MXIC旺宏FLASH存儲(chǔ)MX60UF大量現(xiàn)貨供應(yīng)MX35L
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品牌 MXIC
封裝 SOP-8
批號(hào) 20+
產(chǎn)品說明 FLASH
功率 2.7V--3.6V
包裝 管件
特色服務(wù) 可代燒錄
類型 集成電路IC
系列 存儲(chǔ)器
應(yīng)用領(lǐng)域 消費(fèi)類電子、通訊、電腦、工業(yè)、汽車電子等
型號(hào) MX35L
數(shù)量 10000
商品介紹

原廠原裝深圳倉庫大量現(xiàn)貨供應(yīng)
臺(tái)灣旺宏MXIC品牌存儲(chǔ)器芯片，深圳香港倉庫大量現(xiàn)貨。
MXIC旺宏FLASH存儲(chǔ)器芯片、原裝進(jìn)口、一級(jí)貨源、全新原裝正品深圳庫存現(xiàn)貨供應(yīng)，歡迎選購！
公司長期備有現(xiàn)貨，歡迎來電垂詢。產(chǎn)品現(xiàn)在現(xiàn)貨熱銷中。




本公司長期供應(yīng)MXIC旺宏FLASH存儲(chǔ)器。常用IC產(chǎn)品型號(hào)現(xiàn)有大量庫存，全部原裝進(jìn)口、貨源穩(wěn)定、價(jià)格在同行業(yè)中也有優(yōu)勢(shì)?？蛇x香港或者大陸交貨，熱誠歡迎各界朋友前來參觀、考察、洽談業(yè)務(wù)！

旺宏串行NOR閃存，質(zhì)量有保證，價(jià)格優(yōu)勢(shì)，歡迎垂詢，NOR Flash是一種非易失性的存儲(chǔ)器，具有存儲(chǔ)容量大、數(shù)據(jù)保存時(shí)間長的特點(diǎn)，其擦寫次數(shù)多達(dá)10萬次，數(shù)據(jù)更新速度比EEPROM要快很多，在斷電的情況下也能保存數(shù)據(jù)，常用來保存一些重要的配置信息。應(yīng)用程序可以直接在NOR Flash內(nèi)運(yùn)行，用戶不必把代碼再讀到RAM中運(yùn)行。NOR Flash的傳輸效率很高，在小容量時(shí)具有很高的成本效益。
旺宏提供業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)串行NOR Flash產(chǎn)品，產(chǎn)品密度從512Kb至256Mb，并提供和以前產(chǎn)品兼容的MXSMIOTM系列和MXSMIOTM 全雙工系列產(chǎn)品,SPI Flash主要有MX和KH兩大產(chǎn)品系，針對(duì)于不同的應(yīng)用場(chǎng)合。MXIC旺宏FLASH存儲(chǔ)MX60UF大量現(xiàn)貨供應(yīng)
一、串行NOR Flash分類。
1、MX25L1606EM2I-12G ——標(biāo)準(zhǔn)串行接口系列
     MX25L1606EM2I-12G系列提供1個(gè)或2個(gè)（單I / O或雙I / O）標(biāo)準(zhǔn)串行的I / O接口，電源電壓在3V或者2.5V。該系列產(chǎn)品的一個(gè)扇區(qū)有4KB、一個(gè)塊有 64KB，密度范圍從512Kb到128MB。 MX25xxx08 ——唯一ID系列
MX25L1606EM2I-12G系列提供和主陣列相互獨(dú)立的512位安全區(qū)域，供系統(tǒng)存儲(chǔ)一些ID識(shí)別的數(shù)據(jù)，密度范圍從16Mb到64Mb。 
2、MX25L1606EM2I-12G——默認(rèn)寫防護(hù)系列
MX25xxx25/26系列產(chǎn)品適用于參數(shù)保護(hù)的場(chǎng)所。這些產(chǎn)品利用BP保護(hù)位來保護(hù)內(nèi)存加載區(qū)的啟動(dòng)代碼，防止加載區(qū)的程序被誤操作。  MX25xxx35/36/45 ——MXSMIOTM（多I/O）＆ MXSMIOTM全雙工（DTR）系列
旺宏串行多I/O（MXSMIOTM）系列Flash提供兩種不同的多I/O接口。其中一個(gè)是MX25xxx35系列，它提供多路輸入/多路輸出接口。另一個(gè)是MX25xxx36系列，它提供單輸入/多輸出接口。
這兩個(gè)系列都可以同時(shí)對(duì)四個(gè)I/O口進(jìn)行操作，系統(tǒng)讀取速度提高了四倍，非常適合用在高端消費(fèi)電子。
此外，MXSMIOTM全雙工的MX25xxx45系列，利用四路I/O接口模式進(jìn)行全雙工數(shù)據(jù)傳輸，傳輸速率高達(dá)400MHz，是業(yè)界最快的串行NOR Flash。MXSMIOTM全雙工系列在引導(dǎo)扇區(qū)提供64Mb到128Mb獨(dú)立塊保護(hù)。





