瑞泰威驅(qū)動IC 數(shù)碼驅(qū)動芯片材質(zhì) 觸摸屏驅(qū)動芯片材質(zhì)
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產(chǎn)地 中國
電源電壓 正常標準
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數(shù)量 9999
貨源類別 現(xiàn)貨
品牌 瑞泰威
可售賣地 全國
型號規(guī)格 齊全
供貨方式 加工、定制、銷售
配送服務(wù) 同城可配送到廠,其他可以快遞、物流、貨運
特色服務(wù) 全新原裝正品 24小時內(nèi)發(fā)貨
報價方式 按實際訂單報價為準
產(chǎn)品編號 13779069
商品介紹
深圳市瑞泰威科技有限公司主營:各類驅(qū)動IC,存儲IC,傳感器IC,觸摸IC銷售,




為什么在led驅(qū)動電源中要盡量使用mosfet器件

LED驅(qū)動電源是否一定要用(mosfet器件)MOS管應(yīng)從產(chǎn)品性價比、系統(tǒng)來散熱(包括電源本身和燈具)幾方面考慮,并不一定要求LED電源要用MOS管:

1、從散源熱角度考慮:LED驅(qū)動電源和LED燈珠既是熱源體又是受熱體,根據(jù)多年設(shè)計經(jīng)驗,我們賽明源電源在設(shè)計30W以上電源時全部使用MOS管與控制IC分離方案。因為百,就現(xiàn)有技術(shù)(截止2015年)內(nèi)置MOS管方案超過30W以上電源散熱就是問題,系統(tǒng)很難保證其穩(wěn)定性;




2、從度性價比上考慮:在設(shè)計30W以下LED電源時,賽明知源電源有些采用內(nèi)置MOS管方案道,因為這種方案已經(jīng)成熟,散熱不是問題,系統(tǒng)穩(wěn)定性較高。小功率LED電源可以不用考慮使用MOS,再說內(nèi)置MOS方案EMC指標很容易通過。


igbt驅(qū)動電路的簡介

IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點,驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域。

圖1所示為一個N 溝道增強型絕緣柵雙極晶體管結(jié)構(gòu), N+ 區(qū)稱為源區(qū),附于其上的電極稱為源極。N+ 區(qū)稱為漏區(qū)。器件的控制區(qū)為柵區(qū),附于其上的電極稱為柵極。溝道在緊靠柵區(qū)邊界形成。在漏、源之間的P 型區(qū)(包括P+ 和P 一區(qū))(溝道在該區(qū)域形成),稱為亞溝道區(qū)( Subchannel region )。而在漏區(qū)另一側(cè)的P+ 區(qū)稱為漏注入?yún)^(qū)( Drain injector ),它是IGBT 特有的功能區(qū),與漏區(qū)和亞溝道區(qū)一起形成PNP 雙極晶體管,起發(fā)射極的作用,向漏極注入空穴,進行導(dǎo)電調(diào)制,以降低器件的通態(tài)電壓。附于漏注入?yún)^(qū)上的電極稱為漏極。



IGBT的開關(guān)作用是通過加正向柵極電壓形成溝道,給PNP 晶體管提供基極電流,使IGBT 導(dǎo)通。反之,加反向門極電壓消除溝道,切斷基極電流,使IGBT 關(guān)斷。IGBT 的驅(qū)動方法和MOSFET 基本相同,只需控制輸入極N一溝道MOSFET ,所以具有高輸入阻抗特性。當MOSFET 的溝道形成后,從P+ 基極注入到N 一層的空穴(少子),對N 一層進行電導(dǎo)調(diào)制,減小N 一層的電阻,使IGBT 在高電壓時,也具有低的通態(tài)電壓。



驅(qū)動電路是做什么用的呢

主電路和控制百電路之間,用來對控制電路的信號進行放大的中間電路(即放大控制電路的信號使其能夠驅(qū)動功率晶體管),稱為驅(qū)動電路。

按照驅(qū)動電路加在電力電子器件控制端和公共端之間信號的性質(zhì),可以將電力電子器件分為電流驅(qū)動型和電壓驅(qū)動型兩類度。晶閘管是半控型器件,一般其驅(qū)動電路成為觸發(fā)電路,下面分別分析晶閘管的觸發(fā)電路,GTO、GTR、電力MOSFET和IGBT的驅(qū)動電路.






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