深圳市瑞泰威科技有限公司
主營產(chǎn)品: 磁簧開關(guān)
數(shù)碼管驅(qū)動芯片材質(zhì)-瑞泰威驅(qū)動IC-步進驅(qū)動芯片批發(fā)
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廣東省深圳市
主營產(chǎn)品
模擬電路
有一段時間,MOSFET并非模擬電路設(shè)計工程師的,因為模擬電路設(shè)計重視的性能參數(shù),如晶體管的轉(zhuǎn)導(dǎo)(transconductance)或是電流的驅(qū)動力上,MOSFET不如BJT來得適合模擬電路的需求。但是隨著MOSFET技術(shù)的不斷演進,今日的CMOS技術(shù)也已經(jīng)可以符合很多模擬電路的規(guī)格需求。再加上MOSFET因為結(jié)構(gòu)的關(guān)系,沒有BJT的一些致命缺點,如熱破壞(thermal runaway)。另外,MOSFET在線性區(qū)的壓控電阻特性亦可在集成電路里用來取代。
隨著半導(dǎo)體制造技術(shù)的進步,對于整合更多功能至單一芯片的需求也跟著大幅提升,此時用MOSFET設(shè)計模擬電路的另外一個優(yōu)點也隨之浮現(xiàn)。為了減少在印刷電路板(Printed Circuit Board,PCB)上使用的集成電路數(shù)量、減少封裝成本與縮小系統(tǒng)的體積,很多原本獨立的類比芯片與數(shù)位芯片被整合至同一個芯片內(nèi)。MOSFET原本在數(shù)位集成電路上就有很大的競爭優(yōu)勢,在類比集成電路上也大量采用MOSFET之后,把這兩種不同功能的電路整合起來的困難度也顯著的下降。另外像是某些混合信號電路(Mixed-signal circuits),如類比/數(shù)位轉(zhuǎn)換器(Analog-to-Digital Converter,ADC),也得以利用MOSFET技術(shù)設(shè)計出效能更好的產(chǎn)品。
igbt驅(qū)動電路的簡介
IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點,驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域。
圖1所示為一個N 溝道增強型絕緣柵雙極晶體管結(jié)構(gòu), N+ 區(qū)稱為源區(qū),附于其上的電極稱為源極。N+ 區(qū)稱為漏區(qū)。器件的控制區(qū)為柵區(qū),附于其上的電極稱為柵極。溝道在緊靠柵區(qū)邊界形成。在漏、源之間的P 型區(qū)(包括P+ 和P 一區(qū))(溝道在該區(qū)域形成),稱為亞溝道區(qū)( Subchannel region )。而在漏區(qū)另一側(cè)的P+ 區(qū)稱為漏注入?yún)^(qū)( Drain injector ),它是IGBT 特有的功能區(qū),與漏區(qū)和亞溝道區(qū)一起形成PNP 雙極晶體管,起發(fā)射極的作用,向漏極注入空穴,進行導(dǎo)電調(diào)制,以降低器件的通態(tài)電壓。附于漏注入?yún)^(qū)上的電極稱為漏極。
IGBT的開關(guān)作用是通過加正向柵極電壓形成溝道,給PNP 晶體管提供基極電流,使IGBT 導(dǎo)通。反之,加反向門極電壓消除溝道,切斷基極電流,使IGBT 關(guān)斷。IGBT 的驅(qū)動方法和MOSFET 基本相同,只需控制輸入極N一溝道MOSFET ,所以具有高輸入阻抗特性。當(dāng)MOSFET 的溝道形成后,從P+ 基極注入到N 一層的空穴(少子),對N 一層進行電導(dǎo)調(diào)制,減小N 一層的電阻,使IGBT 在高電壓時,也具有低的通態(tài)電壓。
集成驅(qū)動Ic
集成驅(qū)動 IC 在 15 mA 電流下的壓降僅 105 mV,效能業(yè)界前頭,為照明應(yīng)用提供了更多的設(shè)計彈性。如此可提升整體效率,并提供所需的電壓余度,補償供應(yīng)電壓之中的 LED正向電壓偏差及變動。BCR431U 能讓照明設(shè)計增加更多 LED,例如用同一個 IC 驅(qū)動七個串聯(lián) LED,而不只是六個LED;或者,也能用來增加 LED 燈條設(shè)計的整體長度,例如從 5米增加到 7 米。整體而言,LED 燈條越長,代表接電點越少,以及更少的安裝工作。
瑞泰威驅(qū)動IC廠家,是國內(nèi)IC電子元器件的代理銷售企業(yè),專業(yè)從事各類驅(qū)動IC、存儲IC、傳感器IC、觸摸IC銷售,品類齊全,具備上百個型號