BZ-SIMI2939半導(dǎo)體分立器件測(cè)試儀
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上海標(biāo)卓科學(xué)儀器有限公司

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品牌 標(biāo)卓
產(chǎn)地 上海
適用范圍 BZ-SIMI2939半導(dǎo)體分立器件測(cè)試儀
可銷售地 全國(guó)
是否進(jìn)口 否
商品介紹

BZ-SIMI2939半導(dǎo)體分立器件測(cè)試儀（升級(jí)型號(hào)CS2935）

 

測(cè)試參數(shù)
1． 二極管      
VF、IR、BVR
2．  穩(wěn)壓（齊納）二極管   
VF、IR、BV Z
3．  晶體管       Transistor（NPN型/PNP型）
      VBE、ICBO、 LCEO、IEBO、BVCEO、BVCBO、BVEBO、hFE、VCESAT、VBESAT 、VBEON
4．   可控硅整流器（晶閘管）   
IGT、VGT、 IH、IL 、VTM 
5．  場(chǎng)效應(yīng)管   
IGESF、IGSSF、 IGSSR、IGSS、VDSON、RDSON、VGSTH、IDSS、IDON 、gFS、 BVDGO、BVGSS
6．  光電耦合器       
VF 、IR、CTR、ICEO、BVCEO、VCESAT
7．三端穩(wěn)壓器
VO、SV、ID、IDV

 可測(cè)封裝（TO-247，TO-220，TO-92，TO-39，14腳以下DIP）

測(cè)試參數(shù)范圍

晶體管

測(cè)試參數(shù)

測(cè)試范圍

ICEO

ICES

ICBO

1nA-100nA

100nA-1uA

1uA-100uA

100uA-10mA

IEBO

10uA-100uA

100uA-1mA

1mA-10mA

10mA-100mA

VCE(sat)

VBE(sat)

0.10V-30V

VBE(VBE(on))

0.10V-30V

hFE

1－99999

V(BR)EBO

0.10V-30V

V(BR)CEO

V(BR)CBO

10V-30V

30V-1499V

 

二極管

測(cè)試參數(shù)

測(cè)試范圍

IR

1nA-100nA

100nA-1uA

1uA-100uA

100uA-10mA

VF

0.10V-30V

V(BR)

1V-30V


30V-1499V

 

穩(wěn)壓二極管

測(cè)試參數(shù)

測(cè)試范圍

IR

1nA-100nA

100nA-1uA

1uA-100uA

100uA-10mA

VF

0.10V-30V

VZ

0.10V-30V

 

三端穩(wěn)壓器

測(cè)試參數(shù)

測(cè)試范圍

VO

0.10V-30V

SV

0.10mV-1V

ID

1uA-1

IDV

1uA-10mA

MOSFET

測(cè)試參數(shù)

測(cè)試范圍

VGS(th)

0.10V-30V

gfs

0.1mS-1000S

RDS(on)

10mΩ-100KΩ

VDS(on)

0.10V-30V

IGSS

1nA-100nA

100nA-1uA

1uA-100uA

100uA-10mA

IDSS

1nA-100nA

100nA-1uA

1uA-100uA

100uA-10mA

10mA-100mA

ID(on)

0-20A

V(BR)GSS

0.1V-30V

V(BR)DSS

0.1V-1499V

 

光耦

測(cè)試參數(shù)

測(cè)試范圍

VF

0.10V-30V

IR

1nA-100nA

100nA-1uA

1uA-100uA

100uA-10mA

VCE(sat)

0.10V-30V

CTR

0.1%-1000%

ICEO

與IR參數(shù)相同

ICBO

與IR參數(shù)相同

V(BR)CBO V(BR)CEO

0.10V-30V


30V-1499V

 

可控硅

測(cè)試參數(shù)

測(cè)試范圍

IGT

10uA-200mA

VGT

0.10V-30V

IH

10uA-1A

IL

10uA-1A

VTM

0.10V-30V

 

3.3主要技術(shù)指標(biāo)

1、源的指標(biāo)

 壓流源 (VA)

 電壓：

設(shè)定范圍（V）

精.確度

±(0~10)

±(12.2mV+0.25%set)

±(10~30)

±(24.4mV+0.25%set)

 

電流：

測(cè)量范圍

精.確度

±(0-20)uA

±(48.8nA+0.25% set)

±(20-200) uA

±(488nA+0.25% set)

±(0.2-2) mA

±(4.88uA+0.25% set)

±(2-20) mA

±(48.8uA+0.25% set)

±(20~200) mA

±(244uA+0.25%set)

±(0.2~2)A（脈沖）

±(2.44mA+0.25%set)

±(2-20)A（脈沖）

±(24.4mA+1%set)

 

壓流源 (VB)

 電壓：

設(shè)定范圍（V）

精.確度

±(0~10)

±(12.2mV+0.25%set)

±(10~30)

±(24.4mV+0.25%set)

 

電流：

測(cè)量范圍

精.確度

±(0-20)uA

±(48.8nA+0.25% set)

±(20-200) uA

±(488nA+0.25% set)

±(0.2-2) mA

±(4.88uA+0.25% set)

±(2-20) mA

±(48.8uA+0.25% set)

±(20~200) mA

±(244uA+0.25%set)

 

高壓源（HV）

設(shè)定范圍（V）

精.確度

0~1500

±(1.22V+1%set)

 

 *1500V時(shí)輸出為1mA。

2、電壓表的指標(biāo)

測(cè)漏電流

測(cè)量范圍

精.確度

±(0~200)nA

±(2.44nA+0.25% Rdg)

±(0.2-2)uA

±(24.4nA+0.25% Rdg)

±(2-20)uA

±(244nA+0.25% Rdg)

±(20~200) uA

±(2.44uA+0.25% Rdg)

±(0.2~2)mA

±(24.4uA+0.25% Rdg)

±(2-20)mA

±(244uA+0.25% Rdg)

±(20~200) mA

±(2.44mA+0.25% Rdg)

±(0.2~2)A（脈沖）

±(24.4mA+0.25% Rdg)

±(2-20)A（脈沖）

±(244mA+1% Rdg)

 

測(cè)試電壓

設(shè)定范圍（V）

精.確度

±(0~10)

±(3mV+0.25% Rdg)

±(10~30)

±(3mV+0.25% Rdg)

 

測(cè)擊穿電壓

設(shè)定范圍（V）

.精.確度

（0~30）V/10mA

±(36.6mV+0.25% Rdg)

（30~1500）V/1mA

±(610.3mV+1% Rdg)

 

放大倍數(shù)

設(shè)定范圍（V）

精.確度

1~9999

1%


聯(lián)系方式
公司名稱 上海標(biāo)卓科學(xué)儀器有限公司
聯(lián)系賣家 王工 （QQ：444109677）
電話 祹祶祺-祻祺祴祷祶祵祻祸
手機(jī) 祺祵祸祺祲祶祴祹祵祻祻
地址 上海市奉賢區(qū)
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