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MOSFET為什么要驅(qū)動電路

現(xiàn)在市面上實際應(yīng)用的多是平面工藝的MOSFET，在開關(guān)電源等領(lǐng)域應(yīng)用非常普遍，一般作為百開關(guān)管使用。實際的MOSFET有別于理想的MOSFET，柵極和源度極，源極和漏極都是存在電容的，要用合適的驅(qū)動電路才能使MOS管工作在低導(dǎo)通損耗的開關(guān)狀態(tài)。比如600V的MOS管多用8-12V的柵極電壓驅(qū)動，并且要求一定的驅(qū)動能力。

也可以內(nèi)用示波器看MOS管的波形，看是否工作在完全導(dǎo)通狀態(tài)，上升和下降時間在輻射容滿足要求的情況下，盡量的陡峭。

存儲芯片內(nèi)地發(fā)展的影響

價錢：減價或成大勢所趨

獲益于中下游智能機、AI、大數(shù)據(jù)中心、轎車、物聯(lián)網(wǎng)技術(shù)等多極運用的驅(qū)動器，存儲芯片銷售市場有希望持續(xù)保持高提高。美光預(yù)估17年至二零二一年，DRAM要求復(fù)合型增長率將達20%，NAND位要求復(fù)合型增長率將達40-45%。

存儲芯片的價格上漲由需求量很高剛開始，是不是不斷還得看供求。要求是遲緩提高，而提供會忽然提升，伴隨著國際性大型廠生產(chǎn)能力釋放出來及其內(nèi)地儲存新項目有序推進，存儲芯片價格波動或成大勢所趨。

電源是所有電子產(chǎn)品的能量來源，沒有電源，就沒有更好的用戶體驗。在芯片選擇階段，研發(fā)工程師必須正確估計整個產(chǎn)品的功率消耗，才能決定選擇哪種電源芯片。

在嵌入式領(lǐng)域，常用的電壓有DC12V、DC5V、DC3.3V，一個嵌入式控制板的總體功耗可能不會很大，電源芯片提供的電流在1A以內(nèi)。因此市場上大多數(shù)主流電源芯片的輸出電流都不會太大，比如經(jīng)典7805系列電源芯片在加入散熱片后輸出電流上限為1.5A,LM2596輸出上限電流為3A。至于更高一點的電流，在選擇時可能會有一點點困難。