PL3331

編輯：LX

PL3331 內(nèi)部集成 VDD 檢測(cè)電路，系統(tǒng)上電完成前，功率管一直處于斷開(kāi)狀態(tài)，副邊電流流過(guò)功率 MOS的體二極管，直到 VDD 端電壓超過(guò)芯片的啟動(dòng)閾值電壓時(shí)，芯片開(kāi)始正常工作。

PL3331 當(dāng) VDD 電壓低于芯片的欠壓閾值電壓時(shí)，芯片進(jìn)入欠壓保護(hù)模式，功率管不會(huì)開(kāi)啟。為了防止 VDD上升過(guò)程中抖動(dòng)對(duì)芯片的影響，內(nèi)部設(shè)置了閾值遲滯。芯片的上升閾值和下降閾值典型值為 3.1V 和2.8V。

PL3331副邊導(dǎo)通時(shí)，電流首先流過(guò)功率 MOS 的體二極管，當(dāng)芯片檢測(cè)到功率 MOS 漏極與源極壓差小于V ON_TH 時(shí)，芯片經(jīng)過(guò)時(shí)間 T DON 開(kāi)啟功率 MOS。V ON_TH 和 T DON 的典型值分別為-200mV 和 80ns。

PL3331當(dāng)流經(jīng)功率 MOS 的電流逐漸下降，直到 MOS 漏極與源極的壓差超過(guò) V OFF_TH 時(shí)，芯片經(jīng)過(guò)時(shí)間 T DOFF開(kāi)啟功率 MOS。V OFF_TH 和 T DOFF 的典型值分別為-12mV 和 50ns。

PL3115B

PL3115B 是一款高效率、高集成度、原邊調(diào)節(jié)的 PWM 功率開(kāi)關(guān)。PL3115B 通過(guò)去除光耦以及次級(jí)控制電路，簡(jiǎn)化了充電器/適配器等傳統(tǒng)的恒流/恒壓的設(shè)計(jì)，從而實(shí)現(xiàn)高精度的電壓和電流調(diào)節(jié)。

復(fù)合模式的應(yīng)用使得芯片能夠?qū)崿F(xiàn)低靜態(tài)功耗、低音頻噪音、高效率。內(nèi)置的頻率抖動(dòng)可以很好的降低芯片的 EMI以及 EMI 濾波成本，而且高集成的功率 MOSFET 能夠降低外部 PCB 的面積以及系統(tǒng)的成本。