提供先進(jìn)化學(xué)技術(shù)的多樣化解決方案

成立于1985年,總部設(shè)在美國(guó)新澤西州，富蘭克林市,高速成長(zhǎng)并超過(guò)20年連續(xù)盈利的跨國(guó)公司

公司業(yè)務(wù)覆蓋范圍包括北美，亞太以及歐洲

基于多樣化的技術(shù)

應(yīng)用領(lǐng)域：微電子、光電子、LED、太陽(yáng)能光伏、微機(jī)電系統(tǒng)、生物芯片、微流體、平面印刷

解決方案：的光刻膠、摻雜涂層、平坦化涂層、旋制氧化硅(spin-onglase)。阻擋層(Barrior Layere)、濕法制程

客戶：從財(cái)富100強(qiáng)到以風(fēng)險(xiǎn)投資為背景的設(shè)備研發(fā)及制造公司

使命

目標(biāo)

提供特殊化學(xué)品和全新工藝來(lái)增加客戶的產(chǎn)能

策略

提供獨(dú)特的產(chǎn)品來(lái)優(yōu)化生產(chǎn)制程，以提高設(shè)備能效

領(lǐng)的技術(shù)提升生產(chǎn)過(guò)程中的整體性價(jià)比

工藝步驟的減少降低了成本和產(chǎn)生瑕疵的可能

增加客戶的產(chǎn)能和生產(chǎn)的效率

工藝減化

非同尋常的顯微構(gòu)造、金屬及介電層上的圖形轉(zhuǎn)換、光刻、平坦化、摻雜、蝕刻、邦定

在生產(chǎn)過(guò)程中，不含有害溶劑

支持所有客戶的需要，與客戶共創(chuàng)成功

負(fù)性光刻膠原理

又稱光致抗蝕劑，是一種由感光樹(shù)脂、增感劑（見(jiàn)光譜增料）和溶劑三種主要成分組成的對(duì)光敏感的混合液體。

原理

光刻膠在接受一定波長(zhǎng)的光或者射線時(shí),會(huì)相應(yīng)的發(fā)生一種光化學(xué)反應(yīng)或者激勵(lì)作用。光化學(xué)反應(yīng)中的光吸收是在化學(xué)鍵合中起作用的處于原子外層的電子由基態(tài)轉(zhuǎn)入激勵(lì)態(tài)時(shí)引起的。對(duì)于有機(jī)物，基態(tài)與激勵(lì)態(tài)的能量差為3~6eV，相當(dāng)于該能量差的光(即波長(zhǎng)為0.2~0.4μm的光)被有機(jī)物強(qiáng)烈吸收，使在化學(xué)鍵合中起作用的電子轉(zhuǎn)入激勵(lì)態(tài)?；瘜W(xué)鍵合在受到這種激勵(lì)時(shí)，或者分離或者改變鍵合對(duì)象，發(fā)生化學(xué)變化。電子束、X射線及離子束(即被加速的粒子)注入物質(zhì)后，因與物質(zhì)具有的電子相互作用，能量逐漸消失。電子束失去的能量轉(zhuǎn)移到物質(zhì)的電子中，因此生成激勵(lì)狀態(tài)的電子或二次電子或離子。這些電子或離子均可誘發(fā)光刻膠的化學(xué)反應(yīng)。

光刻膠的核心參數(shù)是什么？

分辨率、對(duì)比度和敏感度是光刻膠的核心技術(shù)參數(shù)。隨著集成電路的發(fā)展，芯片制造特征尺寸越來(lái)越小，對(duì)光刻膠的要求也越來(lái)越高。光刻膠的核心技術(shù)參數(shù)包括分辨率、對(duì)比度和敏感度等。為了滿足集成電路發(fā)展的需要，光刻膠朝著高分辨率、高對(duì)比度以及高敏感度等方向發(fā)展。

以上就是為大家介紹的全部?jī)?nèi)容，希望對(duì)大家有所幫助。如果您想要了解更多光刻膠的知識(shí)，歡迎撥打圖片上的熱線聯(lián)系我們。