NOR FLASH 與NAND FLASH區(qū)別。
Flash存儲(chǔ)器又稱閃存，是一種可以在線多次擦除的非易失性存儲(chǔ)器，即掉電后數(shù)據(jù)不會(huì)丟失，具體積小、功耗低、抗振性強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn)，為嵌入式系統(tǒng)中典型的兩種存儲(chǔ)設(shè)備。
       1、NOR型Flash：如 旺宏MX25L1606EM2I-12G，可以直接讀取芯片內(nèi)存儲(chǔ)器的數(shù)據(jù)，速度比較快，但價(jià)格較高；芯片內(nèi)執(zhí)行（XIP，eXecute In Place），應(yīng)用程序可以直接在Flash上運(yùn)行，不必再把代碼讀到系統(tǒng)RAM中；
       2、NAND型Flash：如TIO 1G AFND1G08U3，內(nèi)部數(shù)據(jù)以塊為單位存儲(chǔ)，地址線和數(shù)據(jù)線共用，使用控制信號(hào)選擇；極高的單元密度，可以達(dá)到高存儲(chǔ)密度，并且寫入和擦除的速度也快，應(yīng)用NAND型的困難在于Flash的管理需要特殊的系統(tǒng)接口。
       3、細(xì)述二者的差別：
      （1）、接口差別：
       NOR型Flash采用的SRAM接口，提供足夠的地址引腳來尋址，可以很容易的存取其片內(nèi)的每一個(gè)字節(jié)；NAND型Flash使用復(fù)雜的I/O口來串行的存取數(shù)據(jù)，各個(gè)產(chǎn)品或廠商的方法可能各不相同，通常是采用8個(gè)I/O引腳來傳送控制、地址、數(shù)據(jù)信息。
      （2）、讀寫的基本單位：
       NOR型Flash操作是以“字”為基本單位，而NAND型Flash以“頁面”為基本單位，頁的大小一般為512字節(jié)。
      （3）、性能比較：
       NOR型Flash的地址線和數(shù)據(jù)線是分開的，傳輸效率很高，程序可以在芯片內(nèi)部執(zhí)行，NOR型的讀速度比NAND稍快一些；NAND型Flash寫入速度比NOR型Flash快很多，因?yàn)镹AND讀寫以頁為基本操作單位。
      （4）、容量和成本：
       NAND型Flash具有較高的單元密度，容量可以做得比較大，加之其生產(chǎn)過程更為簡(jiǎn)單，價(jià)格較低；NOR型Flash占據(jù)了容量為1～16MB閃存市場(chǎng)的大部分，而NAND型Flash只是用在8～128MB的產(chǎn)品中，這也說明NOR主要用在代碼存儲(chǔ)介質(zhì)中，NAND適合數(shù)據(jù)存儲(chǔ)在CompactFlash、PC Cards、MMC存儲(chǔ)卡市場(chǎng)上所占的份額最大。MXIC旺宏FLASH存儲(chǔ)MX60UF大量現(xiàn)貨供應(yīng)
      （5）、軟件支持：
      NAND型和NOR型Flash在進(jìn)行寫入和擦除時(shí)都需要MTD（Memory Technology Drivers，MTD已集成在Flash芯片內(nèi)部，它是對(duì)Flash進(jìn)行操作的接口。），這是它們的共同特點(diǎn)；但在NOR型Flash上運(yùn)行代碼不需要任何的軟件支持，而在NAND型Flash上進(jìn)行同樣操作時(shí)，通常需要驅(qū)動(dòng)程序，即內(nèi)存技術(shù)驅(qū)動(dòng)程序MTD。


