/afe42419-7fc8-4690-b2a5-c379f1f065bb.jpg)
![](https://img.zhaosw.com/upload/images/467/623/04f18d62-3ba3-446c-a2a1-32304ab8f95b.jpg)
![](https://img.zhaosw.com/upload/images/467/623/b0214c05-5d2e-4d85-a53d-5509e55aa0e8.jpg)
![](https://img.zhaosw.com/upload/images/467/623/146f48ac-b15d-474d-89d6-0d37e77cc1a1.jpg)
![](https://img.zhaosw.com/upload/images/467/623/1b827725-d1c5-4db1-b67c-00da2f429d06.jpg)
LED驅(qū)動電源是否一定要用(mosfet器件)MOS管應(yīng)從產(chǎn)品性價比、系統(tǒng)來散熱(包括電源本身和燈具)幾方面考慮,并不一定要求LED電源要用MOS管:
1、從散源熱角度考慮:LED驅(qū)動電源和LED燈珠既是熱源體又是受熱體,根據(jù)多年設(shè)計經(jīng)驗,我們賽明源電源在設(shè)計30W以上電源時全部使用MOS管與控制IC分離方案。因為百,就現(xiàn)有技術(shù)(截止2015年)內(nèi)置MOS管方案超過30W以上電源散熱就是問題,系統(tǒng)很難保證其穩(wěn)定性;
![](https://img.zhaosw.com/upload/images/463/123/729bc2e5-1948-46e8-8e72-8a0dd76bf7fb.jpg)
2、從度性價比上考慮:在設(shè)計30W以下LED電源時,賽明知源電源有些采用內(nèi)置MOS管方案道,因為這種方案已經(jīng)成熟,散熱不是問題,系統(tǒng)穩(wěn)定性較高。小功率LED電源可以不用考慮使用MOS,再說內(nèi)置MOS方案EMC指標很容易通過。
igbt驅(qū)動電路的簡介
IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點,驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域。
圖1所示為一個N 溝道增強型絕緣柵雙極晶體管結(jié)構(gòu), N+ 區(qū)稱為源區(qū),附于其上的電極稱為源極。N+ 區(qū)稱為漏區(qū)。器件的控制區(qū)為柵區(qū),附于其上的電極稱為柵極。溝道在緊靠柵區(qū)邊界形成。在漏、源之間的P 型區(qū)(包括P+ 和P 一區(qū))(溝道在該區(qū)域形成),稱為亞溝道區(qū)( Subchannel region )。而在漏區(qū)另一側(cè)的P+ 區(qū)稱為漏注入?yún)^(qū)( Drain injector ),它是IGBT 特有的功能區(qū),與漏區(qū)和亞溝道區(qū)一起形成PNP 雙極晶體管,起發(fā)射極的作用,向漏極注入空穴,進行導(dǎo)電調(diào)制,以降低器件的通態(tài)電壓。附于漏注入?yún)^(qū)上的電極稱為漏極。
![](https://img.zhaosw.com/upload/images/968/273/72cd86f9-cf1e-4406-a0a6-6a7845326a14.jpg)
IGBT的開關(guān)作用是通過加正向柵極電壓形成溝道,給PNP 晶體管提供基極電流,使IGBT 導(dǎo)通。反之,加反向門極電壓消除溝道,切斷基極電流,使IGBT 關(guān)斷。IGBT 的驅(qū)動方法和MOSFET 基本相同,只需控制輸入極N一溝道MOSFET ,所以具有高輸入阻抗特性。當MOSFET 的溝道形成后,從P+ 基極注入到N 一層的空穴(少子),對N 一層進行電導(dǎo)調(diào)制,減小N 一層的電阻,使IGBT 在高電壓時,也具有低的通態(tài)電壓。
驅(qū)動電路是做什么用的呢
主電路和控制百電路之間,用來對控制電路的信號進行放大的中間電路(即放大控制電路的信號使其能夠驅(qū)動功率晶體管),稱為驅(qū)動電路。
按照驅(qū)動電路加在電力電子器件控制端和公共端之間信號的性質(zhì),可以將電力電子器件分為電流驅(qū)動型和電壓驅(qū)動型兩類度。晶閘管是半控型器件,一般其驅(qū)動電路成為觸發(fā)電路,下面分別分析晶閘管的觸發(fā)電路,GTO、GTR、電力MOSFET和IGBT的驅(qū)動電路.
![](https://img.zhaosw.com/upload/images/813/283/e89c3f02-b3af-430d-91e9-f3dc813bc1e6.jpg)
![](/resources/assets/images/product_detail/icon_qq.png)