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驅(qū)動電路時應考慮哪些因素

近幾年來MOSFET和IGBT在變頻調(diào)速裝置、開關(guān)電源、不間斷電源等各種、低損耗和低噪音的場合得到了廣泛的應用。這些功率器件的運行狀態(tài)直接決定了設(shè)備的優(yōu)劣，而性能良好的驅(qū)動電路又是開關(guān)器件安全可靠運行的重要保障。在設(shè)計MOSFET和IGBT的驅(qū)動電路時，應考慮一下幾個因素：

（1）要有一定的驅(qū)動功率。也就是說，驅(qū)動電路能提供足夠的電流，在所要求的開通時間和關(guān)斷時間內(nèi)對MOSFET和IGBT的輸入電容Ciss充電和放電。輸入電容Ciss包括柵——源之間的電容CGS和柵——漏之間的電容CGD。 MOSFET和 IGBT的開通和關(guān)斷實質(zhì)上是對其輸入電容的充放電過程e799bee5baa6e59b9ee7ad9431333337383832，柵極電壓VGS的上升時間tr和下降時間tf決定輸入回路的時間常數(shù)，即：tr（或tf）=2.2RCiss ，式中R是輸入回路電阻，其中包括驅(qū)動電源的內(nèi)阻Ri。從上式中可以知道驅(qū)動電源的內(nèi)阻越小，驅(qū)動速度越快。

（2）驅(qū)動電路延遲時間要小。開關(guān)頻率越高，延遲時間要越小。

（3）大功率IGBT在關(guān)斷時，有時須加反向電壓，以防止受到干擾時誤開通。

（4）驅(qū)動信號有時要求電氣隔離。

以PWM DC-DC全橋變換器為例，其同一橋臂的兩只開關(guān)管的驅(qū)動信號S上和S下相差1800，是剛好相反的，即一只開關(guān)管開通，另一只開關(guān)管要關(guān)斷，或者同時關(guān)斷。其中，兩只上臂的開關(guān)管之間和下臂的開關(guān)管必須隔離。對于中小功率的驅(qū)動電路，用脈沖變壓器的方法實現(xiàn)隔離為簡單，而在大功率的應用場合，則要使用集成驅(qū)動器驅(qū)動。

?什么叫存儲器

存儲器是半導體材料電子器件中必不可少的構(gòu)成部分，基本上存有于全部的電子產(chǎn)品中。伴隨著互聯(lián)網(wǎng)大數(shù)據(jù)、云計算技術(shù)、物聯(lián)網(wǎng)技術(shù)、人工智能技術(shù)等產(chǎn)業(yè)鏈的發(fā)展趨勢，其在全部全產(chǎn)業(yè)鏈中飾演的人物角色愈來愈關(guān)鍵。

存儲器的類型許多，按主要用途可分主導存儲器和輔助存儲器。

前面一種又被稱為內(nèi)存儲器（運行內(nèi)存），能夠 與CPU立即互換數(shù)據(jù)信息，速度更快、容積小、價錢高。

后面一種為外存儲器（外存），指除運行內(nèi)存及緩存文件之外的存儲集成ic。該類存儲集成ic一般關(guān)閉電源后依然能儲存數(shù)據(jù)信息，速度比較慢、容積大、價格便宜。

依照關(guān)閉電源后數(shù)據(jù)信息是不是遺失，可分成易失性存儲器和非易失性存儲器。

易失性存儲器普遍的有DRAM和SRAM。

非易失性存儲器普遍的是NAND閃存芯片和NOR閃存芯片。

無線充電芯片組成

從結(jié)構(gòu)上看，無線充電發(fā)射端芯片主要由驅(qū)動芯片、MOS芯片和主芯片三部分組成。單片機方案下，控制芯片、驅(qū)動芯片、運放全部獨立，外圍元件也相當多，總而言之，非常復雜，元器件太多。原材料品種繁多，生產(chǎn)試驗流程復雜，不利于產(chǎn)品的快速開發(fā)、生產(chǎn)和銷售。

即Systemonachip，它是指在一塊芯片上集成一個完整系統(tǒng)。當前對SoC方案的一些比較常見的定義是：SoC即主控制和驅(qū)動集成。但是也有聲音表示這種說法并不準確，主控、驅(qū)動、MOS完整集合才是真正的SoC。以下是SoC的定義，暫且先以種表述為準。