NOR Flash和NAND FLASH是目前兩種主要的非易失閃存技術(shù)。NAND FLASH具有“容量大、單位容量成本低”等特點(diǎn)是高數(shù)據(jù)存儲(chǔ)密度的理想解決方案。而NOR Flash“讀寫速度快、可靠性高、使用壽命長”，多用來存儲(chǔ)少量代碼。
近一兩年的NOR Flash市場(chǎng)得到了飛速增長。該增速主要得益于汽車電子和物聯(lián)網(wǎng)、5G和智能手機(jī)及其周邊（如TWS耳機(jī)和可穿戴式設(shè)備）等需求的推動(dòng)。
（1）消費(fèi)電子：智能手機(jī)及周邊設(shè)備也催生了大量需求。例如智能手機(jī)跟可穿戴式設(shè)備的配合跟藍(lán)牙耳機(jī)/智能音響的配合等。這些設(shè)備一方面需要采集用戶的數(shù)據(jù)信息，例如位置信息、心率信息等，另一方面也需要把外界數(shù)據(jù)傳輸給用戶，比如音樂、視頻與通話等。這些都離不開NOR Flash代碼存儲(chǔ)芯片的支撐。到2021年僅TWS耳機(jī)就可為NOR Flash帶來5.8億美元的市場(chǎng)。
（2）物聯(lián)網(wǎng)：伴隨著5G基站的高密度布局，物聯(lián)網(wǎng)對(duì)NOR Flash將是一個(gè)長期利好。萬物互聯(lián)時(shí)代的數(shù)據(jù)流源源不斷，人與人之間、人與設(shè)備之間、人與云端服務(wù)器之間、設(shè)備與設(shè)備之間的各種數(shù)據(jù)交互都會(huì)產(chǎn)生海量的IoT節(jié)點(diǎn)且這些節(jié)點(diǎn)對(duì)應(yīng)的設(shè)備都要用到NOR Flash。
（3）車載：小到汽車攝像頭大到高級(jí)駕駛輔助系統(tǒng)（ADAS）都對(duì)NOR Flash有大量需求。到2021年僅在ADAS領(lǐng)域NOR Flash的市場(chǎng)空間就將達(dá)到6.7億美元。
（4）工業(yè)領(lǐng)域：如國內(nèi)三表市場(chǎng)（外加北方熱表）對(duì)NOR Flash需求上升，其中基于國內(nèi)最新規(guī)范的IR46智能電表，對(duì)NOR Flash的采購量會(huì)很快出現(xiàn)。
（5）5G、通訊設(shè)備：5G基站、微基站催生出了各種各樣的節(jié)點(diǎn)設(shè)備，5G 還加速推動(dòng)了工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)、車聯(lián)網(wǎng)、自動(dòng)駕駛、邊緣計(jì)算的發(fā)展，這些應(yīng)用都離不開NOR Flash?！拔锫?lián)網(wǎng)+5G”帶動(dòng)的norflash市場(chǎng)空間將在2020年達(dá)到1.2億美元，在2021年達(dá)到2.2億美元。
（6）手機(jī)屏幕：主要體現(xiàn)在TDDI（觸控和顯示驅(qū)動(dòng)集成）對(duì)小容量2Mb/4Mb NOR Flash的采用以及AMOLED對(duì)8Mb-32Mb NOR Flash的需求增加等。MXIC旺宏FLASH存儲(chǔ)MX60UF大量現(xiàn)貨供應(yīng)
AMOLED需要外掛一顆8Mb（Full HD）或32Mb（QHD）的NOR Flash進(jìn)行光學(xué)補(bǔ)償，而全面屏手機(jī)則傾向于采用TDDI方案，需外掛一顆NOR Flash用于存儲(chǔ)觸控功能所需的分位編碼。




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